【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種。
技術介紹
納米材料自問世以來，受到科學界追捧，成為材料科學現今最為活躍的研究領域。納米材料根據不同尺和性質，在電子行業、生物醫藥、環保、光學等領域都有著開發的巨大潛能。在將納米材料應用到各行各業的同時，對納米材料本身的制備方法和性質的研究也是目前國際上非常重視和爭相探索的方向。納米材料按維度分類，大致可分為四類零維、ー維、ニ維和三維納米材料。如果ー個納米材料的尺度在X、Y和Z三維空間受限，則稱為零維，如納米粒子；如果材料只在兩個空間方向上受限，則稱為ー維，如納米線和納米管；如果是在一個空間方向上受限，則稱為ニ維納米材料，如石墨烯；如果在X、Y和Z三個方向上都不受限，但材料的組成部分是納米孔、納米粒子或納米線，就被稱為三維納米結構材料。納米材料作為新興的材料，目前最大的問題是如何制備批量、均勻、純凈的這種微型物質，從而進ー步研究這類材料的實際性能及其機理。從目前的研究情況來看，在諸多納米材料中，一維的碳納米管和ニ維的石墨烯材料的研究熱度最高，而三維納米結構的報道比較少，通常為納米球、納米柱等結構簡單的三維納米結構。
技術實現思路
有鑒于此，有必要提供ー種結構復雜、高均勻度的。一種，包括以下步驟提供一村底；在所述襯底的表面形成一掩模層；納米壓印所述掩模層，使所述掩模層表面形成并排延伸的多個條形凸起結構，相鄰的條形凸起結構之間形成溝槽；刻蝕所述掩模層，使對應掩模層溝槽位置的襯底表面部分暴露；刻蝕所述襯底，使所述掩模層的所述多個條形凸起結構中相鄰條形凸起結構依次兩兩閉合，形成多個三維納米結構預制體；以及去除所述掩模層，形成三維納米結構陣列。—種...
【技術保護點】
一種三維納米結構陣列的制備方法，包括以下步驟：提供一襯底；在所述襯底的表面形成一掩模層；納米壓印所述掩模層，使所述掩模層表面形成并排延伸的多個條形凸起結構，相鄰的條形凸起結構之間形成溝槽；刻蝕所述掩模層，使對應掩模層溝槽位置的襯底表面部分暴露；刻蝕所述襯底，使所述掩模層的所述多個條形凸起結構中相鄰條形凸起結構依次兩兩閉合，形成多個三維納米結構預制體；以及去除所述掩模層，形成三維納米結構陣列。
【技術特征摘要】
1.一種三維納米結構陣列的制備方法，包括以下步驟 提供一襯底； 在所述襯底的表面形成一掩模層； 納米壓印所述掩模層，使所述掩模層表面形成并排延伸的多個條形凸起結構，相鄰的條形凸起結構之間形成溝槽； 刻蝕所述掩模層，使對應掩模層溝槽位置的襯底表面部分暴露； 刻蝕所述襯底，使所述掩模層的所述多個條形凸起結構中相鄰條形凸起結構依次兩兩閉合，形成多個三維納米結構預制體；以及 去除所述掩模層，形成三維納米結構陣列。2.如權利要求1所述的三維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，所述刻蝕襯底的過程中，相鄰兩個條形凸起結構的頂端逐漸靠在一起，使所述多個條形凸起結構兩兩閉合。3.如權利要求2所述的三維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，在所述相鄰兩個條形凸起結構閉合的過程中，對應閉合位置處的襯底被刻蝕的速度小于未閉合位置處襯底被刻蝕的速度。4.如權利要求1所述的三維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，所述閉合的兩個條形凸起結構之間的襯底表面形成第一凹槽，未閉合的相鄰的兩個凸起結構之間的襯底表面形成第二凹槽，且所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。5.如權利要求1所述的三維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，所述刻蝕襯底的方法為等離子體刻蝕，具體包括以下步驟 對未被掩模層覆蓋的襯底表面進行刻蝕，使襯底表面形成多個凹槽，所述凹槽的深度基本相同； 在所述等離子體的轟擊作用下，所述掩模中相鄰的兩個條形凸起結構逐漸相向傾倒，使所述兩個條形凸起結構的頂端逐漸兩兩靠在一起而閉合，所述等離子體對該閉合位置內所述襯底的刻蝕速率逐漸減小，從而在襯底的表面形成第一凹槽，在未發生閉合的兩個條形凸起結構之間的襯底表面形成第二凹槽，且形成的所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。6.如權利要求1所述的三維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，所述襯底的刻蝕方法為在一感應耦合等離子體系統中通過等離子體刻蝕的方法。7.如權利要求6所述的三維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，所述等離子體系統的功率為low 150W。8.如權利要求6所述的三維納米結構陣列的制備方法，其特征在于，所述等...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱振東，李群慶，張立輝，陳墨，金元浩，范守善，
申請(專利權)人：清華大學，鴻富錦精密工業深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：
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