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本發明公開了一種冗余圖形的填充方法，包括步驟：1)根據半導體器件中各層次的相互關系，計算出芯片上不可填充冗余圖形區域與可填充冗余圖形區域；2)以不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀填充冗余圖形，每一次環狀填充為填充算法的一個...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹NEC電子有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種冗余圖形的填充方法，包括步驟：1)根據半導體器件中各層次的相互關系，計算出芯片上不可填充冗余圖形區域與可填充冗余圖形區域；2)以不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀填充冗余圖形，每一次環狀填充為填充算法的一個...