冗余圖形的填充方法技術

本發明專利技術公開了一種冗余圖形的填充方法，包括步驟：1)根據半導體器件中各層次的相互關系，計算出芯片上不可填充冗余圖形區域與可填充冗余圖形區域；2)以不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀填充冗余圖形，每一次環狀填充為填充算法的一個計算循環。該方法將不可填充區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀插入冗余圖形，如此，保證了在需要冗余圖形保護的器件周圍，優先插入冗余圖形，從而得以更好地保證器件的良率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體集成電路領域，特別是涉及一種。
技術介紹
在半導體集成電路制造中，化學機械研磨(CMP, Chemical MechanicalPlanarization)和干法刻蝕工藝,都采用冗余圖形填充方法(dummy insertion)來改善面內均一'I生。目前的冗余圖形填充方法為先根據器件的各層次間的關系，計算出冗余圖形的可填充區域，然后對于可填充區域，從一個端點開始計算，插入冗余圖形，直到達到可填充區域的邊界。這種方法，在特定的一些位置，由于算法初始坐標的問題，會導致在局部符合填充規則的區域，也不能成功地填充冗余圖形。例如圖1所示，冗余圖形是邊長為a的正方形，兩個冗余圖形的間距為b;如圖2所示，芯片中有一個區域為不可填充冗余圖形的區域，這個區域的上邊界與芯片的上邊界的距離為a+2b，正好是一個冗余圖形可以填充的距離，但是，能不能真正插入一個冗余圖形，要受到冗余圖形插入算法的計算初始點的影響，如果計算初始點不在該不可填充冗余圖形區域的上邊界(圖2中計算初始點在芯片的左下角)，冗余圖形就不能在這個邊界正常插入，從而導致器件在需要冗余圖形的區域得不到填充。隨著半導體器件的縮小和良率要求的提升，對硅片面內均勻性的要求也越來越高，上述冗余圖形填充方法已越來越不能滿足工藝的要求。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提供一種，它可以提高半導體器件的良率。為解決上述技術問題，本專利技術的，包括以下步驟I)根據半導體器件中各層次的相互關系，計算出芯片上不可填充冗余圖形區域與可填充冗余圖形區域；2)以不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀填充冗余圖形，每一次環狀填充為填充算法的一個計算循環。本專利技術的冗余圖形填充方法，將芯片不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀填充冗余圖形，保證了在需要冗余圖形保護的器件周圍，優先插入冗余圖形，從而更好地保證了器件的良率。附圖說明圖1是冗余圖形示意圖；圖中，冗余圖形呈正方形，邊長為a，兩個冗余圖形之間的距離為b。圖2是現有的冗余圖形填充方法的示意圖。圖3 4是本實施例的冗余圖形填充方法示意圖。具體實施例方式為對本專利技術的
技術實現思路
、特點與功效有更具體的了解，現結合圖示的實施方式，詳述如下本專利技術的冗余圖形填充方法，是將半導體芯片的不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀插入冗余圖形，每一次環狀填充為填充算法的一個計算循環。以正方形冗余圖形的填充為例，采用本專利技術的方法進行冗余圖形填充的具體步驟如下I)根據半導體器件中各層次的相互關系，計算出半導體芯片上不可填充冗余圖形區域與可填充冗余圖形區域。2)以不可填充冗余圖形區域的邊界作為起始邊，在芯片上環狀填充冗余圖形，如圖3所示。首次填充時，若正對的兩個不可填充冗余圖形區域間只能填充一個冗余圖形，則將冗余圖形放在這兩個不可填充冗余圖形區域的中間；當填充到第n(n為整數，且n> I)次時，若正對的兩個不可填充冗余圖形區域間只能再填充一個冗余圖形，則將冗余圖形放在第η-1次所填充的兩個冗余圖形的中間，如圖4所示。步驟I)中，計算芯片的不可填充冗余圖形的區域，以及步驟2)中進行冗余圖形的填充，都可以通過EDA (Electronic Design Automation,電子設計自動化)工具進行,例如Mentor 的 Calibre DRC(design rule check)工具。上述冗余圖形填充 方法，保證了在需要冗余圖形保護的器件周圍，優先插入冗余圖形，從而保證了半導體芯片圖形密度的均一性，進而更好地保證了器件的良率。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種冗余圖形的填充方法，其特征在于，包括以下步驟：1)根據半導體器件中各層次的相互關系，計算出芯片上不可填充冗余圖形區域與可填充冗余圖形區域；2)以不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀填充冗余圖形，每一次環狀填充為填充算法的一個計算循環。

【技術特征摘要】
1.一種冗余圖形的填充方法，其特征在于，包括以下步驟 1)根據半導體器件中各層次的相互關系，計算出芯片上不可填充冗余圖形區域與可填充冗余圖形區域； 2)以不可填充冗余圖形區域的邊界作為填充算法的起始邊，環狀填充冗余圖形，每一次環狀填充為填充算法的一個計算循環。2.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟2)中，首次填充時，若正對的兩個不可填...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳福成，
申請(專利權)人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：發明
國別省市：