具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法技術

本發明專利技術公開了一種具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法，包括以下步驟：第一步，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分：溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldrift1和漏極有源區下的漂移區Ldrift2；將源側漂移區也分為三部分：溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldrifts1和源極有源區下的漂移區Ldrifts2；第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性；采用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgs、漏源電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電阻特性的影響；本發明專利技術能夠有效提高高壓MOS或高壓LDMOS模型精度，以提高高壓集成電路仿真精度，節約電路設計周期。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種高壓晶體管模型方法，具體涉及ー種。
技術介紹
用于高壓集成電路設計的高壓晶體管一般分為高壓MOS和高壓LDMOS兩種。目前用于提高高壓晶體管耐壓的方法有兩種其一，場板技術的引入可以均勻表面電場，從而提高器件擊穿電壓；其ニ，在耐壓側(漏側或源漏兩側)引入輕摻雜漂移區，通過漂移區耗盡以提高器件的擊穿電壓。如附圖說明圖1所示，為提高器件的擊穿電壓，在高壓MOS的源側和漏側引入輕摻雜漂移區；如圖2所示，在高壓LDMOS的漏側引入輕摻雜漂移區。但是，場板技術同時會引入較大的交疊電容(Overlap電容)，漂移區大的電阻特性也會帶來高壓器件獨特的高壓特性。如何精確模擬場板技術及漂移區特性是高壓器件建模的關鍵之處。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供ー種，它可以精確模擬漂移區電阻特性。為解決上述技術問題，本專利技術的技術解決方案為，包括以下步驟第一歩，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldriftl和漏極有源區下的漂移區Ldrift2 ;將源側漂移區也分為三部分溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldriftsl和源極有源區下的漂移區 Ldrifts2 ；第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性；采用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgsjf -電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電阻特性的影響；

【技術保護點】
一種具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法，其特征在于，包括以下步驟：第一步，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分：溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldrift1和漏極有源區下的漂移區Ldrift2；將源側漂移區也分為三部分：溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldrifts1和源極有源區下的漂移區Ldrifts2；第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性；采用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgs、漏源電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電阻特性的影響；Rdrift=RDVD(1+RDVG1-RDVG1RDVG2Vgs)×(1-Vbs×RDVB)×VdsRDVD1×(LdriftDdrift-Wdep))---(1)并采用下述公式模擬器件溝道長度、溝道寬度及漂移區各部分尺寸對漂移區電阻的影響；RDVD=RDVDW×exp(-RDVDL×LRDVDLP)×(1+RDVDSW×L)×f1×f2×f3---(2)漏側漂移區長度Ldrift＝Loverld+Ldrift1+Ldrift2????(3)其中：f1(Ldrift1)＝Ldrift1×RDSLP1+RDICT1??????????????(4)f2(Ldrift2)＝Ldrift2×RDSLP2+RDICT2??????????????(5)f3(Lover)=1+(RDOV1-RDOV1RDOV2)×Loverld+(1-RDOV3)×Loverld---(6)或者源側漂移區長度Ldrift＝Lovers+Ldrifts1+Ldrifts2???(7)其中：f1(Ldrifts1)＝Ldrifts1×RDSLP1+RDICT1????????(8)f2(Ldrifts2)＝Ldrifts2×RDSLP2+RDICT2????????(9)f3(Lovers)=1+(RDOV1-RDOV1RDOV2)×Lovers+(1-RDOV3)×Lovers---(10)其中：Rdrift是漂移區電阻；Ldrift是漂移區的長度；Vgs，Vbs，Vds分別是柵源電壓、體源電壓和漏源電壓；RDVG1，RDVG2，RDVB，RDVD1分別是柵源一階電壓系數、柵源二階電壓系數、體源一階電壓系數、漏源電壓指數；W，L分別是器件溝道寬度、溝道長度；Ddrift是漂移區結深；Wdep是漂移區與襯底PN結在漂移區側所形成的耗盡區寬度；RDVD，RDVDL，RDVDS是與器件溝道寬度、溝道長度相關的漂移區電阻阻值；RDVDLP是指數項的修正因子；RDSLP1，RDICT1是Ldrift1修正因子；RDSLP2，RDICT2是Ldrift2修正因子；RDOV1，RDOV2，RDOV3是Lover修正因子。...

【技術特征摘要】
1. 一種具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法，其特征在于，包括以下步驟 第一步，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldriftl和漏極有源區下的漂移區Ldrift2 ;將源側漂移區也分為三部分溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldriftsl和源極有源區下的漂移區Ldrifts2 ； 第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性； 采用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgs、漏源電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電阻特性的影響；2.根據權利要求1所述的具有可擴展性漂移區電阻的高壓晶體管模型方法，其特征在于所述器件結構為對稱結構的高壓MOS器件時Loverld = Lovers ；Ldriftl = Ldriftsl ；Ldrift2 = Ldrifts2則漏側漂移區和源側漂移區電阻的計算公式中，f\、f2、f3按下式計算f: (Ldriftl) = LdriftlXRDSLPl+RDICTl(...

【專利技術屬性】
技術研發人員：武潔，
申請(專利權)人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：發明
國別省市：