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本發明涉及半導體制造領域，具體的是一種解決薄膜剝落的方法。包括以下步驟：步驟一：在晶圓的上表面淀積一層氧化層；步驟二：在所述氧化層的上表面淀積一層高介質層；步驟三：在所述高介質層的上表面淀積一層抗反射層，所述抗反射層即鉭的氧化物，如氧化鉭，...
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