一種解決薄膜剝落的方法技術

本發明專利技術涉及半導體制造領域，具體的是一種解決薄膜剝落的方法。包括以下步驟：步驟一：在晶圓的上表面淀積一層氧化層；步驟二：在所述氧化層的上表面淀積一層高介質層；步驟三：在所述高介質層的上表面淀積一層抗反射層，所述抗反射層即鉭的氧化物，如氧化鉭，淀積所述抗反射層使用的射頻發生器的功率為1000～2000W。現有工藝使用的射頻發生器的功率4000～6000W，由于RF（Radio?Frequency）射頻功率與薄膜應力表現出較強的相關性，本發明專利技術優化了該工藝參數，減少了抗反射層與底部之間的界面應力，在現實生產中可以有效避免抗反射層脫落的問題。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造領域，具體的是。
技術介紹
氧化鉭在背照式影像傳感器作為抗反射層使用，然而其有剝落的問題，該問題被認為是鉭的氧化物與底部之間的高應力造成的，這一脫落問題迫切需要解決。現階段，暫沒有相關的解決方法。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供解決上述問題。本專利技術解決上述技術問題的技術方案如下:，包括以下步驟:步驟一:在晶圓的上表面淀積一層氧化層，所述淀積是指通過化學反應或物理堆積的方式增加；步驟二:在所述氧化層的上表面淀積一層高介質層，所述高介質層是指介電常數較高的物質構成的層，例如=PECVD (等離子體增強化學氣相淀積)SiO2的介電常數為4.1 4.3 ；步驟三:在所述高介質層的上表面通過射頻發生器淀積一層抗反射層。在上述技術方案的基礎上，本專利技術還可以做如下改進。進一步，淀積所述抗反射層使用的射頻發生器的功率為1000 2000W。進一步，所述抗反射層為鉭的氧化物。本專利技術的有益效果是:現有工藝使用的射頻發生器的功率4000 6000W，由于RF(Radio Frequency:無線電頻率)射頻功率與薄膜應力表現出較強的相關性,本專利技術優化了該工藝參數，將現有工藝使用的射頻發生器的功率4000 6000W改進為1000 2000W，減少了抗反射層與底部之間的界面應力，在現實生產中可以有效避免薄膜(抗反射層)脫落的問題。附圖說明圖1為本專利技術的操作流程圖；圖2為本專利技術的結構示意圖。附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、晶圓，2、氧化層，3、高介質層，4、抗反射層。具體實施例方式以下結合附圖對本專利技術的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本專利技術，并非用于限定本專利技術的范圍。如圖1所示，，包括以下步驟:步驟01:在晶圓I的上表面淀積一層氧化層2，圖2為本專利技術的結構示意圖，其結構如圖2所示；步驟02:在所述氧化層2的上表面淀積一層高介質層3，所述高介質層3是指介電常數較高的物質構成的層，例如=PECVD (等離子體增強化學氣相淀積)Si02的介電常數為4.1 4.3 ;步驟03:在所述高介質層3的上表面通過射頻發生器淀積一層抗反射層4。淀積所述抗反射層4使用的射頻發生器的功率為1000 2000W。所述抗反射層為鉭的氧化物，例如氧化鉭。本專利技術將現有工藝使用的射頻發生器的功率4000 6000W改進為1000 2000W，減少了抗反射層與底部之間的界面應力，在現實生產中可以有效避免薄膜(抗反射層)脫落的問題。以上所述僅為本專利技術的較佳實施例，并不用以限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種解決薄膜剝落的方法,其特征在于，包括以下步驟：步驟一：在晶圓的上表面淀積一層氧化層；步驟二：在所述氧化層的上表面淀積一層高介質層；步驟三：在所述高介質層的上表面通過射頻發生器淀積一層抗反射層。

【技術特征摘要】
1.一種解決薄膜剝落的方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一:在晶圓的上表面淀積一層氧化層； 步驟二:在所述氧化層的上表面淀積一層高介質層； 步驟三:在所述高介質層的上表面通過射頻發生器淀積一層抗反射層。...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李平，
申請(專利權)人：陸偉，
類型：發明
國別省市：