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公開了一種用于制造半導體器件的方法。在位于襯底上方的層間電介質(zhì)(ILD)中的兩個有源柵極部件之間形成偽柵極部件。在襯底中形成隔離部件，以及在隔離部件上方形成偽柵極部件。在襯底中的有源柵極部件的邊緣處形成源極/漏極(S/D)部件，用于形成晶體...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過臺灣積體電路制造股份有限公司授權(quán)不得商用。