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本發明公開一種應變硅通道半導體結構及其制作方法，其方法包含：提供一基底；在該基底上形成至少一柵極結構；進行一蝕刻制作工藝以于該柵極結構側邊的該基底中形成至少一凹槽，該凹槽的側壁向該柵極結構方向凹入且與水平面呈一夾角；以及進行一預烤制作工藝改...
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