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采用納米多孔模板基板來形成具有高存儲能量密度的贗電容器，該納米多孔模板基板為陽極氧化的氧化鋁（AAO）基板。通過原子層沉積、化學氣相沉積和/或利用成核層的電化學沉積，沿著AAO基板的側壁保形地沉積贗電容性材料。在該沉積工藝中，可精準控制所述...
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