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本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鍺硅薄膜的形成裝置，包括：反應(yīng)腔室，用于為反應(yīng)物在晶圓表面形成含鍺硅的外延層提供平臺；等離子腔室，用于在含鍺的反應(yīng)物到達(dá)晶圓表面之前，將所述含鍺的反應(yīng)物等離子體化，形成等離子鍺；所述反應(yīng)腔室壁上具有開口，等離子腔室位于...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。