鍺硅薄膜的形成方法及形成裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)實施例提供了一種鍺硅薄膜的形成裝置，包括：反應腔室，用于為反應物在晶圓表面形成含鍺硅的外延層提供平臺；等離子腔室，用于在含鍺的反應物到達晶圓表面之前，將所述含鍺的反應物等離子體化，形成等離子鍺；所述反應腔室壁上具有開口，等離子腔室位于所述開口內(nèi)或通過管道與反應腔室的開口連通。相應的，本發(fā)明專利技術(shù)實施例還提供了一種鍺硅薄膜的形成方法，能夠以較快的沉積速率在晶圓表面形成鍺的原子百分比含量高的含鍺硅的外延層，提高了生產(chǎn)效率。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護點】
一種鍺硅薄膜的形成裝置，包括：反應腔室，用于為反應物在晶圓表面形成含鍺硅的外延層提供平臺；等離子腔室，用于在含鍺的反應物到達晶圓表面之前，將所述含鍺的反應物等離子體化，形成等離子鍺；其特征在于，所述反應腔室壁上具有開口，等離子腔室位于所述開口內(nèi)或通過管道與反應腔室的開口連通。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：三重野文健，涂火金，
申請(專利權(quán))人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：