用于制造相變存儲(chǔ)器材料的碲前驅(qū)體制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及用于制造相變存儲(chǔ)器材料的碲前驅(qū)體。說(shuō)明書中公開(kāi)了用于制造相變存儲(chǔ)器材料的碲(Te)前驅(qū)體，特別是含碲(Te)前驅(qū)體、含Te硫?qū)僭鼗锵嘧儾牧稀Ｕf(shuō)明書中還公開(kāi)了使用ALD、CVD或循環(huán)CVD法制造含Te硫?qū)僭鼗锵嘧儾牧系姆椒ǎ渲兄辽僖环N公開(kāi)的含碲(Te)前驅(qū)體引入該方法。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
在基底上沉積含Te硫?qū)僭鼗锵嘧儾牧系姆椒ǎㄒ韵虏襟E：沉積包括具有以下一般結(jié)構(gòu)的含Te組合物的Te前驅(qū)體：R”2Te其中R”選自氫和氘；沉積包括具有以下一般結(jié)構(gòu)的氨基鍺烷的Ge前驅(qū)體：(R1R2N)4Ge其中R1和R2為含有1?10個(gè)碳的直鏈、支鏈或環(huán)狀形式的烷基；和沉積包括具有以下一般結(jié)構(gòu)的氨基銻烷的Sb前驅(qū)體：(R1R2N)3Sb其中R1和R2為含有1?10個(gè)碳的直鏈、支鏈或環(huán)狀形式的烷基。

【技術(shù)特征摘要】
...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蕭滿超，TR加夫尼，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：