化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器及其支撐裝置制造方法及圖紙

一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器，包括一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置至少一基片承載架和一用于支撐所述基片承載架的支撐裝置，所述基片承載架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承載架的第二表面設(shè)置有至少一個(gè)向內(nèi)凹陷的凹進(jìn)部；所述支撐裝置包括：主軸部；與所述主軸部的一端相連接、并沿所述主軸部外圍向外延伸開來的支撐部，所述支撐部包括一支撐面；以及與所述主軸部相連接、并沿著向所述基片承載架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撐裝置的插接部可分離地插接于所述凹進(jìn)部內(nèi)，從而使所述基片承載架放置于所述支撐裝置上并由其支撐。本發(fā)明專利技術(shù)的基片承載架在基片加工過程中能夠?qū)崿F(xiàn)平衡、可靠地旋轉(zhuǎn)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器，其包括一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置至少一基片承載架和一用于支撐所述基片承載架的支撐裝置，所述基片承載架包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待處理的基片，其特征在于：所述基片承載架的第二表面設(shè)置有至少一個(gè)向內(nèi)凹陷的凹進(jìn)部；所述支撐裝置包括：主軸部；與所述主軸部的一端相連接、并沿所述主軸部外圍向外延伸開來的支撐部，所述支撐部包括一支撐面；以及與所述主軸部相連接、并沿著向所述基片承載架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撐裝置的插接部可分離地插接于所述凹進(jìn)部內(nèi)，從而使所述基片承載架放置于所述支撐裝置上并由其支撐，在此位置下，所述支撐部的支撐面至少部分地與所述基片承載架的第二表面的至少部分相接觸，并且藉由該接觸的支撐面來支撐所述基片承載架。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：尹志堯，姜勇，
申請(專利權(quán))人：中微半導(dǎo)體設(shè)備上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：