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本實用新型涉及一種具有硅通孔結構的半導體器件，包括：硅襯底，開設有自硅襯底上表面穿入內部的硅通孔；絕緣層，覆蓋于所述硅襯底上表面、硅通孔的側壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的頂端與硅襯底上表面交界的拐角處覆蓋的絕緣層厚度，大于所述拐角旁的硅襯底...該專利屬于中國科學院深圳先進技術研究院所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院深圳先進技術研究院授權不得商用。
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本實用新型涉及一種具有硅通孔結構的半導體器件，包括：硅襯底，開設有自硅襯底上表面穿入內部的硅通孔；絕緣層，覆蓋于所述硅襯底上表面、硅通孔的側壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的頂端與硅襯底上表面交界的拐角處覆蓋的絕緣層厚度，大于所述拐角旁的硅襯底...