溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器及其制造方法。該半導(dǎo)體激光器包括：半導(dǎo)體層，包括有源層和脊部，所述脊部面對有源層的電流注入?yún)^(qū)域；以及嵌入膜，覆蓋脊部側(cè)面和半導(dǎo)體層的頂面；其中，嵌入膜從脊部和半導(dǎo)體層側(cè)開始依次包括由硅氧化膜構(gòu)成的第一層、由具有比有源層...該專利屬于索尼公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過索尼公司授權(quán)不得商用。