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本發明涉及非易失性半導體存儲器的UV編程系統和方法，半導體存儲器存儲器件包括設置在半導體襯底中的第一摻雜類型的第一和第二摻雜區域。第一類型的第一和第二摻雜區域彼此橫向隔開。柵極電介質在第一和第二摻雜區域之間的半導體襯底的上方延伸，并且浮柵設...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明涉及非易失性半導體存儲器的UV編程系統和方法，半導體存儲器存儲器件包括設置在半導體襯底中的第一摻雜類型的第一和第二摻雜區域。第一類型的第一和第二摻雜區域彼此橫向隔開。柵極電介質在第一和第二摻雜區域之間的半導體襯底的上方延伸，并且浮柵設...