【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種半導體存儲器存儲器件，包括：第一摻雜類型的第一摻雜區域，設置在半導體襯底中，用于限定源極；所述第一摻雜類型的第二摻雜區域，設置在所述半導體襯底中，用于限定漏極，所述第二摻雜區域與所述第一摻雜區域橫向隔開；柵極電介質，在所述第一摻雜區域和所述第二摻雜區域之間的所述半導體襯底的上方延伸；浮柵，設置在所述柵極電介質上；以及紫外線(UV)光阻隔材料，垂直設置在所述浮柵的上方，所述UV光阻隔材料具有覆蓋所述浮柵的大小，使得在所述半導體存儲器存儲器件暴露于UV光之后所述浮柵保持充電。
【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：陸湘臺，林志賢，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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