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一種降低阱接出電阻的方法，包括：步驟S1：提供半導(dǎo)體基底，并形成第一型離子之MOS器件；步驟S2：在所述第一型離子之MOS器件內(nèi)進(jìn)行第二型離子阱注入；步驟S3：在所述第一型離子之MOS器件的第二型離子阱接出區(qū)域進(jìn)行第一型離子低摻雜源漏注入工...該專利屬于上海華力微電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華力微電子有限公司授權(quán)不得商用。