本申請提供了一種形成隔離槽的方法、半導體器件的制備方法及工藝設備，其中，該形成隔離槽的方法包括：在堆疊結構上形成掩膜層，使掩膜層的掩膜開口暴露堆疊結構的部分區域；堆疊結構包括疊層結構和沿第一方向貫穿疊層結構的多個存儲柱，第一方向為疊層結...

本申請公開了一種配置文件的生成方法及半導體工藝設備。其中，該方法包括：獲取與目標半導體工藝設備相關的目標硬件配置項的標識；獲取預先構建的配置文件模板，配置文件模板中包括與各半導體工藝設備支持的硬件配置項的標識對應的配置項配置文件，配置項...

本申請公開了一種測量裝置及半導體工藝設備，屬于測量技術領域。測量裝置應用于半導體工藝腔室，半導體工藝腔室包括旋轉機械手和沿旋轉機械手的旋轉軸的周向均勻設置的至少兩個加工工位，每一加工工位均設有一個基座，測量裝置包括旋轉測量機構，旋轉測量...

本發明實施例提供了一種半導體生產設備控制元件控件生成方法和裝置，涉及半導體生產控制技術領域，包括基于預設控件庫，依據接收到的控件創建指令，創建控制元件控件類信息；所述控件創建指令包括依賴屬性；在所述控制元件控件類信息中添加所述依賴屬性，...

本申請公開一種半導體工藝設備，其包括腔體、基座、承載件和測速件，所述基座可轉動地安裝于所述腔體之內，所述承載件的數量為多個，且各所述承載件均轉動安裝于所述基座，各所述承載件均用以承載待加工件；所述基座上對應所述承載件的區域設有驅動氣道和...

本申請公開了一種承載機構及半導體工藝設備，涉及半導體領域。一種承載機構，用于承載晶圓，所述承載機構包括：承載組件、升降組件和驅動組件；所述承載組件具有第一凹槽，所述升降組件具有第二凹槽；所述驅動組件設于所述承載組件，且所述驅動組件的驅動...

本發明提供了一種半導體工藝腔室、半導體工藝設備和半導體工藝方法，涉及半導體加工工藝技術領域，為解決現有工藝腔室中伸縮密封件壽命低的問題而設計。半導體工藝腔室半導體工藝腔室，包括：反應腔；傳輸腔，位于反應腔下方，通過底部開口與反應腔連通；...

本發明提供一種工藝腔室的清洗方法及半導體工藝設備，該方法包括：利用等離子體對工藝腔室進行清洗；獲取用于對工藝腔室抽真空的排氣組件的流量調節閥的開度信息；當開度信息滿足預設條件時，停止清洗。通過本發明提供的方法，可以實時且準確的判定工藝腔...

本申請實施例提供了一種單晶生長裝置及半導體工藝設備，涉及半導體工藝技術領域，其中，所述單晶生長裝置包括：坩堝桶和蓋體組件；所述坩堝桶的一端設置有開口，所述蓋體組件用于蓋設于所述開口處；所述蓋體組件包括相連接的坩堝蓋和籽晶托，所述籽晶托的...

本發明提供一種線圈連接件、電極線圈連接結構及半導體工藝設備，線圈連接件包括：支臂，支臂為多個；均流部，均流部具有相對設置的第一端和第二端，支臂的第二端連接在均流部的第二端上；均流部還具有外周壁，均流部的外周壁自均流部的第一端延伸至第二端...

本技術提供一種半導體工藝設備，包括底座、工藝管、進氣管、第一轉接部件和第二轉接部件，工藝管豎向設置在底座上，進氣管豎向設置在工藝管內，用于向工藝管內輸送工藝氣體，第一轉接部件和第二轉接部件為可拆卸連接的分體結構，第一轉接部件的至少部分豎...

本申請實施例提供了一種晶圓存儲裝置及半導體工藝設備，其中，所述晶圓存儲裝置包括：存儲架和噴氣裝置；存儲架的上下兩側分別設有上擋板和下擋板，存儲架的周向側設有開放側面和封擋側面；噴氣裝置設于上擋板，噴氣裝置用于從上擋板朝向下擋板噴氣，以在...

本技術提供一種工藝介質輸運結構及半導體工藝設備，工藝介質輸運結構包括儲液部件、儲氣部件和第一測壓部件，儲液部件與儲氣部件連通，并用于與工藝介質源連通，儲液部件用于對由工藝介質源輸入的液態工藝介質進行儲存，并向儲氣部件輸運工藝介質蒸汽，儲...

本技術公開一種進氣裝置和半導體工藝設備，所公開的進氣裝置用于半導體工藝設備，所公開的進氣裝置包括工藝氣體通道、清洗氣體通道和止回裝置，所述工藝氣體通道和所述清洗氣體通道均用于與所述半導體工藝設備的反應腔室連通，所述止回裝置設于所述工藝氣...

本申請公開了一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備，屬于半導體技術領域。半導體工藝腔室包括腔室本體、旋轉板和多個加熱元件，旋轉板可轉動地設置于腔室本體內，腔室本體內設有用于承載晶片的基座，基座與旋轉板相對，多個加熱元件間隔設置于旋轉板，以加...

本技術提供一種槽蓋聯動機構以及清洗設備，所述槽蓋聯動機構包括：升降裝置，用于放置晶圓并帶動所述晶圓升降，以使所述晶圓移出或進入所述清潔槽；槽蓋，用于活動連接在所述清潔槽上，用于打開或關閉所述清潔槽的槽口，處于打開狀態的所述槽蓋避讓所述升...

本技術提供一種活動隔板裝置以及半導體清洗設備。其中，活動隔板裝置包括：隔板、驅動源和用于連接隔板和驅動源的支撐組件；驅動源用于驅動隔板移動；支撐組件包括第一支撐件、第二支撐件和第一連接件；第一支撐件與隔板固定連接；第二支撐件與驅動源固定...

本發明提供一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備。半導體工藝腔室包括：腔體，設置有與內部連通的抽氣口；基座，設置于腔體內；第一氣體調節組件，設置于腔體內，且將腔體內部分隔成工藝腔和通氣腔，基座位于工藝腔中；通氣腔位于基座下方，且與抽氣口連通...

本申請公開一種半導體工藝設備，其包括腔體、勻氣件、旋轉電機、傳動組件和升降組件，所述升降組件的數量為多個，且多個所述升降組件沿所述腔體的周向間隔分布，各所述升降組件均與所述勻氣件連接，且各所述升降組件均通過所述傳動組件與所述旋轉電機傳動...

本申請公開了一種工藝任務的執行方法及半導體工藝設備。其中，該方法包括：在工藝任務啟動后，獲取目標服務執行完成后的目標腔室空閑時間，目標服務為工藝任務啟動前最后執行的服務；根據目標服務和目標腔室空閑時間，獲取對應的測試晶圓的推薦數量；若推...