本技術提供一種承載裝置及半導體加工設備，該承載裝置包括基座本體，基座本體承載晶圓所在平面為基準面，基座本體具有低于基準面的第一表面和第二表面，第一表面靠近基座本體的邊緣，第二表面位于基座本體的中心區域，基座本體還具有位于第一表面和第二表...

本發明提供一種下電極裝置、半導體工藝控制方法及半導體工藝設備，下電極裝置包括承載部件、聚焦環和控制電源，承載部件用于承載晶圓，并用于與射頻源電連接，射頻源用于向承載部件加載射頻，使承載部件產生自偏壓，聚焦環環繞承載部件設置，并能夠環繞在...

本發明公開了一種靜電卡盤電源和半導體工藝設備，包括信號發生模塊、開關模塊、升壓模塊和整流模塊，信號發生模塊產生脈沖信號，開關模塊在脈沖信號的控制下產生第一電壓信號，升壓模塊將第一電壓信號升壓為第二電壓信號，整流模塊將第二電壓信號整流成用...

本申請公開了一種電流阻擋層的制備方法及LED芯片，制備方法包括：以SiH<subgt;4</subgt;、N<subgt;2</subgt;O和N<subgt;2</subgt;作為反應氣體，采用第一...

本發明提供一種升降裝置，其包括可升降地安裝于晶圓卡盤中的頂針組件，頂針組件具有外頂針和內頂針，內頂針與外頂針彈性連接，內頂針用于接地；外頂針具有抵接端，內頂針具有接觸端；頂針組件具有第一狀態和第二狀態，在頂針組件的第一狀態，接觸端相對于...

本申請公開了一種靜電卡盤及半導體工藝設備，涉及半導體制備技術領域，所公開的靜電卡盤包括基座、承載盤、冷卻部件和溫度調節組件，承載盤蓋設在基座的開口端，且與基座圍成容納腔，承載盤的內部設有加熱件。冷卻部件設置在容納腔中，承載盤與所述冷卻部...

本申請提供了一種半導體工藝設備的測試方法及上位機，該方法基于工藝路徑集創建目標工藝任務，并基于目標工藝任務的執行結果更新半導體工藝設備的測試結果，其中，工藝路徑集中的工藝路徑是與預設存儲單元中的工藝路徑同步更新的，從而能夠實現工藝路徑集...

本發明提供一種冷卻裝置、傳輸腔室及半導體設備，冷卻裝置用于對半導體設備中的晶圓進行冷卻，冷卻裝置包括輸氣組件、支撐組件和送氣組件；輸氣組件與送氣組件連通，并能夠與冷卻氣體的氣源連通，輸氣組件用于向送氣組件輸送冷卻氣體；送氣組件呈一側具有...

本發明公開了一種晶體管的制作方法和半導體工藝設備，包括：對具有圖形化的掩膜層的目標器件進行刻蝕以形成凹槽，該目標器件用于制成晶體管；對該掩膜層進行表面刻蝕，該表面刻蝕用于去除該掩膜層表面在刻蝕的過程中形成的電荷積累層；對目標器件進行離子...

本申請提供一種半導體工藝設備及其電極引入裝置，電極引入裝置應用于半導體工藝設備，包括第二支撐組件和電極引入組件，第二支撐組件用于固定在半導體工藝設備中兩個相鄰的加工工位之間，加工工位用于放置晶舟；電極引入組件設置在第二支撐組件上，電極引...

本發明提供一種工藝腔室的潔凈度檢測方法和工藝腔室，工藝腔室包括腔體和至少一個晶振，晶振固定設置在腔體上且晶振具有朝向腔體內部的沉積檢測面，工藝腔室的潔凈度檢測方法包括：檢測晶振的當前固有頻率；根據晶振的當前固有頻率確定對應的腔體內壁上的...

本申請公開了一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備，涉及半導體領域。一種半導體工藝腔室包括：腔體、承載組件和連接組件；承載組件包括多個第一承載件和多個第二承載件，其中一個第一承載件與相鄰的第二承載件相互間隔形成工藝空間，第一承載件設有多個饋...

本申請提供了一種波紋管組件及半導體工藝設備，其中，波紋管組件適用于包括腔室主體和提升機構的半導體工藝設備，其包括波紋管本體和吹掃組件，波紋管本體包括第一連接端和第二連接端，第一連接端密封連接腔室主體，第二連接端密封連接于提升機構的升降臺...

本申請提供一種半導體設備的工藝腔室，包括工藝腔體、基座、防護內襯以及接地裝置；基座可升降地設置于工藝腔體內，用于支撐晶片，防護內襯圍繞工藝腔體的內側壁設置，用于保護工藝腔體的內側壁，接地裝置包括第一連接件、第二連接件和連接彈簧，第一連接...

本發明提供一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備，半導體工藝腔室包括內部具有多個反應區域的外腔體，每一反應區域設有反應腔體、承載裝置和密封組件；反應腔體底端具有開口；承載裝置包括可升降的支撐軸和用于承載晶圓的承載部，支撐軸設在承載部底部，用...

本發明提供了晶圓承載裝置溫度控制方法及半導體工藝設備；其中，該方法包括：當工藝腔室執行工藝任務時，獲取晶圓承載裝置的第一溫度；若第一溫度滿足預設波動條件，控制工藝腔室按照溫度控制模式執行工藝任務；在溫度控制模式中，根據第二溫度、加熱溫度...

本發明提供一種進氣裝置及半導體設備。其中，進氣裝置包括勻流結構和氣體分配結構；勻流結構包括多個環形勻流腔以及與各環形勻流腔對應連通的多個進氣管道；各環形勻流腔在徑向上的外環側面具有均勻分布的多個第一出氣孔；氣體分配結構包括與環形勻流腔同...

本發明提供了溫度檢測方法、加熱功率控制方法及半導體設備；其中，溫度檢測方法包括：獲取當前測溫值和參考支撐叉的當前旋轉位置，并根據當前旋轉位置和支撐叉的數量確定當前光路夾角；根據當前光路夾角和當前測溫值以及當前旋轉位置計算得到溫度修正系數...

本發明提供一種半導體設備，包括腔體、位于腔體內的第一加熱件、第二加熱件和環形的側隔熱壁；腔體包括腔壁、上蓋和下蓋，腔體內用于容置待加熱件；側隔熱壁固定于腔壁的內壁，且圍繞第一加熱件和第二加熱件設置；第一加熱件和第二加熱件沿待加熱件軸向絕...

本發明提供一種承載裝置、工藝腔室及半導體工藝設備，承載裝置包括：承載組件、連接軸、光源和至少一個光動石墨烯，連接軸沿豎直方向延伸，連接軸的頂端與承載組件固定連接；光源用于發出光線；至少一個光動石墨烯固定設置在連接軸的外表面上，至少一個光...