本發明公開一種工藝腔室、載片板機械手和載片板暫存裝置，所述工藝腔室包括腔室本體、升降機構和設于腔室本體內的加熱器，加熱器包括間隔分布的多層加熱板，加熱板用于加熱其承載的攜帶有硅片的載片板；加熱板設有避讓結構；升降機構包括設于腔室本體內的...

本發明公開一種半導體工藝設備，其包括腔室模組(100)、傳輸裝置(200)和控制器，腔室模組(100)包括依次對硅片進行工藝的第一工藝腔室(101)、第二工藝腔室(102)、第三工藝腔室(103)和第四工藝腔室(104)，第四工藝腔室(...

本申請公開一種工藝腔室和半導體工藝設備，工藝腔室中，內襯、承載件和彈性套筒均設置于腔體之內，內襯環繞承載件設置，且內襯的頂端具有沿徑向向內延伸的環形凸緣；腔體的側壁設有傳片口，且內襯與傳片口對應的區域具有開口；承載件與腔體在腔體的軸向上...

本申請公開了一種聚焦環、工藝腔室及半導體工藝設備，涉及半導體領域。一種聚焦環，包括：環本體和扇形的調節件；所述環本體沿自身軸線的一端設有環形表面，所述調節件設于所述環形表面，并在軸線方向上凸出于所述環形表面；所述調節件的圓心角小于180...

本申請公開了一種晶片的傳輸裝置、晶片的暫存機構及半導體工藝設備，涉及光伏、半導體領域。一種晶片的傳輸裝置，包括：第一傳輸機構、多個第二傳輸機構、多個回傳機構和第一移載機構；所述第一傳輸機構用于在第一方向上傳輸晶片；多個所述第二傳輸機構沿...

本申請公開一種半導體清洗設備及其補液裝置，屬于半導體清洗技術領域。補液裝置包括儲液裝置、補液管路、供氣管路、控制裝置和壓力檢測元件，儲液裝置設有出液口和進氣口，補液管路的第一端與出液口連通，補液管路的第二端用于連通工藝槽，供氣管路與進氣...

本技術提供了環形件、晶圓承載基座、承載組件和工藝腔室，涉及半導體加工技術領域，以緩解現有晶圓背面容易被氫氣刻蝕的問題。環形件用于與晶圓承載基座配合，環形件的底部用于與晶圓承載基座對應貼合的軸向延伸周面和徑向延伸端面的總數量大于或等于四個...

本申請公開一種晶圓承載裝置和半導體工藝設備，涉及半導體技術領域。所述晶圓承載裝置用于去除晶圓表面殘留的腐蝕性氣體，所述晶圓承載裝置包括裝置主體、活動門和用于承載晶圓的承載件，所述活動門與所述裝置主體活動連接，所述承載件設置于所述裝置主體...

本申請公開了一種承載舟及半導體工藝設備，涉及光伏、半導體領域。一種承載舟，包括：支撐組件和多個加熱板；所述多個加熱板層疊設置于所述支撐組件，且相鄰兩個所述加熱板之間具有容納空間；所述多個加熱板包括至少一個射頻電極板和至少一個接地電極板，...

本申請涉及一種日志分析方法、日志分析設備及半導體工藝設備，日志分析方法包括：響應于針對至少一種業務場景提供的日志分析指令，從預先構建的多個日志模型中，獲取與各業務場景一一對應的各日志模式，日志模式用于表征多個日志模型中，位于同一業務場景...

本申請公開一種半導體工藝設備及其密封門機構，屬于半導體技術領域。密封門機構用于密封半導體工藝設備的工藝腔室的第一開口，密封門機構包括密封盤、密封件以及隔離墊，密封盤用于封閉工藝腔室的第一開口，隔熱板設置于密封盤的上表面，密封盤與隔熱板之...

本發明提供一種承載裝置，用于在半導體工藝腔室中承載晶圓。承載裝置包括：承載本體，包括用于承載晶圓的承載面，承載本體設置有第一氣體通孔，第一氣體通孔用于將背吹氣體傳輸至承載面與置于承載面上的晶圓之間；堵塞件，堵塞件可相對于承載本體作升降運...

本發明提供一種晶舟結構、半導體熱處理設備及其控制方法。其中，晶舟結構包括：固定支架，具有固定支撐部；調節機構，設置在固定支架上，調節機構具有多個可移動的輔助支撐部，調節機構具有第一狀態和第二狀態，在調節機構處于第一狀態，至少兩個輔助支撐...

本發明公開一種冷卻裝置、冷卻腔室和半導體工藝設備，所公開的冷卻裝置，用于半導體工藝設備，所述冷卻裝置包括支撐架、多個冷卻盤和多個頂針組件，所述多個冷卻盤間隔的設于所述支撐架，所述冷卻盤開設有避讓通孔，所述頂針組件與所述冷卻盤一一對應設置...

本申請公開一種承載組件及其控制方法和半導體工藝設備，承載組件包括基座和至少三個頂持機構，所述基座和至少三個所述頂持機構分別用于支撐待加工件，所述基座設有多個貫穿孔，各所述頂持機構均包括頂持件，且多個所述頂持件可一一對應地穿設于多個所述貫...

本發明提供一種晶圓上光刻膠的去除方法及半導體工藝設備，去除離子注入后的光刻膠的工藝過程中，獲取腔室中特定元素產生的發射光在不同采樣時刻對應的光譜強度；根據相鄰兩個采樣時刻對應的光譜強度，確定各采樣時刻的光譜強度的變化特征量；在當前采樣時...

本技術提供一種托盤組件、承載裝置及半導體工藝設備，托盤組件包括托盤和壓環；壓環壓蓋在托盤上，壓環在托盤的頂面的正投影與托盤的頂面的周向邊緣區域存在重合，壓環的內周面與托盤的上表面共同圍成安裝空間；托盤的上表面上凸出設置有多個支撐凸部，所...

本技術提供一種承載裝置，包括承載本體、限位環體和取片部件，其中，承載本體具有承載面，并設置有相對于承載面下凹的容納結構，承載面具有承載區域和取片區域，承載區域用于承載晶片，取片區域位于承載區域外，容納結構包括相互連通的第一容納槽和第二容...

本技術提供了一種半導體設備的去氣腔室及半導體設備，涉及半導體制造技術領域，為解決相關技術提供的去氣腔室內部的污染物難以清理完全的問題而設計。該去氣腔室包括腔體以及設置在腔體內的介質窗、加熱組件和防護部件；其中，介質窗將腔體內空間分成上下...

本申請公開了一種工藝腔室及半導體處理設備，工藝腔室包括：外腔體，外腔體的底部具有通孔；內腔體，設置于外腔體內，內腔體的底部設有傳遞窗口；承載結構，包括升降軸和加熱基座，加熱基座用于承載和加熱晶圓，升降軸的頂端穿過通孔與加熱基座連接；環形...