本申請公開一種碳化硅的制備方法，所公開的制備方法包括：在制備容器(10)中放入原料(20)依次形成第一原料層(21)和第二原料層(22)；其中，所述原料(20)包括碳粉和硅粉，所述第一原料層(21)包含的所述硅粉和所述碳粉的摩爾比為1....

本發明提供一種冷卻腔室，應用于半導體工藝設備。冷卻腔室包括：腔體；冷卻組件，包括用于冷卻待冷卻件的冷卻部，冷卻部可移動地設置于腔體中，且能夠在避讓位置和工作位置之間切換；其中，在工作位置，冷卻部位于待冷卻件的上方或下方；在避讓位置，冷卻...

本技術提出了一種半導體清洗設備，包括：工藝槽；干燥槽，扣設在工藝槽上；第一支撐結構，可移動地設置在工藝槽內；第二支撐結構，設置在干燥槽內，第二支撐結構包括至少一對相對設置的支撐組件，第二支撐結構具有支撐狀態以及避讓狀態；在第二支撐結構的...

本技術提供一種抽氣組件及工藝腔室，抽氣組件包括設置在腔體內且呈環形的內襯結構和擋板結構，內襯結構環繞基座設置并與腔體的腔壁之間構成抽氣通道；內襯結構的側壁具有多個第一抽氣孔和多個第二抽氣孔；基座位于工藝位時，多個第一抽氣孔位于基座承載面...

本技術提供了一種腔室進氣結構和半導體工藝設備，涉及半導體加工技術領域，以解決微波模塊的微波進入到半導體工藝腔室的問題。腔室進氣結構配置為連接于微波模塊的發生腔與工藝腔室之間，包括自上而下貫穿的通氣孔，通氣孔的軸線包括折線和弧線兩者中的至...

本技術提供一種反應源供給裝置，包括容納部件、載氣輸送部件和勻流分散部件，容納部件用于容納液體反應源，并能夠與半導體設備的反應腔室連通；載氣輸送部件包括載氣輸送主管和與載氣輸送主管分別連通的多個載氣輸送支管，載氣輸送主管用于分別向多個載氣...

本申請屬于半導體工藝設備技術領域，具體涉及一種半導體工藝腔室及其加熱組件。該加熱組件包括第一加熱光源和配光透鏡，第一加熱光源用于加熱晶圓，配光透鏡設于第一加熱光源的出光側并能夠朝向晶圓承載裝置，配光透鏡能夠相對第一加熱光源移動，以靠近或...

本發明實施例提供了一種工藝腔室的壓力控制方法、設備和存儲介質，該方法包括：在工藝腔室的壓力值處于目標壓力區間的第一區間的情況下，進行勻速降壓，在工藝腔室的壓力值處于目標壓力區間的第二區間的情況下，進行勻減速降壓，直至工藝腔室的壓力值進入...

本申請公開一種托盤承載裝置、加載腔室、半導體工藝設備及傳輸方法，其中托盤承載裝置中，基座用于承載托盤，所述托盤用于承載至少一個襯底；所述托盤旋轉機構和所述至少兩個托盤定心機構圍繞所述基座均勻分布設置；所述托盤旋轉機構與所述托盤的邊緣接觸...

本技術提供一種承載機構以及半導體清洗設備。承載機構包括：第一承載裝置、第二承載裝置和控制器；其中，第一承載裝置具有可在清洗槽中升降的第一承載部；第二承載裝置具有可在清洗槽中升降的第二承載部；第一承載部和第二承載部均用于支撐晶圓；第二承載...

本申請公開一種承載舟的檢測電路、故障檢測方法和半導體工藝設備，其中承載舟的檢測電路用于檢測半導體工藝腔室內的承載舟舟頁之間的通斷，半導體工藝腔室能夠容納至少一個承載舟，各個所述承載舟的兩極設有一組射頻輸出端口；所述檢測電路包括分別連接在...

本發明提供一種門體驅動機構、工藝腔室及半導體工藝設備。門體驅動機構，包括：第一驅動裝置、第二驅動裝置和連接部，連接部與第一驅動裝置驅動連接，第一驅動裝置用于驅動連接部沿第一方向移動；在與第一方向相交的第二方向上，連接部相對第一驅動裝置可...

本發明提供了一種補液裝置和半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，為解決補液裝置中液源在進入工藝腔室前分解不完全的問題而設計。補液裝置應用于半導體工藝設備，半導體工藝設備包括點火腔室和工藝腔室，補液裝置包括液源輸入組件和分解器，分解器具有分...

本申請提供了一種晶圓承載裝置及半導體工藝設備，晶圓承載裝置用于在反應腔室中承載晶圓并控制所述晶圓的溫度，包括：托盤，用于承載晶圓；液冷盤，設置在托盤的下方，并通過導流冷卻液以對托盤以及承載于托盤的晶圓進行冷卻；背板，設置在液冷盤的下方，...

本發明提供一種工藝腔室，包括：腔體、設置于腔體內的隔離組件和射頻線圈，射頻線圈用于激發發生腔的氣體產生等離子體，射頻線圈的兩端包括引出段和引入段，引出段和引入段貫穿腔體并伸至腔體外；第一密封組件，連接于引出段和引入段以及腔體，用于密封引...

本發明提供一種門體驅動機構及工藝腔室。門體驅動機構，包括第一驅動裝置和第二驅動裝置，第二驅動裝置包括：第二殼體，第二殼體內設置有容納腔；第二驅動件，第二驅動件沿第二方向可移動地設置在容納腔內，以驅動門體沿第二方向移動；第二連接件，第二連...

本申請公開了一種冷卻裝置及半導體處理設備，冷卻裝置包括至少一個冷卻結構；冷卻結構包括石墨盒，以及用于承載石墨盒的托盤；石墨盒包括：下盒體，設置有至少三個第一通孔；上盒體，蓋合在下盒體上，并與下盒體之間形成一用于容置晶圓的容置空間；當晶圓...

本申請公開了一種射頻饋入裝置及半導體工藝設備，涉及光伏、半導體領域。一種射頻饋入裝置，用于向承載舟饋入射頻功率，所述承載舟包括交替疊置的射頻電極板和接地電極板，所述射頻饋入裝置包括射頻功率分配件、多個射頻饋入件和接地組件；所述射頻功率分...

本申請公開了一種溝槽刻蝕方法及半導體器件，溝槽刻蝕方法包括：在待刻蝕膜層的表面形成多個阻擋層，以形成圖案化掩膜，其中，相鄰的兩個阻擋層具有預設間距，預設間距大于溝槽目標寬度；在阻擋層的頂部附近沉積聚合物薄膜，以使相鄰的兩個聚合物薄膜之間...

本發明提供一種離子能量控制系統以及控制方法，離子能量控制系統用于向偏壓電極輸出預設波形的電壓，離子能量控制系統包括：波形生成電路，波形生成電路生成預設波形的電壓；振蕩抑制電路，波形生成電路的輸出端與振蕩抑制電路的第一端電連接，振蕩抑制電...