本發明公開了一種工藝腔室尾氣管路清潔裝置、方法及半導體工藝設備，該裝置包括：供氣機構，供氣機構被配置為與尾氣管路連通，供氣機構用于：向尾氣管路內通入稀釋氣體和第一工藝氣體，以使第一工藝氣體與沉積在尾氣管路內的副產物反應生成可被稀釋氣體攜...

本發明提供一種加熱器、半導體熱處理設備及定位輔助件，加熱器包括沿豎直方向疊設的多個隔熱支撐環；各隔熱支撐環均包括環形本體及定位件，環形本體頂部及底部分別凸設有第一凸臺和第二凸臺，第一凸臺的外徑小于第二凸臺的內徑。環形本體上方的定位件具有...

本申請公開了一種冷卻控制裝置、端蓋組件及半導體處理設備，冷卻控制裝置包括同軸套設連接的閥管和芯軸；芯軸與閥管之間在兩端分別形成有第一氣腔和第二氣腔；芯軸與閥管之間在周向面上形成有靠近第一氣腔一側的第一環形腔，以及靠近第二氣腔一側的第二環...

本發明提供一種尾氣捕捉裝置以及半導體工藝設備。其中，尾氣捕捉裝置包括處理腔室，處理腔室的腔室壁上開設有第一進氣口、第二進氣口和出氣口；第一進氣口用于與半導體工藝設備的反應腔室的排氣口連通，以使尾氣進入處理腔室內部；尾氣中包含第一反應氣體...

本發明提供一種半導體工藝腔室及藥液噴淋臂的位置檢測方法，半導體工藝腔室包括腔體、藥液噴淋臂和卡盤，藥液噴淋臂和卡盤均設置在腔體中，藥液噴淋臂用于向卡盤承載的晶圓上噴淋藥液，半導體工藝腔室還包括測量結構和多個測距傳感器，測量結構固定設置在...

本申請公開了一種流量控制方法、控制裝置、存儲介質及半導體處理設備，流量控制方法包括：第二開關閥導通，第一開關閥斷開，檢測流量控制器設定為第一當前預設目標流量時氣體管路中預設氣體的第一實際流量；第二開關閥斷開，第一開關閥導通，檢測流量控制...

本發明提供一種射頻阻抗匹配系統以及半導體工藝設備；包括：兩個具有三個端口的定向器和回波吸收器，其中第一定向器和第二定向器的第一端分別用于與第一射頻源和第二射頻源的輸出端電連接，第一射頻源與第二射頻源輸出的射頻入射信號頻率不同；第一定向器...

本發明提供了一種半導體熱處理設備及其溫度控制方法，該設備包括：線圈、腔室、第一溫度傳感器、第二溫度傳感器和溫度控制器；線圈環繞腔室設置并為腔室提供熱場，腔室上設置有相對于中心原點對稱的第一測溫孔和第二測溫孔；第一溫度傳感器用于通過第一測...

本發明涉及等離子體領域，公開了一種檢測裝置及檢測方法、半導體工藝腔室。檢測裝置包括：傳導電流檢測單元，與半導體工藝腔室的聚焦環接觸，用于檢測聚焦環內是否存在傳導電流；以及啟輝狀態確定單元，用于根據傳導電流檢測單元的檢測結果，確定半導體工...

本申請實施例提供了一種工藝腔室及半導體工藝設備、燈管拆裝工具及拆裝方法，其中，所述工藝腔室包括：腔體、燈管、第一支座和第二支座；所述腔體包括間隔設置的第一側板和第二側板，所述第一側板設有第一安裝孔，所述第二側板設有與所述第一安裝孔相對的...

本發明提供一種導電陶瓷加熱基座及其制備方法，制備方法包括將氧化釔粉末、氧化鈦粉末和溶劑進行研磨混合，之后依次經過球料分離和過篩，得到混合漿料；其中，氧化釔粉末與氧化鈦粉末的重量比大于或等于5；對混合漿料進行烘干、造粒，形成造粒粉體混合物...

本申請提供一種半導體清洗設備及其排風裝置，排風裝置包括排風管路和壓力調節機構，其中，排風管路用于與半導體清洗設備的藥液收集機構相連，用于半導體清洗設備排風；壓力調節機構包括阻尼部和驅動部，阻尼部呈板狀，并設置在排風管路中，驅動部固定在排...

本申請公開了一種控制電路和一種半導體工藝設備，屬于半導體技術領域。所述控制電路，用于控制靜電卡盤上加載的吸附電壓，所述控制電路包括電源模塊，電流監檢測單元和控制單元；所述電源模塊用于與所述靜電卡盤的吸附電極連接，所述電流監測單元監測所述...

本發明實施例提供一種用于傳輸物料的方法、半導體工藝設備及存儲介質，屬于半導體技術領域。該方法包括針對待執行任務，基于待傳輸的物料的裝載優先級，生成移動序列集合；以及針對移動序列集合中的任一移動序列，基于移動序列的序列類型和機械手的工作模...

本申請公開一種輸送系統和擴散爐，屬于半導體加工技術領域。輸送系統中，進氣組件沿擴散爐的工藝腔室的軸向延伸，且與工藝腔室連通；進氣組件中，第二進氣管套設于第一進氣管之外，且第二進氣管與第一進氣管之間形成輸送間隙；第一進氣管的出氣端和第二進...

本申請公開一種半導體工藝設備及腔室壓力調節方法，半導體設備包括傳輸腔，與傳輸腔連通的抽氣管路，位于傳輸腔內的多個移動腔以及位于傳輸腔上方、且與各移動腔一一對應的工藝腔；工藝設備還包括：與傳輸腔對應的第一壓力傳感器、與各工藝腔一一對應的第...

本申請公開了一種工藝門移動裝置及半導體工藝設備，涉及半導體制備技術領域，所公開的工藝門移動裝置包括箱體和移動機構，移動機構包括支撐部和移動部，支撐部設置在箱體中，移動部與支撐部滑動連接，箱體的側壁設有缺口，移動部可沿缺口的長度延伸方向移...

本申請公開了一種射頻電源的功率調節方法及半導體工藝設備。其中，該方法包括：在多站位腔室執行工藝配方時，獲取各有晶圓的站位的實際負載功率；獲取與所述工藝配方和各所述有晶圓的站位對應的標準負載功率；根據各所述有晶圓的站位的所述實際負載功率和...

本申請公開一種半導體清洗設備，其中，支撐座安裝于清洗腔內，且支撐座用以支撐待清洗件，輸入管路的一端與清洗液源連通，噴淋頭安裝于輸入管路的另一端，且噴淋頭安裝于清洗腔內；排液組件包括排液缸和排液活塞，排液活塞活動設置于排液缸之內，且排液活...

本申請公開了一種聚焦環、承載裝置及工藝腔室，涉及半導體領域。一種聚焦環，包括聚焦環主體；至少一個第一氣孔，開設在所述聚焦環主體的一端處，至少一個所述第一氣孔用于沿所述聚焦環主體的軸向出氣；至少一個第二氣孔，開設在所述聚焦環主體的內緣處，...