本申請公開一種半導體工藝設備，屬于半導體加工技術領域。所公開的半導體工藝設備包括爐管和爐門，所述爐管的端部設有開口，所述爐門包括內爐門和外爐門，所述內爐門和所述外爐門之間形成第一空腔；在進行工藝時，所述內爐門封堵所述開口，且所述第一空腔...

本發明公開了一種籽晶層的制備方法、金屬互連工藝方法及半導體工藝設備，該籽晶層的制備方法包括：在表面具有通孔和溝槽的襯底上沉積金屬籽晶層，當通孔和溝槽的開口減小至金屬離子無法進入通孔和溝槽內時，停止沉積金屬籽晶層；對襯底表面進行氧化處理，...

本發明公開一種流量檢測方法、流體泵及槽式半導體清洗設備，其中，流量檢測方法應用于流體泵，流體泵包括泵殼以及設于泵殼內的兩個可變容積腔室和閥門裝置；泵殼具有出口和進口；兩個可變容積腔室通過閥門裝置均與出口和進口連通；兩個可變容積腔室交替變...

本申請公開一種半導體工藝設備，屬于半導體加工技術領域，半導體工藝設備包括腔體、門體、進氣管和阻擋組件，其中，門體可與腔體密封連接，且圍成工藝腔，工藝腔用以容納晶舟，進氣管和阻擋組件均設置于腔體之內，且進氣管的開口朝向門體；在腔體的軸向上...

本發明公開一種半導體熱處理設備，所公開的半導體熱處理設備包括工藝內管、工藝外管、安裝座、進氣結構和排氣結構；工藝內管的第一端和工藝內管的第二端均為開口，工藝內管限定的區域形成有反應空間；工藝外管的第一端為開口結構，工藝外管的第二端為封閉...

本申請公開了一種金屬層刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體工藝及裝備領域。一種金屬層刻蝕方法包括：執行第一刻蝕步，向反應腔室內通入第一刻蝕氣體，用以刻蝕所述金屬層，所述金屬層下方設置有氮化物層，且所述氮化物層與所述金屬層相接觸；檢測CN...

本發明提供一種濺射方法，包括以下步驟：S1，向反應腔室中通入工藝氣體；S2，開啟濺射電源，且將加載至靶材的濺射電源的輸出功率調節至第一濺射功率值，以啟輝形成等離子體；S3，將輸出功率按第一預設規則提高至第二濺射功率值，以在基片上沉積薄膜...

本申請公開一種機械手和半導體傳輸設備，所公開的機械手包括機械手本體和吹氣裝置，機械手本體設有承托面和氣體流通空間，承托面可用于承托待承載物，氣體流通空間位于承托于承托面上的待承載物的下方；吹氣裝置設置在機械手本體，吹氣裝置具有吹氣口，吹...

本發明提供一種引線支撐結構及擴散爐，引線支撐結構用于擴散爐，所述引線支撐結構包括：轉接件，用于設置在所述擴散爐的爐體外部并連接在引線與電源線之間，以使所述電源線與所述引線電導通；支撐組件，用于連接所述爐體的外周壁，所述支撐組件與所述轉接...

本公開提供一種排流裝置、晶圓清洗設備及排流裝置的控制方法。排流裝置包括：回收容器；第一流體管路，其一端用于與所述晶圓清洗設備的清洗腔室的排流口連通，另一端與所述回收容器的進流口連通；第二流體管路，其一端用于與所述清洗腔室的排流口連通，另...

本申請公開了一種半導體工藝設備及其日志處理方法和存儲介質。其中，該方法包括：記錄半導體工藝設備的日志數據，所述日志數據中包括工藝參數數據和日志信息；對所述工藝參數數據進行數據分析，得到數據分析結果；對需要顯示的所述日志信息，進行窗口顯示...

本說明書實施例提供了一種脈沖電源的通信控制方法，通過脈沖電源的控制器，監控模數轉換器的目標引腳感應的噪聲信號以及控制模塊的中斷信息，基于監控的噪聲信號得到噪聲信息，并基于噪聲信息和中斷信息，得到噪聲等級，最后基于噪聲等級，配置控制模塊的...

本申請公開了一種晶圓的定位方法及半導體工藝設備，涉及半導體領域。一種晶圓的定位方法，應用于邊緣刻蝕腔室，所述定位方法包括：根據所述晶圓的采樣圓上多個采樣點的刻蝕速率，獲取當前的刻蝕均勻性參數值，并確定欲糾偏方向；根據刻蝕均勻性參數目標值...

本發明提供了真空規調零方法及半導體設備；其中，該方法包括：當半導體設備獲取到工藝任務時，若根據真空規的調零標識信息和預設標識信息判斷真空規需要調零，則獲取觀測值集合和參考值集合，并根據觀測值集合和參考值集合生成真空規的調零曲線，以便基于...

本發明提供一種位置校準裝置及半導體工藝設備，位置校準裝置包括設置于半導體工藝設備的工藝腔室內的第一光幕組件；第一光幕組件包括位于第一平面的第一光幕發射端、第一光幕接收端、第二光幕發射端和第二光幕接收端，第一光幕發射端用于向工藝腔室內的工...

本發明提供一種半導體熱處理設備及其工藝腔室。工藝腔室包括加熱件和介質窗，加熱件設置于介質窗的外側，用于透過介質窗向介質窗的內側輻射光波；其中，介質窗上沿其厚度方向依次設置有增反膜和增透膜，增反膜用于增加波長位于第一波長范圍內的第一光波的...

本申請公開一種工藝舟和半導體工藝設備，工藝舟包括頂板、底板和承載部，所述承載部的一端固定連接于所述頂板，所述承載部的另一端固定連接于所述底板；所述承載部的一側連接有承載臺，所述承載臺的上表面包括避讓面和承載面，所述承載面用以承載晶圓，且...

本申請公開一種半導體載具和真空負載腔室，半導體載具包括支撐組件，所述支撐組件包括多個沿晶圓的周向間隔設置的支撐件，各所述支撐件均包括換熱板和承托部，各所述換熱板可安裝于腔體，且各所述承托部均凸出設置于所述換熱板的一側表面，多個所述承托部...

本申請提供了一種上電極裝置及磁控濺射設備，上電極裝置包括磁控部件、冷卻腔、套筒組件、空心軸以及驅動機構，冷卻腔的底部固定設置有靶材組件，磁控部件設置在冷卻腔中；空心軸部分穿入冷卻腔中，空心軸內部設有介質通道，介質通道用于向冷卻腔內輸送冷...

本申請公開了一種法拉第筒組件及工藝腔室，法拉第筒組件包括：第一筒件，設置于所述工藝腔室內的上部；第二筒件，設置于所述工藝腔室內的下部，并與所述第一筒件間隔設置，以至少暴露所述線圈的一部分。本申請的法拉第筒組件通過采用第一筒件和第二筒件分...