本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種上電極組件及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述上電極組件包括：中心電極、邊緣電極、第一驅(qū)動(dòng)裝置和第二驅(qū)動(dòng)裝置；邊緣電極套設(shè)于中心電極外，第一驅(qū)動(dòng)裝置與中心電極驅(qū)動(dòng)連接，以驅(qū)動(dòng)中心電極升降，第二驅(qū)動(dòng)裝...

本發(fā)明提供一種負(fù)載鎖定組件及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，負(fù)載鎖定組件，用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括：負(fù)載鎖定腔室；預(yù)調(diào)壓腔室；控制閥，控制閥連接在負(fù)載鎖定腔室與預(yù)調(diào)壓腔室之間；在控制閥的關(guān)閉狀態(tài)，預(yù)調(diào)壓腔室內(nèi)部預(yù)先調(diào)節(jié)至與負(fù)載鎖定腔室不同的氣壓狀態(tài)，形...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種多晶硅的回刻蝕方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。其中，該方法包括：在腔室內(nèi)通入混合氣體，以使刻蝕量對(duì)溫度的敏感系數(shù)位于設(shè)定范圍內(nèi)；獲取靜電卡盤(pán)各子區(qū)域的目標(biāo)刻蝕量和刻蝕量對(duì)溫度的敏感系數(shù)；根據(jù)子區(qū)域的目標(biāo)刻蝕量和與混合氣體對(duì)應(yīng)的刻蝕...

本發(fā)明提供一種內(nèi)襯，包括內(nèi)襯本體和設(shè)置于內(nèi)襯本體的至少一個(gè)接地結(jié)構(gòu)，接地結(jié)構(gòu)包括接地主體、連接部和接地部，其中，接地主體呈條狀，且與內(nèi)襯本體的下端間隔設(shè)置，接地主體在其延伸方向上的至少一端設(shè)置有連接部，連接部與內(nèi)襯本體的下端連接，且電導(dǎo)...

本發(fā)明提供了一種工藝控制方法及半導(dǎo)體熱處理設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該工藝控制方法包括：在工藝過(guò)程中，監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體熱處理設(shè)備中的晶片質(zhì)量，計(jì)算晶片質(zhì)量的變化速率；當(dāng)變化速率不為零時(shí)，基于變化速率控制半導(dǎo)體熱處理設(shè)備的磁流體轉(zhuǎn)速、進(jìn)氣速率和...

本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括腔室模組、傳輸裝置和控制器，腔室模組包括多個(gè)工藝腔室，多個(gè)工藝腔室包括第一工藝腔室、第二工藝腔室、第三工藝腔室以及第四工藝腔室，且腔室模組包括多個(gè)堆棧式腔室結(jié)構(gòu)，其中一個(gè)堆棧式腔室結(jié)構(gòu)包括第一工藝腔室或...

本發(fā)明提供一種排風(fēng)管道清洗裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，該裝置包括安裝基體、調(diào)節(jié)主體和鎖緊組件，其中，安裝基體能夠在使用時(shí)安裝于排風(fēng)管道；調(diào)節(jié)主體能夠伸入排風(fēng)管道中，且具有用于輸送清洗流體的進(jìn)流通道，進(jìn)流通道的出流口用于與排風(fēng)管道內(nèi)部連通；鎖緊...

本技術(shù)提供一種支撐裝置、半導(dǎo)體腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該支撐裝置包括基座和固設(shè)于基座的支撐件，支撐件具有斷開(kāi)口，斷開(kāi)口被配置為供機(jī)械手傳送晶圓；支撐件朝向基座中部的內(nèi)側(cè)具有支撐面，支撐面圍成的輪廓面為環(huán)狀弧面且其直徑自...

本技術(shù)提供一種聚焦環(huán)組件、下電極結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體設(shè)備，聚焦環(huán)組件包括聚焦環(huán)主體和環(huán)狀電極，聚焦環(huán)主體能夠設(shè)置在用于承載晶圓的承載部件上，并能夠環(huán)繞所述承載部件的用于承載所述晶圓的承載面設(shè)置，所述聚焦環(huán)主體的底部設(shè)置有呈環(huán)狀的容置槽；環(huán)狀電極...

本申請(qǐng)公開(kāi)一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其包括基體、底座、加熱組件和測(cè)溫件，基體和加熱組件均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)件，底座連接于基體的一端端部，基體的內(nèi)表面和外表面之間夾設(shè)有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的容納槽，且容納槽設(shè)有位于基體朝向底座的一端的端口，加熱組件可自端口安裝于容...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種輸氣裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種輸氣裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，所述輸氣裝置包括：進(jìn)氣總管、多個(gè)第一進(jìn)氣支管、多個(gè)進(jìn)氣嘴和第一流量比例控制元件；所述進(jìn)氣總管與所述第一流量比例控制元件的進(jìn)...

本技術(shù)提供了一種晶圓承載裝置和半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，以解決第二托盤(pán)轉(zhuǎn)速不易檢測(cè)的問(wèn)題。晶圓承載裝置包括：第一托盤(pán)；以及第二托盤(pán)，多個(gè)第二托盤(pán)分別轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置于第一托盤(pán)，第二托盤(pán)的邊緣具有顏色不同的第一顏色區(qū)和第二顏色區(qū)，第...

本申請(qǐng)公開(kāi)一種內(nèi)襯及工藝腔室，涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，所公開(kāi)的內(nèi)襯的側(cè)壁設(shè)有傳片口，傳片口包括相互連通的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二區(qū)域沿內(nèi)襯的軸向凸出于第一區(qū)域，沿內(nèi)襯的周向，第一區(qū)域的尺寸與第二區(qū)域的尺寸之間的比值范圍為2∶1?3∶1。...

本申請(qǐng)公開(kāi)一種傳片裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。傳片裝置包括承載件、擋件和驅(qū)動(dòng)件，承載件設(shè)有用于承載晶圓的承載面，且承載件設(shè)有阻擋結(jié)構(gòu)，阻擋結(jié)構(gòu)凸起于承載面，驅(qū)動(dòng)件與擋件相連，且擋件與阻擋結(jié)構(gòu)相對(duì)，驅(qū)動(dòng)件可驅(qū)動(dòng)擋件相對(duì)于承載...

本技術(shù)提供一種用于焊接承載裝置的定位工裝、焊接工裝及承載裝置。定位工裝包括：轉(zhuǎn)動(dòng)座，繞第一軸線(xiàn)可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置，轉(zhuǎn)動(dòng)座具有第一容納腔和第一定位結(jié)構(gòu)，第一容納腔用于容納靜電卡盤(pán)，第一定位結(jié)構(gòu)用于與靜電卡盤(pán)在徑向上定位配合，以使靜電卡盤(pán)的軸線(xiàn)與...

本發(fā)明公開(kāi)一種傳輸裝置的控制方法，傳輸裝置包括硅片機(jī)械手、載片板暫存裝置和載片板；硅片機(jī)械手包括N個(gè)間隔分布的第一機(jī)械手指；載片板暫存裝置用于承載成組的載片板，每組載片板包括M個(gè)在載片板暫存裝置承載方向上間隔分布的載片板，每個(gè)載片板設(shè)有...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，工藝腔室包括：腔室本體，其頂部設(shè)有開(kāi)口；上電極組件，包括封蓋在開(kāi)口處的上電極蓋板，以及設(shè)置于上電極蓋板的底面的電極組件，電極組件與腔室本體的側(cè)壁之間設(shè)有環(huán)形間隙；阻抗環(huán)組件，套設(shè)在電極組件的外側(cè)...

本申請(qǐng)公開(kāi)一種接地組件和半導(dǎo)體工藝腔室，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。接地組件用于半導(dǎo)體工藝腔室，該接地組件包括：導(dǎo)電套筒，設(shè)置在所述導(dǎo)電套筒內(nèi)的彈性組件，第二導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電套筒和所述第二導(dǎo)電柱中的一個(gè)用于電連接所述半導(dǎo)體工藝腔室的內(nèi)部件，另一...

本技術(shù)提供一種溫度調(diào)節(jié)裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。溫度調(diào)節(jié)裝置包括：保溫結(jié)構(gòu)，所述保溫結(jié)構(gòu)用于套設(shè)在所述反應(yīng)腔室與所述點(diǎn)火腔室間的管路結(jié)構(gòu)上；加熱組件，所述加熱組件設(shè)置在所述保溫結(jié)構(gòu)內(nèi)部，用于對(duì)所述管路結(jié)構(gòu)加熱；檢測(cè)裝置，所述檢測(cè)裝置用于檢測(cè)...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及光伏、半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括：承載舟和射頻隔離裝置；所述承載舟包括分別作為射頻電極板或接地電極板的多個(gè)加熱板，所述加熱板設(shè)有加熱件，所述加熱件的一端相對(duì)于所述加熱板引出，所述加熱件包括金...