本說明書實施例提供了一種調度方法，該方法以目標物料集合中的多個待調度晶圓為對象，進行晶圓優先級順序的確定，并基于待調度晶圓的優先級順序，將下一個待調度晶圓加入調度并出片，以保障出片連續，降低了半導體工藝設備中出現空閑設備模塊的概率，提升...

本技術提供一種升降裝置及半導體工藝設備，升降裝置包括傳動件、伸縮缸及傳動軸，伸縮缸的伸縮桿沿豎直方向延伸，伸縮桿的傳動端通過浮動接頭與傳動件連接；伸縮桿沿豎直方向平移時能夠帶動傳動件上升或下降，且伸縮桿的傳動端可相對于傳動件沿預設水平方...

本技術提供一種工藝門驅動機構及熱處理設備，工藝門驅動機構包括支撐臂、旋轉臂、連接件及剛性止轉部，連接件與支撐臂的一端通過第一轉動副連接，旋轉臂的一端與工藝門固定連接、另一端通過第二轉動副與連接件連接；第一轉動副和第二轉動副中的一者為水平...

本申請提供一種半導體工藝設備及其承載裝置，承載裝置包括本體和分布于本體中的氣體通道，氣體通道包括散熱氣道和輸送通道，散熱氣道設置于本體的承載面上，輸送通道向散熱氣道輸送散熱氣體；散熱氣道包括多個長度相同的子氣道，子氣道的端部相連形成多個...

本技術公開一種托架及半導體工藝設備，所公開的托架包括托架本體(10)和本體支撐結構(20)，所述托架本體(10)用于支撐承載舟(30)，所述本體支撐結構(20)與所述托架本體(10)相連，所述本體支撐結構(20)用于支撐所述托架本體(1...

本申請提供一種半導體工藝設備及其下電極組件，下電極組件包括熱包括熱邊緣環和聚焦環，其中，聚焦環具有沿內圈設置的支撐槽，支撐槽的槽底用于支撐晶圓，熱邊緣環位于聚焦環的下方，熱邊緣環的環寬與支撐槽的槽底和槽口在聚焦環軸向上的間距之比大于等于...

本申請實施例提供了一種反射裝置及半導體工藝設備，其中，所述反射裝置包括筒體、蓋體和法蘭；筒體的內壁設有反射面，筒體的外壁沿筒體的高度方向間隔設置有第一凸環和第二凸環，第二凸環位于第一凸環上方，蓋體套設于第一凸環和第二凸環外，蓋體、第一凸...

本申請公開了一種進氣組件、半導體工藝腔室及半導體工藝設備，進氣組件包括：蓋板，設有進氣口，所述進氣口用于與微波發生腔連通；過濾件，設置在所述蓋板遠離所述微波發生腔的一側，所述過濾件包括第一區域，所述進氣口在所述過濾件上的投影落入所述第一...

本技術公開一種加熱裝置和半導體工藝設備，所公開的加熱裝置包括第一保溫部、第二保溫部和加熱組件；所述第一保溫部為筒狀結構件，所述第二保溫部與所述第一保溫部的端部連接，以圍成一端開口的加熱內腔，所述加熱組件包括第一加熱件和第二加熱件，所述第...

本技術提供了一種高度測量裝置和半導體工藝設備，涉及半導體加工技術領域，以解決測量工藝管內壁頂部塌陷不便的問題。高度測量裝置包括測量模塊和驅動模塊，測量模塊包括顯示組件和向上伸出的測量桿組件，測量桿組件的頂端能夠與工藝管的內壁頂部接觸，所...

本技術提供一種調節裝置、紅外測溫裝置以及半導體工藝設備。其中，調節裝置包括第一調節機構和第二調節機構；第二調節機構設置在第一調節機構上，第二調節機構用于安裝紅外測溫儀；第一調節機構用于使第二調節機構繞第一軸線運動，以調節紅外測溫儀在第一...

本技術提供一種復合坩堝以及晶體生長設備，其中，復合坩堝包括石墨坩堝主體和鉭箔層；石墨坩堝主體包括底壁和側壁，側壁的下緣與底壁的邊緣密封連接，以與底壁共同圍成一個用于進行晶體生長工藝的生長腔體；鉭箔層，包括至少一層鉭箔片；至少一層鉭箔片覆...

本技術提供一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備，半導體工藝腔室包括腔室本體、介質窗、射頻線圈、第一測距部件和調節組件，介質窗設置在腔室本體的頂部；射頻線圈設置在腔室本體外，并位于介質窗的上方；第一測距部件與射頻線圈配合并朝向介質窗設置，用...

本發明提供了晶圓刻蝕方法及半導體工藝設備；其中，該方法包括：在晶圓進入工藝腔室之前，在聚焦環上沉積預設厚度的第一含碳層；控制晶圓進入工藝腔室，對光阻層下方的膜層進行刻蝕，以將光阻層的圖形傳遞到下方膜層。上述刻蝕方式中，在不更改半導體工藝...

本申請公開了一種物料調度的監測方法及半導體工藝設備。其中，該方法包括：接收被監測設備在完成針對一物料的工藝動作后發出的通知；其中，通知至少攜帶：物料的標識信息，執行工藝動作的腔體的標識及工藝動作的完成時間；基于通知，更新與執行工藝動作的...

本申請提供一種承載舟及傳輸裝置，傳輸裝置用于傳輸多個承載舟，包括安裝主體、抓取機構以及驅動機構；其中，抓取機構的數量為兩個，二者均與安裝主體可轉動地連接，兩個抓取機構分別位于承載舟相背的兩個側面兩側，每個抓取機構均包括至少一個抓取部，各...

本申請公開了一種工藝腔室的清洗方法及半導體工藝設備，清洗方法包括：第一含硅的副產物和含硅?金屬的混合副產物清洗步驟，向工藝腔室通入第一含氟氣體和第一含氯氣體的混合清洗氣體，以清除所示第一含硅的副產物和含硅?金屬的混合副產物，其中，第一含...

本發明提供了溫度控制系統、方法及半導體清洗設備；其中，該系統包括：第一溫度傳感器檢測工藝槽體內藥液的第一溫度，第二溫度傳感器檢測加熱完成的藥液的第二溫度；控制模塊用于當第二溫度小于第二目標溫度時，生成第二控制信號，此時控制回路根據第二控...

本申請公開了一種時間預測方法及半導體工藝設備。其中，該方法包括：獲得當前實時狀態下調度任務中每個晶圓的剩余加工總時間；獲得當前實時狀態下調度任務中每個處理模塊的必要空閑時間；根據所述每個晶圓的剩余加工總時間和所述每個處理模塊的必要空閑時...

本申請公開了一種半導體腔室，涉及半導體領域。一種半導體腔室，包括腔體、承載裝置、內襯裝置、第一線圈組件和加熱裝置；所述承載裝置、所述內襯裝置及所述加熱裝置均設于所述腔體內；所述第一線圈組件用于在所述腔體內產生等離子體；所述內襯裝置圍設于...