本發(fā)明公開一種晶體封裝結(jié)構(gòu)及采用其的晶體振蕩器，包括上蓋和底板，所述上蓋的下端與所述底板的上表面連接；所述上蓋靠近所述底板的一端設(shè)有開口；在與所述底板平行的方向上，所述上蓋遠(yuǎn)離所述底板的一端的橫截面積大于所述上蓋靠近所述底板的一端的橫截...

本發(fā)明公開了一種小型化SMD晶體振蕩器，涉及電子元器件領(lǐng)域，包括外殼和設(shè)于所述外殼內(nèi)的石英晶體，所述外殼內(nèi)還設(shè)有控制電路板和轉(zhuǎn)接電路板，所述外殼的底部設(shè)有底板，所述底板與所述外殼相連，所述底板上設(shè)有長(zhǎng)引腳和短引腳，所述長(zhǎng)引腳與所述轉(zhuǎn)接電...

本發(fā)明創(chuàng)造涉及晶體振蕩器領(lǐng)域，特別是一種表貼式晶體振蕩器，晶體振蕩器的外殼罩住振蕩電路、引線端子并蓋在PCB底板上，外殼的內(nèi)壁和外壁均用耐高溫粘接材料與PCB底板粘接形成氣密腔體，在二次回流時(shí)PCB底板通過外殼內(nèi)外兩邊的耐高溫粘接材料同...

本發(fā)明公開了一種恒溫晶體振蕩器裝置、設(shè)備及其頻率補(bǔ)償方法，該裝置包括：恒溫槽和微控制器，設(shè)置在恒溫槽中的恒溫晶體振蕩器，還包括電流檢測(cè)單元，其中：所述電流檢測(cè)單元與所述恒溫晶體振蕩器相連，用于獲取恒溫晶體振蕩器的工作電流值，并提供給所述...

本發(fā)明提供一種提高數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出精度的方法和裝置。所述方法包括：根據(jù)數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出精度和輸入誤差，計(jì)算數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出誤差；獲取至少一個(gè)所述輸出誤差，與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較；根據(jù)比較結(jié)果對(duì)數(shù)模轉(zhuǎn)換器的整型輸入值進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明通過計(jì)算輸...

本發(fā)明公開一種晶體振蕩器，包括補(bǔ)償電路、晶片和基座，還包括封裝腔體，所述晶片設(shè)置在所述封裝腔體內(nèi)；所述封裝腔體的下表面與所述基座貼合，所述封裝腔體的上表面與所述補(bǔ)償電路貼合；所述晶片與所述基座電氣連接；所述補(bǔ)償電路與所述基座電氣連接。本...

本發(fā)明公開主時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)的相差測(cè)量方法及裝置和校準(zhǔn)方法及裝置，包括：根據(jù)精確時(shí)鐘同步協(xié)議，在每個(gè)主時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)中建立至少一個(gè)主節(jié)點(diǎn)和至少一個(gè)從節(jié)點(diǎn)；所述主時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)包括第一主時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)和至少一個(gè)第二主時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)；獲取第一主時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)的第一主節(jié)點(diǎn)與第一主...

本發(fā)明公開了一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：測(cè)試模塊，包括可調(diào)電容模塊、可調(diào)電阻模塊和可調(diào)電源；連接裝夾單元，輸入端分別連接可調(diào)電容模塊、可調(diào)電阻模塊和可調(diào)電源的輸出端，輸出端用于連接待調(diào)試晶體振蕩器的調(diào)試位；頻率計(jì)，用于與待調(diào)...

本發(fā)明公開了一種時(shí)鐘參考無縫切換的方法及裝置，涉及通信領(lǐng)域。所述無縫切換的方法包括以下步驟：獲取多個(gè)參考源的時(shí)鐘優(yōu)先級(jí)；根據(jù)所述時(shí)鐘優(yōu)先級(jí)選出一個(gè)最優(yōu)參考源和至少一個(gè)輔助參考源；計(jì)算所述最優(yōu)參考源與所述輔助參考源的相位差；提供第一鎖相環(huán)...

本發(fā)明公開一種時(shí)鐘同步方法及裝置，包括：根據(jù)IEEE1588協(xié)議，在第一時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)中建立第一主節(jié)點(diǎn)和若干第一從節(jié)點(diǎn)，在若干第二時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)的每個(gè)第二時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)中建立第二主節(jié)點(diǎn)和第二從節(jié)點(diǎn)；每個(gè)第二時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)的第二主節(jié)點(diǎn)均與第一時(shí)鐘節(jié)點(diǎn)的一個(gè)第一從...

本發(fā)明公開一種時(shí)鐘設(shè)備自動(dòng)選擇參考源的方法和時(shí)鐘設(shè)備。所述方法包括：獲取至少兩個(gè)時(shí)鐘端口的參考源；所述時(shí)鐘端口包括頻率輸入端口和/或PTP端口；將所述頻率輸入端口轉(zhuǎn)換為虛擬PTP端口；根據(jù)最佳主時(shí)鐘算法，在所述PTP端口和所述虛擬PTP...

本實(shí)用新型屬于石英晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種直接測(cè)溫式恒溫晶體振蕩器。本實(shí)用新型所述的直接測(cè)溫式恒溫晶體振蕩器不需要在晶體振蕩器內(nèi)部裝配晶片測(cè)溫的額外部件，而是將測(cè)溫器件設(shè)置在晶片的表面上以對(duì)晶片本身的溫度直接測(cè)溫，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片...

本實(shí)用新型屬于石英晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種直接加熱式恒溫晶體振蕩器。本實(shí)用新型在晶片的表面設(shè)置有導(dǎo)線，導(dǎo)線的兩端各連接一個(gè)支撐柱位于安裝空間內(nèi)部的一端，支撐柱位于安裝空間外部的一端連接晶體引腳，由此，通過支撐柱和晶體引腳將晶片表...

本發(fā)明屬于石英晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種直接測(cè)溫式恒溫晶體振蕩器。本發(fā)明所述的直接測(cè)溫式恒溫晶體振蕩器不需要在晶體振蕩器內(nèi)部裝配晶片測(cè)溫的額外部件，而是將測(cè)溫器件設(shè)置在晶片的表面上以對(duì)晶片本身的溫度直接測(cè)溫，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片本身的精...

本發(fā)明屬于石英晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種直接加熱式恒溫晶體振蕩器。本發(fā)明在晶片的表面設(shè)置有導(dǎo)線，導(dǎo)線的兩端各連接一個(gè)支撐柱位于安裝空間內(nèi)部的一端，支撐柱位于安裝空間外部的一端連接晶體引腳，由此，通過支撐柱和晶體引腳將晶片表面的導(dǎo)線...

本實(shí)用新型涉及晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種表貼晶體及包含該表貼晶體的恒溫晶體振蕩器。本實(shí)用新型所述的恒溫晶體振蕩器，包括PCB板，所述PCB板的一側(cè)設(shè)置有發(fā)熱器件，所述PCB板的另一側(cè)對(duì)應(yīng)于所述發(fā)熱器件處設(shè)置有表貼晶體，所述表貼晶體...

本發(fā)明涉及晶體振蕩器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種表貼晶體及包含其的恒溫晶體振蕩器。本發(fā)明所述的恒溫晶體振蕩器，包括PCB板，所述PCB板的一側(cè)設(shè)置有發(fā)熱器件，所述PCB板的另一側(cè)對(duì)應(yīng)于所述發(fā)熱器件處設(shè)置有表貼晶體，所述表貼晶體包括陶瓷基座，所...

本發(fā)明公開一種晶體振蕩器的控溫方法，在基板上設(shè)置隔熱區(qū)，使所述隔熱區(qū)位于所述晶體的周部和下方的至少一側(cè)，減少所述晶體與所述基板的熱量傳導(dǎo)。另外，本方案還公開一種晶體振蕩器，及該晶體振蕩器的制造方法：確定晶體位置、確定隔熱槽位置、開設(shè)隔熱...

本發(fā)明公開一種晶體振蕩器的封槽方法及晶體振蕩器，其中晶體振蕩器的封槽方法包括以下步驟：步驟S100.提供加熱槽體和加熱槽蓋，并于所述加熱槽體內(nèi)設(shè)置晶體元件；步驟S200.使所述加熱槽體與所述加熱槽蓋通過粘合劑結(jié)合，形成封裝空間，并留有所...