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    聯和存儲科技江蘇有限公司專利技術

    聯和存儲科技江蘇有限公司共有74項專利

    • 本發明公開一種存儲器的信息存儲方法、裝置、存儲器和存儲介質,該存儲器的信息存儲方法包括:在目標字線中寫入目標參數數據;將與目標字線相鄰的兩組相鄰字線保持擦除狀態;在其余字線中寫入目標參數數據,其余字線為目標字線以及兩組相鄰字線之外的字線...
    • 本申請公開了存儲芯片的信息管理系統,包括:至少一個信息采集模組,各個所述信息采集模組分別部署于對應的測試位置,用于對待測試芯片表面的身份識別碼進行信息采集,以得到采集數據;至少一個測試模組,各個所述測試模組分別設置有對應的所述信息采集模...
    • 本申請提供一種SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法及測試設備,該SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法包括:根據用戶輸入的讀取數據、寫入數據和擦除數據的測試指令,按初始頻率對SPI?NAND?FLASH存儲芯片執行相應...
    • 本申請實施例提供的基于AI模型的數據處理方法、芯片架構和智能終端,涉及AI技術領域。基于AI模型的數據處理方法,用于芯片架構,芯片架構包括:計算芯片、閃存和運行內存;閃存中存儲有AI模型,基于AI模型的數據處理方法包括:在目標觸發事件發...
    • 本發明公開一種存儲器的擦除控制方法、裝置和存儲介質,該存儲器的擦除控制方法包括:根據Nand?flash存儲器的P/E循環次數,確定當前Nand?flash存儲器的當前次數階段;基于當前次數階段,為存儲單元配置對應的柵極偏置電壓,柵極偏...
    • 本發明公開一種NAND?FLASH的自動化測試方法、裝置、系統和主機,方法包括:與NAND?FLASH建立SPI協議通信;根據用戶輸入的寫數據自動測試指令,從本地提取預先存儲的預設數據寫入NAND?FLASH,并讀取NAND?FLASH...
    • 本發明公開一種芯片的存儲管理方法和系統,方法包括:掃描芯片的身份標簽,獲取芯片的身份信息;根據芯片的身份信息為芯片分配存儲空間,并控制存儲空間打開;若確定芯片存入存儲空間內,且檢測到存儲空間關閉,則將芯片的身份信息與存儲空間關聯,得到關...
    • 本發明公開一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質,方法包括:根據擦除指令,獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元;對編程閃存單元進行抑制處理和對擦除閃存單元進行預編程處理,得到處理后的待擦除存儲塊;對處理后的待擦除...
    • 本發明公開一種NAND?FLASH編程電壓的控制方法、裝置和存儲介質,方法包括:根據NAND?FLASH編程指令獲取預設上升電壓譯碼;接收電荷泵根據預設上升電壓譯碼產生的上升階梯電壓;根據上升階梯電壓將NAND?FLASH的初始電壓階梯...
    • 本發明公開一種基于SPI協議的NAND?FLASH檢測方法、系統、裝置和主機,方法包括:檢測設備與NAND?FLASH建立SPI協議通信;掃描NAND?FLASH的各存儲塊,得到各存儲塊的掃描結果;檢測各存儲塊的擦寫次數,得到各存儲塊的...
    • 本發明公開一種NAND?FLASH壽命的快速測試方法、系統、裝置和主機,方法包括:測試設備擦除測試塊的原始數據,并將測試數據寫入測試塊;讀取測試塊得到讀取數據,并判斷讀取數據是否與測試數據一致;若讀取數據與測試數據一致,則跳過預設時間間...
    • 本發明公開一種NAND?FLASH讀取功能的測試方法、系統、裝置和主機,方法包括:NAND?FLASH根據讀取功能測試指令,將各端口的讀取數據發送至本地的奇偶校驗模塊;控制奇偶校驗模塊根據各端口的讀取數據生成待驗證讀取數據;將待驗證讀取...
    • 本發明公開一種NAND?FLASH壞塊的管理方法、系統、裝置和閃存,方法包括:根據各邏輯地址獲取對應的存儲塊;判斷存儲塊是否為壞塊,其中,壞塊為存儲功能不良的存儲塊;若存儲塊為非壞塊,則維持存儲塊的邏輯地址不變;若存儲塊為壞塊,則將壞塊...
    • 本申請公開一種高帶寬的閃存芯片、存儲器及數據讀取方法,其中高帶寬的閃存芯片包括呈陣列分布的N個閃存模塊,N個閃存模塊用于存儲數據,任一閃存模塊包括閃存單元、地址解碼器、數據寄存器以及IO接口組,閃存單元用于在讀取模式下輸出數據以及編程模...
    • 本發明公開一種NAND?FLASH控制器的糾錯方法、裝置和閃存,方法包括:控制器接收預設數據,并判斷存儲模塊的當前擦寫次數與T1和T2的關系;若當前擦寫次數小于T1,則控制第一糾錯模塊對預設數據進行糾錯編碼,得到第一編碼預設數據;若當前...
    • 本技術公開一種存儲芯片功耗測試裝置,其包括承載裝置、電源、功耗檢測器件、主控制器和上位機;承載裝置承載待測試存儲芯片,具有至少兩個接口分別電連接不同類型的待測試存儲芯片;電源為承載于承載裝置上的待測試存儲芯片供電,功耗檢測器件用于檢測承...
    • 本申請實施例提供一種數據處理方法、芯片、存儲介質和計算機程序產品,涉及數據處理技術領域。所述方法,應用于對NAND閃存進行管理的文件系統,該方法包括:獲取寫入指令;基于實時任務場景和/或待存儲數據的數據特性動態確定當前工作模式;當前工作...
    • 本技術公開一種閃存存儲器標記裝置,包括單片機,所述單片機包括檢測模塊和標記模塊,所述檢測模塊與待測閃存存儲器電連接,用于檢測所述待測閃存存儲器中出現位翻轉現象的塊;所述標記模塊與所述檢測模塊以及所述待測閃存存儲器電連接,所述標記模塊可對...
    • 本技術公開一種SPI芯片時序的測試系統,所述測試系統包括:上位機;通信模塊,所述通信模塊與所述上位機以及待測SPI芯片電連接;時鐘同步模塊,與所述通信模塊以及所述待測SPI芯片電連接,用于控制所述通信模塊與所述待測SPI芯片時鐘同步。本...
    • 本技術公開一種Nand?flash存儲器測試裝置,包括:若干個不同型號的SoC平臺,所述SoC平臺配置有動態隨機存取存儲器,所述SoC平臺均與待測閃存存儲器電連接,以測試待測閃存存儲器在若干個所述SoC平臺上的兼容性;單片機,所述單片機...
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