用于提供產(chǎn)品信息的設(shè)備和方法技術(shù)

一種傳感器系統(tǒng)包括標(biāo)簽。標(biāo)簽包括至少一個射頻芯片和第一天線。芯片包括存儲器元件和輸出端子，存儲器元件包括二進(jìn)制編碼的包括至少一個位的詞的電存儲。標(biāo)簽還包括至少一個導(dǎo)電聚合物體系，所述導(dǎo)電聚合物體系設(shè)置成與芯片的至少一個輸出端子電連通并且適于與所述導(dǎo)電聚合物體系的環(huán)境的預(yù)定變化相關(guān)聯(lián)地改變電狀態(tài)。第一天線設(shè)置成與芯片的一個或多個輸出端子和導(dǎo)電聚合物體系電連通。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及用于確定關(guān)于產(chǎn)品的信息的系統(tǒng)和方法。本專利技術(shù)尤其涉及對產(chǎn)品信息的遠(yuǎn)程咨詢和所獲信息的后續(xù)使用。
技術(shù)介紹
具有按物品的消耗量限定的使用壽命的消費(fèi)品是人們所熟知的。使用壽命可被看作是與物品的有效量的至少一部分的消耗相關(guān)聯(lián)的一個或多個事件。可存在與物品的使用環(huán)境和/或使用過的物品和剩余可用物品的數(shù)量相關(guān)聯(lián)的信息，但所述信息一般來講也可能是典型的物品消費(fèi)者所不可觸及的。需要一種用于以如下方式來提取產(chǎn)品相關(guān)信息的系統(tǒng)和方法，所述方式使得所述信息易于被消費(fèi)者觸及和使用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
在一個方面,一種傳感器系統(tǒng)包括標(biāo)簽。標(biāo)簽包括至少一個射頻芯片和第一天線。芯片可為有源芯片或無源芯片。芯片包括存儲器元件和輸出端子，存儲器元件包括二進(jìn)制編碼的包括至少一個位的詞的電存儲。標(biāo)簽還包括至少一個導(dǎo)電聚合物體系，所述體系設(shè)置成與芯片的至少一個輸出端子電連通并且適于與所述導(dǎo)電聚合物體系的環(huán)境的預(yù)定變化相關(guān)聯(lián)地改變電狀態(tài)。第一天線設(shè)置在電路中，所述電路也包括芯片和導(dǎo)電聚合物體系。在一個方面，一種確定產(chǎn)品信息的方法包括以下步驟:提供包括標(biāo)簽的產(chǎn)品和適于檢測與標(biāo)簽的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的輻射的詢問器；詢問標(biāo)簽的狀態(tài)；解釋標(biāo)簽的狀態(tài)；以及提供與標(biāo)簽的所解釋狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的輸出。標(biāo)簽包括用于存儲與產(chǎn)品相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)的數(shù)字存儲器。【附圖說明】通過參見附圖，本專利技術(shù)的另外的特征和有益效果將變得更加顯而易見。圖1示出了本專利技術(shù)的一個實(shí)施例的示意圖。圖2示出了本專利技術(shù)的一個實(shí)施例的示意圖。圖3示出了本專利技術(shù)的一個實(shí)施例的示意圖。【具體實(shí)施方式】定義:下文闡述本專利技術(shù)眾多不同實(shí)施例的廣泛說明。本說明應(yīng)被視為僅是示例性說明，并且未述及每一個可能的實(shí)施例，因?yàn)槊枋雒恳粋€可能的實(shí)施例即便是可能的話，也是不切實(shí)際的，并且應(yīng)當(dāng)理解，本文所述的任何特征、特性、組件、組成、成分、產(chǎn)品、步驟或方法均可被刪掉、整個或部分地與本文所述的任何其它特征、特性、組件、組成、成分、產(chǎn)品、步驟或方法相組合或用后者取代。可使用當(dāng)前技術(shù)或在本專利的提交日期之后開發(fā)的技術(shù)來實(shí)施眾多可供選擇的實(shí)施例，所述在本專利的提交日期之后開發(fā)的技術(shù)將仍然屬于本權(quán)利要求的范圍。還應(yīng)當(dāng)理解，除非一個術(shù)語在本專利中使用句子“如本文所用，術(shù)語‘_’被定義為是指…”或一個類似的句子明確定義，否則并不意圖將該術(shù)語的含義明確或隱含地限制超出其平常的或普通的含義，并且此類術(shù)語不應(yīng)當(dāng)被解釋為被限制在基于本專利的任一部分中所作出的任何語句(除了權(quán)利要求書的語言之外)的范圍之內(nèi)。沒有任何術(shù)語對本專利技術(shù)而言是必不可少的，除非這樣規(guī)定。當(dāng)在本專利中以符合單一意義的方式來提及本專利最后的權(quán)利要求書中敘述的任一術(shù)語時，只是為了清晰起見以便不使讀者感到困惑，并非旨在隱含地或換句話講將這種權(quán)利要求術(shù)語限制為該單一的含義。最后，除非權(quán)利要求要素是通過描述措辭“裝置”和功能而沒有描述任何結(jié)構(gòu)來定義的，否則并不是意圖基于35U.S.C.§ 112第六款的運(yùn)用來解釋任一權(quán)利要求要素的范圍。在一個方面，一種傳感器系統(tǒng)包括標(biāo)簽。標(biāo)簽可包括印刷在基板上的導(dǎo)電油墨和非導(dǎo)電油墨的一個或多個層。示例性基板材料包括聚合物膜、紙材、高介電常數(shù)的介電材料和FR-4材料。多層結(jié)構(gòu) 還可包括非導(dǎo)電材料的局部層，所述局部層隔開導(dǎo)電層的至少部分。示例性導(dǎo)電層包括銅墨和銀墨。標(biāo)簽包括至少一個射頻芯片、被設(shè)置為卡、硬幣、或嵌體上的電路的第一天線。示例性芯片/第一天線組合包括以下型號:R1-103-112A-03(13.56MHz)、和 RI_INL-R9QM(134.2kHz)、或型號 TRF7970A，它們各自購自Texas Instruments (Dallas, TX)。天線可呈線圈或偶極的物理形式,或可包括與標(biāo)簽的其余部分電連通的產(chǎn)品或包裝件的導(dǎo)電組件。芯片/第一天線組合可整合進(jìn)購自Kovio (SanJose, CA)的單元標(biāo)簽中。標(biāo)簽還包括與芯片和天線電連通的導(dǎo)電聚合物體系。所需的用于標(biāo)簽的電源可由RFID電路的收獲能量提供，因?yàn)樗璧碾娏髟谖卜秶鷥?nèi)。隨后可利用諸如供標(biāo)簽使用的電容器之類的元件來存儲所述收獲功率。傳感器系統(tǒng)也包括至少一個導(dǎo)電聚合物體系。導(dǎo)電聚合物可包括聚合物涂層，所述聚合物涂層被配置成使得所述涂層當(dāng)或在其受到侵害或暴露于預(yù)定類型的環(huán)境變化之后停止導(dǎo)電。示例性環(huán)境變化包括:濕度改變、暴露于水分、暴露于特定化學(xué)品或化學(xué)性質(zhì)諸如pH、環(huán)境溫度的變化等。作為另外一種選擇，聚合物體系可包括聚合物涂層，所述聚合物涂層當(dāng)或在環(huán)境侵害之后變成導(dǎo)電的。導(dǎo)電聚合物體系可用來形成標(biāo)簽的電路的多個部分，所述多個部分包括輸入和輸出引線或天線或天線的一部分。在一個實(shí)施例中，環(huán)境變化經(jīng)由因環(huán)境變化弓丨起的溶脹或收縮導(dǎo)致聚合物體系的尺度變化。標(biāo)簽的電路布置方式可被配置成根據(jù)所用的聚合物體系的類型和電路元件的物理布置方式而提供與環(huán)境侵害關(guān)聯(lián)的正反饋或負(fù)反饋。在一個實(shí)施例中，電路被配置成在電路中具有間隙，使得在不存在附加元件的情況下電路將斷開，因而任何詢問標(biāo)簽的努力均將不從標(biāo)簽產(chǎn)生輸出。在該實(shí)施例中，間隙可由聚合物體系覆蓋，所述聚合物體系在受到侵害之前為導(dǎo)電的從而產(chǎn)生如下標(biāo)簽，所述標(biāo)簽當(dāng)或在環(huán)境侵害發(fā)生之后將改變狀態(tài)而從可讀變成不可讀(標(biāo)簽關(guān)閉，所認(rèn)為的負(fù)反饋)。作為另外一種選擇，間隙可涂覆有如下聚合物體系，其響應(yīng)于環(huán)境變化而從非導(dǎo)電的變成導(dǎo)電的(標(biāo)簽變成可讀的，對侵害的正反饋)。在一個實(shí)施例中，標(biāo)簽可被配置成具有如下聚合物體系，所述聚合物體系被布置成使得所述侵害將改變標(biāo)簽的狀態(tài)而從斷開變成接通(使用從導(dǎo)電變成非導(dǎo)電的聚合物體系)，或從接通變成斷開(使用當(dāng)或在侵害發(fā)生之后從接通轉(zhuǎn)變成斷開的聚合物體系)。在該實(shí)施例中，聚合物體系可被設(shè)置為在電路兩腿上的涂層，從而有效地將這兩個腿短接在一起并且繞過電路的其余部分。例如，如果涂層設(shè)置成在從芯片至天線的兩個引線上，則導(dǎo)電涂層將短接電路，使得在詢問時，芯片將不接收功率并且詢問器將不從標(biāo)簽接收輸出。當(dāng)或在侵害之后，涂層將從接通轉(zhuǎn)變成斷開從而消除電路中的短接并允許功率從天線傳送至芯片從而產(chǎn)生可讀標(biāo)簽。在具有相似地設(shè)置的聚合物涂層但利用了當(dāng)或在其受到侵害之后從非導(dǎo)電的轉(zhuǎn)變成導(dǎo)電的聚合物的標(biāo)簽中，當(dāng)或在受到侵害之后標(biāo)簽將(在侵害之前)從接通轉(zhuǎn)變成斷開的。也有可能配置更精密的標(biāo)簽，其包括雙芯片和雙天線、或雙芯片和單天線，其中當(dāng)或在標(biāo)簽經(jīng)受單一環(huán)境侵害之后，第一芯片-天線組合將從接通轉(zhuǎn)變成斷開，而第二芯片-天線組合將從斷開轉(zhuǎn)變成接通。為了減輕與制造這種標(biāo)簽系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的載荷，一個芯片天線對可包括間隙，而另一個芯片天線對包括在天線引線對上的涂層。在該構(gòu)型中，相同的聚合物體系可同時設(shè)置在間隙和天線引線上以獲得雙狀態(tài)可讀標(biāo)簽而無論所選擇的聚合物如何。作為另外一種選擇，雙標(biāo)簽可包括相同的芯片對-天線組合并且可讀狀態(tài)的差值可通過如下方式來實(shí)現(xiàn):用當(dāng)或在被侵害之后從接通切換成斷開的聚合物來涂覆一個芯片-天線組合，同時用當(dāng)或在相同的侵害發(fā)生之后從斷開切換成接通的聚合物來涂覆第二芯片-天線組合。當(dāng)或在其受到侵害之后從接通轉(zhuǎn)變成斷開的聚合物體系包括聚合物基質(zhì)和導(dǎo)電填料。當(dāng)或在侵害之后，聚合物能夠膨脹至其未受侵害時的體積的約120% -140%，或更大。對于標(biāo)簽本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種包括標(biāo)簽的傳感器系統(tǒng)，所述標(biāo)簽包括：a.包括存儲器元件和輸出端子的至少一個射頻芯片，所述存儲器元件包括二進(jìn)制編碼的包括至少一個位的詞的電存儲；至少一個導(dǎo)電聚合物體系，所述導(dǎo)電聚合物體系設(shè)置成與所述芯片的至少一個輸出端子電連通并且適于與所述導(dǎo)電聚合物體系的環(huán)境的預(yù)定變化相關(guān)聯(lián)地改變電狀態(tài)；b.第一天線，所述第一天線設(shè)置成與所述芯片的輸出端子和所述導(dǎo)電聚合物體系電連通。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2011.12.27 US 61/580,379;2012.09.14 US 13/616,4021.一種包括標(biāo)簽的傳感器系統(tǒng)，所述標(biāo)簽包括: a.包括存儲器元件和輸出端子的至少一個射頻芯片，所述存儲器元件包括二進(jìn)制編碼的包括至少一個位的詞的電存儲；至少一個導(dǎo)電聚合物體系，所述導(dǎo)電聚合物體系設(shè)置成與所述芯片的至少一個輸出端子電連通并且適于與所述導(dǎo)電聚合物體系的環(huán)境的預(yù)定變化相關(guān)聯(lián)地改變電狀態(tài)； b.第一天線，所述第一天線設(shè)置成與所述芯片的輸出端子和所述導(dǎo)電聚合物體系電連通。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器系統(tǒng)，還包括詢問器，所述詢問器包括電源和第二天線以及接收器，所述第二天線適于產(chǎn)生包括所述第一天線的諧振頻率的電磁輻射，并且所述接收器適于檢測電磁輻射并解調(diào)所檢測到的輻射，從而從所檢測到的輻射提取嵌入的數(shù)據(jù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器系統(tǒng)，其中所述詢問器還包括:適于解釋所提取的嵌入的數(shù)據(jù)的分析元件和適于顯示所述解釋的結(jié)果的顯示元件。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器系統(tǒng)，其中所述詢問器還包括傳感器。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器系統(tǒng)，其中所述詢問器還包括網(wǎng)絡(luò)通信鏈路。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：G·E·斯特里莫，M·阿曼，J·L·喬伊斯，F·F·舍曼，J·T·伯里科夫，M·W·莫羅，J·T·V·德卡斯特羅，S·J·A·梅施卡特，M·弗蘭克，
申請(專利權(quán))人：吉列公司，
類型：發(fā)明
國別省市：美國;US