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    用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器技術(shù)方案

    技術(shù)編號:12345115 閱讀:121 留言:0更新日期:2015-11-18 18:01
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,包括收集器本體(1),所述收集器本體(1)為上端具有進氣管口(11)、下端密封的管道,所述進氣管口(11)處密封固定有進氣管(2),所述進氣管(2)上端伸出所述收集器本體(1),所述進氣管(2)下端延伸至所述收集器本體(1)內(nèi)并臨近所述收集器本體(1)底部,所述進氣管(2)上端連接至蒸汽管路出口,所述進氣管(2)下端設(shè)有開口(21),所述收集器本體(1)上端位于所述進氣管(2)周圍設(shè)有多個出氣孔(12)。本發(fā)明專利技術(shù)提供的用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,可有效收集化學(xué)源蒸汽管路中產(chǎn)生的粉塵顆粒,減少粉塵顆粒對超導(dǎo)帶材的不利影響。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及金屬有機化合物化學(xué)氣相沉淀
    ,特別涉及用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器
    技術(shù)介紹
    金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長原材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延,生長各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。目前,公知的半導(dǎo)體MOCVD系統(tǒng)中,通常是在化學(xué)源蒸汽管道上加入氣體過濾器以過濾粉塵顆粒,但是在重金屬化合物MOCVD系統(tǒng)中,會存在堵塞問題,不能使用類似的氣體過濾器。由于諸多原因,在此類系統(tǒng)中,化學(xué)源蒸汽管道里難免有粉塵顆粒產(chǎn)生。例如,在制備超導(dǎo)薄膜帶材的MOCVD系統(tǒng)中,管道中會有毫米數(shù)量級的粉塵顆粒掉落,它們會在超導(dǎo)帶材上造成壞點,而這樣的影響幾乎是致命的。因此迫切需要一個裝置來減少以致徹底清除這些粉塵顆粒。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    基于上述問題,本專利技術(shù)目的是提供用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,安裝在蒸汽管路出口,以去除蒸汽管道內(nèi)的粉塵顆粒。為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本專利技術(shù)提供的技術(shù)方案是:用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,包括收集器本體,所述收集器本體為上端具有進氣管口、下端密封的管道,所述進氣管口處密封固定有進氣管,所述進氣管上端伸出所述收集器本體,所述進氣管下端延伸至所述收集器本體內(nèi)并臨近所述收集器本體底部,所述進氣管上端連接至蒸汽管路出口,所述進氣管下端設(shè)有開口,所述收集器本體上端位于所述進氣管周圍設(shè)有多個出氣孔。在其中一個實施例中,所述收集器本體的長度為8?15cm,所述進氣管下端距所述收集器本體底部的距離為2?4cm。在其中一個實施例中,所述收集器本體的長度為10cm,所述進氣管下端距所述收集器本體底部的距離為3cm。在其中一個實施例中,所述出氣孔的孔徑為0.5?1.5mm。在其中一個實施例中,所述出氣孔的孔徑為1mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)的優(yōu)點是:采用本專利技術(shù)的技術(shù)方案,進氣管連接至蒸汽管的出口,蒸汽管內(nèi)氣體從進氣管進入收集器本體內(nèi),粉塵顆粒在重力作用下沉積在收集器本體的底部,氣體則從收集器上方的出氣孔排出進入下一道工序,可清楚蒸汽管內(nèi)產(chǎn)生的粉塵顆粒,避免粉塵顆粒對沉積產(chǎn)品的影響,保證產(chǎn)品的質(zhì)量。【附圖說明】為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術(shù)用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;其中:1、收集器本體;11、進氣管口 ;12、出氣孔;2、進氣管;21、開口。【具體實施方式】以下結(jié)合具體實施例對上述方案做進一步說明。應(yīng)理解,這些實施例是用于說明本專利技術(shù)而不限于限制本專利技術(shù)的范圍。實施例中采用的實施條件可以根據(jù)具體廠家的條件做進一步調(diào)整,未注明的實施條件通常為常規(guī)實驗中的條件。參見圖1,為本專利技術(shù)實施例的結(jié)構(gòu)示意圖,提供一種用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,其包括收集器本體I,收集器本體I為上端具有進氣管口 11、下端密封的管道,在進氣管口 11密封固定有進氣管2,進氣管2的上端伸出收集器本體1,進氣管2的下端延伸至收集器本體I內(nèi)鄰近其底部的位置,進氣管2的上端連接至蒸汽管路出口,進氣管2下端設(shè)有開口 21,收集器本體I上端位于進氣管2周圍設(shè)有多個出氣孔12,優(yōu)選的,收集器本體I的長度為8?15cm,優(yōu)選為10cm,進氣管2下端距收集器本體I底部的距離為2?4cm,優(yōu)選為3cm,出氣孔12的孔徑為0.5?1.5mm,優(yōu)選為1mm,這樣化學(xué)源蒸汽管路內(nèi)混有粉塵顆粒的氣體進入進氣管2,并經(jīng)進氣管2下端開口 21進入到收集器本體1,粉塵顆粒在重力作用下沉降至收集器本體I底部,而氣體則從收集器本體I上端的出氣口12進入后續(xù)設(shè)備,本專利技術(shù)的收集器能有效收集化學(xué)源蒸汽管路中的粉塵顆粒,減少粉塵顆粒對超導(dǎo)帶材的不利影響,提尚廣品的品質(zhì)。上述實例只為說明本專利技術(shù)的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人員能夠了解本專利技術(shù)的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本專利技術(shù)的保護范圍。凡根據(jù)本專利技術(shù)精神實質(zhì)所做的等效變換或修飾,都應(yīng)涵蓋在本專利技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。【主權(quán)項】1.用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,其特征在于:包括收集器本體(I),所述收集器本體(I)為上端具有進氣管口(11)、下端密封的管道,所述進氣管口(11)處密封固定有進氣管(2),所述進氣管(2)上端伸出所述收集器本體(I),所述進氣管(2)下端延伸至所述收集器本體(I)內(nèi)并臨近所述收集器本體(I)底部,所述進氣管(2)上端連接至蒸汽管路出口,所述進氣管(2)下端設(shè)有開口(21),所述收集器本體(I)上端位于所述進氣管(2)周圍設(shè)有多個出氣孔(12)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,其特征在于:所述收集器本體(I)的長度為8?15cm,所述進氣管(2)下端距所述收集器本體(I)底部的距離為2?4cm。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,其特征在于:所述收集器本體(I)的長度為10cm,所述進氣管(2)下端距所述收集器本體(I)底部的距離為3cm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,其特征在于:所述出氣孔(12)的孔徑為0.5?1.5mm。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,其特征在于:所述出氣孔(12)的孔徑為Imm0【專利摘要】本專利技術(shù)公開了用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,包括收集器本體(1),所述收集器本體(1)為上端具有進氣管口(11)、下端密封的管道,所述進氣管口(11)處密封固定有進氣管(2),所述進氣管(2)上端伸出所述收集器本體(1),所述進氣管(2)下端延伸至所述收集器本體(1)內(nèi)并臨近所述收集器本體(1)底部,所述進氣管(2)上端連接至蒸汽管路出口,所述進氣管(2)下端設(shè)有開口(21),所述收集器本體(1)上端位于所述進氣管(2)周圍設(shè)有多個出氣孔(12)。本專利技術(shù)提供的用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,可有效收集化學(xué)源蒸汽管路中產(chǎn)生的粉塵顆粒,減少粉塵顆粒對超導(dǎo)帶材的不利影響。【IPC分類】C30B25/00, B01D45/02, C23C16/44【公開號】CN105063574【申請?zhí)枴緾N201510466016【專利技術(shù)人】喬唐, 陳一民, 蔡淵, 夏佑科, 章曙東, 姜平, 甘新式, 章鵬, 陳加林, 莊維偉, 謝義元, 孫山, 其他專利技術(shù)人請求不公開姓名 【申請人】蘇州新材料研究所有限公司【公開日】2015年11月18日【申請日】2015年8月3日本文檔來自技高網(wǎng)...
    用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器

    【技術(shù)保護點】
    用于MOCVD系統(tǒng)化學(xué)源蒸汽管路的粉塵顆粒收集器,其特征在于:包括收集器本體(1),所述收集器本體(1)為上端具有進氣管口(11)、下端密封的管道,所述進氣管口(11)處密封固定有進氣管(2),所述進氣管(2)上端伸出所述收集器本體(1),所述進氣管(2)下端延伸至所述收集器本體(1)內(nèi)并臨近所述收集器本體(1)底部,所述進氣管(2)上端連接至蒸汽管路出口,所述進氣管(2)下端設(shè)有開口(21),所述收集器本體(1)上端位于所述進氣管(2)周圍設(shè)有多個出氣孔(12)。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:喬唐陳一民蔡淵夏佑科章曙東姜平甘新式章鵬陳加林莊維偉謝義元孫山其他發(fā)明人請求不公開姓名
    申請(專利權(quán))人:蘇州新材料研究所有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:江蘇;32

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