一種高低壓自保護電路制造技術

本實用新型專利技術適用于保護電路領域，提供了一種高低壓自保護電路，其特征在于：所述電路包括供電模塊、低壓模塊及高壓模塊，所述低壓模塊與所述高壓模塊串聯與所述供電模塊串聯，供電模塊在設定范圍內，所述低壓模塊與所述高壓模塊均正常工作，所述低壓模塊的作用是當供電模塊低于設定范圍，低壓模塊自行切斷供電回路，所述高壓模塊的作用是當供電模塊高于設定范圍，高壓模塊自行切斷供電回路。車載電池電平波動嚴重時，可以主動切斷供電電路，既阻止了電池過度放電，也保護車載娛樂系統不會因為電壓過高而損壞。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于保護電路領域，尤其涉及一種高低壓自保護電路。
技術介紹
在車載領域，車載娛樂系統由電池供電，在車鑰匙打火時，電池電壓會非常不穩定，不穩定的電壓會給車載娛樂系統造成損壞甚至導致系統癱瘓。現在常用的方法是在車載娛樂系統電壓輸入端進行濾波、穩壓，從一定程度上改善了電平的波動性，同時在系統啟動后，通過MCU來實時監控電池電壓，造成MCU負荷偏重。傳統方法在電池電平波動嚴重時，只能被動進行濾波穩壓處理，而無法斷開電池回路，一旦電平波動造成娛樂系統損害或者電池損害時，將會造成很嚴重的后果。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種高低壓自保護電路，旨在解決車載電池電平波動嚴重時，可以主動切斷供電電路，既阻止了電池過度放電，也保護車載娛樂系統不會因為電壓過高而損壞的問題。本技術是這樣實現的，一種高低壓自保護電路，其特征在于：所述電路包括供電模塊、低壓模塊及高壓模塊，所述低壓模塊與所述高壓模塊串聯與所述供電模塊串聯，供電模塊在設定范圍內，所述低壓模塊與所述高壓模塊均正常工作，所述低壓模塊的作用是當供電模塊低于設定范圍，低壓模塊自行切斷供電回路，所述高壓模塊的作用是當供電模塊高于設定范圍，高壓模塊自行切斷供電回路。本技術的進一步技術方案是：所述低壓模塊包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電容C1、穩壓管D1、三極管Q1及MOSFET管Q2，所述供電模塊分別與所述電阻R2一端、所述電阻R4一端及所述電阻R6一端連接，所述電阻R2另一端分別與所述電阻R1一端及三極管Q1基極連接，所述電阻R4另一端分別與所述電阻R5一端及三極管Q1發射極連接，所述R6另一端與所述電容C1一端連接，所述電阻R1另一端與所述穩壓管D1陽極連接，所述三極管Q1集電極與所述電阻R3一端連接，所述電阻R5另一端與所述MOSFET管Q2柵極連接，所述電容C1另一端與所述MOSFET管Q2源極連接，所述供電模塊分別與所述MOSFET管Q2漏極、所述電阻R3另一端及所述穩壓管D1陰極連接。本技術的進一步技術方案是：所述高壓模塊包括電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電容C2、穩壓管D2、三極管Q3及MOSFET管Q4，所述供電模塊分別與所述電阻R8一端、所述電阻R10一端及所述電阻R12一端連接，所述電阻R8另一端分別與所述電阻R7一端及三極管Q3基極連接，所述電阻R10另一端分別與所述電阻R11一端及三極管Q3發射極連接，所述R12另一端與所述電容C2一端連接，所述電阻R7另一端與所述穩壓管D2陽極連接，所述三極管Q3集電極與所述電阻R9一端連接，所述電阻R11另一端與所述MOSFET管Q4柵極連接，所述電容C2另一端與所述MOSFET管Q4源極連接，所述MOSFET管Q4漏極、所述電阻R9另一端及所述穩壓管D2陰極與所述低壓模塊MOSFET管Q2源極連接。本技術的進一步技術方案是：所述MOSFET管Q2為N溝MOSFET管或P溝MOSFET管。本技術的進一步技術方案是：所述MOSFET管Q4為P溝MOSFET管。本技術的進一步技術方案是：所述電阻R1阻值與電阻R2阻值的比值大于所述電阻R7阻值與電阻R阻值8的比值，所述電阻R3阻值與電阻R4阻值的比值小于所述電阻R9阻值與電阻R10阻值的比值，所述電阻R5阻值等于所述電阻R11阻值，所述電阻R6阻值等于電阻R12阻值，所述電阻R6及電阻R12為百歐電阻。本技術的有益效果是：解決了車載電池電平波動嚴重時，可以主動切斷供電電路，既阻止了電池過度放電，也保護車載娛樂系統不會因為電壓過高而損壞。附圖說明圖1是本技術實施例提供的一種高低壓自保護電路；圖2是本技術實施例提供的一種高低壓自保護電路的低壓保護電路；圖3是本技術實施例提供的一種高低壓自保護電路的高壓保護電路。具體實施方式附圖標記：圖1示出了本技術提供的一種高低壓自保護電路，旨在解決車載電池電平波動嚴重時，可以主動切斷供電電路，既阻止了電池過度放電，也保護車載娛樂系統不會因為電壓過高而損壞的問題。一種高低壓自保護電路，所述電路包括供電模塊、低壓模塊及高壓模塊，所述低壓模塊與所述高壓模塊串聯與所述供電模塊串聯，供電模塊在設定范圍內，所述低壓模塊與所述高壓模塊均正常工作，所述低壓模塊的作用是當供電模塊低于設定范圍，低壓模塊自行切斷供電回路，所述高壓模塊的作用是當供電模塊高于設定范圍，高壓模塊自行切斷供電回路。所述低壓模塊包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電容C1、穩壓管D1、三極管Q1及MOSFET管Q2，所述供電模塊分別與所述電阻R2一端、所述電阻R4一端及所述電阻R6一端連接，所述電阻R2另一端分別與所述電阻R1一端及三極管Q1基極連接，所述電阻R4另一端分別與所述電阻R5一端及三極管Q1發射極連接，所述R6另一端與所述電容C1一端連接，所述電阻R1另一端與所述穩壓管D1陽極連接，所述三極管Q1集電極與所述電阻R3一端連接，所述電阻R5另一端與所述MOSFET管Q2柵極連接，所述電容C1另一端與所述MOSFET管Q2源極連接，所述供電模塊分別與所述MOSFET管Q2漏極、所述電阻R3另一端及所述穩壓管D1陰極連接。所述高壓模塊包括電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電容C2、穩壓管D2、三極管Q3及MOSFET管Q4，所述供電模塊分別與所述電阻R8一端、所述電阻R10一端及所述電阻R12一端連接，所述電阻R8另一端分別與所述電阻R7一端及三極管Q3基極連接，所述電阻R10另一端分別與所述電阻R11一端及三極管Q3發射極連接，所述R12另一端與所述電容C2一端連接，所述電阻R7另一端與所述穩壓管D2陽極連接，所述三極管Q3集電極與所述電阻R9一端連接，所述電阻R11另一端與所述MOSFET管Q4柵極連接，所述電容C2另一端與所述MOSFET管Q4源極連接，所述MOSFET管Q4漏極、所述電阻R9另一端及所述穩壓管D2陰極與所述低壓模塊MOSFET管Q2源極連接。所述MOSFET管Q2為N溝MOSFET管或P溝MOSFET管。所述MOSFET管Q4為P溝MOSFET管。所述電阻R1阻值與電阻R2阻值的比值大于所述電阻R7阻值與電阻R阻值8的比值，所述電阻R3阻值與電阻R4阻值的比值小于所述電阻R9阻值與電阻R10阻值的比值，所述電阻R5阻值等于所述電阻R11阻值，所述電阻R6阻值等于電阻R12阻值，所述電阻R6及電阻R12為百歐電阻。圖2虛線框體內為低壓模塊部分，主要是通過穩壓管D1，電阻R1、R2進行分壓，來為三極管Q1基極提供電平，三極管工作狀態可以選擇飽和，截止，放大，比較靈活，一般情況下選擇飽和導通和截止兩種狀態，對于穩壓管D1的選型、電阻R1、R2阻值選取，與限定電壓范圍最小值相關。同時Q1選取盡量選用Ib比較小的三極管，電阻R3和R4選取，要保證Q1能夠盡快進入飽和導通狀態，同時保證Q1發射端電壓Ve1要達到Q2導通電壓Vgs1（on），Q1基極電壓Vb1=Ve1+0.7V，Ve1最小值為Vgs（on）門限值，電阻R5一般選100歐姆以下阻值。假定Vgs（on）本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高低壓自保護電路，其特征在于：所述電路包括供電模塊、低壓模塊及高壓模塊，所述低壓模塊與所述高壓模塊串聯與所述供電模塊串聯，供電模塊在設定范圍內，所述低壓模塊與所述高壓模塊均正常工作，所述低壓模塊的作用是當供電模塊低于設定范圍，低壓模塊自行切斷供電回路，所述高壓模塊的作用是當供電模塊高于設定范圍，高壓模塊自行切斷供電回路。

【技術特征摘要】
1.一種高低壓自保護電路，其特征在于：所述電路包括供電模塊、低壓模塊及高壓模塊，所述低壓模塊與所述高壓模塊串聯與所述供電模塊串聯，供電模塊在設定范圍內，所述低壓模塊與所述高壓模塊均正常工作，所述低壓模塊的作用是當供電模塊低于設定范圍，低壓模塊自行切斷供電回路，所述高壓模塊的作用是當供電模塊高于設定范圍，高壓模塊自行切斷供電回路。2.根據權利要求1所述的高低壓自保護電路，其特征在于，所述低壓模塊包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電容C1、穩壓管D1、三極管Q1及MOSFET管Q2，所述供電模塊分別與所述電阻R2一端、所述電阻R4一端及所述電阻R6一端連接，所述電阻R2另一端分別與所述電阻R1一端及三極管Q1基極連接，所述電阻R4另一端分別與所述電阻R5一端及三極管Q1發射極連接，所述R6另一端與所述電容C1一端連接，所述電阻R1另一端與所述穩壓管D1陽極連接，所述三極管Q1集電極與所述電阻R3一端連接，所述電阻R5另一端與所述MOSFET管Q2柵極連接，所述電容C1另一端與所述MOSFET管Q2源極連接，所述供電模塊分別與所述MOSFET管Q2漏極、所述電阻R3另一端及所述穩壓管D1陰極連接。3.根據權利要求1所述的高低壓自保護電路，其特征在于，所述高壓模塊包括電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭應鋒，朱月，陳如亞，
申請(專利權)人：深圳市航盛電子股份有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44