本發明專利技術涉及一種薄膜沉積裝置,其包括:沉積腔室,在其內部支撐有基板;分配管,其通過形成于上部的多個噴嘴噴射由用于收容待沉積到所述基板上的沉積材料的多個坩堝汽化的沉積材料;分配管加熱器,其被獨立設置為面向所述分配管的外表面以加熱所述分配管;坩堝加熱器,其用于通過加熱所述坩堝而使所述沉積材料汽化;和上部板,其具有與所述噴嘴對應的排出口并被設置于所述分配管的上部,所述薄膜沉積裝置具有如下效果:能夠通過縮減坩堝的高度來降低腔室的高度,并且能夠通過使對基板的左/右沉積彼此獨立而進行對稱或非對稱沉積。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種薄膜沉積裝置,更詳細而言,涉及一種具備多個坩堝的薄膜沉積裝置,其能夠通過縮減坩堝的高度來降低腔室的高度,并且能夠通過使對基板的左/右沉積彼此獨立而實現對稱或非對稱沉積。
技術介紹
沉積工藝為半導體器件的制造或平板顯示器件的制造中被廣泛使用的方法,為了將半導體器件及平板顯示器件的制造中所使用的沉積物質涂布到基板上,通過加熱裝入有沉積物質的坩堝而使沉積物質從表面蒸發并使經蒸發的有機物沉積在高真空腔室內的基板上。一般而言,薄膜沉積裝置包括:腔室,形成為真空;基板支撐部,被設置于所述腔室內并支撐基板;和分配管,配置成面向所述基板支撐部并用于通過使原料物質蒸發而向基板供給。在自下而上的沉積方式中,所述分配管被設置于腔室內的下部,具體而言,所述分配管被配置成與待沉積薄膜的基板的一面相隔開并面向彼此,發揮以多個路徑向基板的一面均勻地分配并供給經蒸發的原料物質的功能。在由本申請人申請并授權的韓國授權專利第10-1057552號中公開了現有的分配管,現有的分配管以圓筒形形狀形成,在所述分配管的中央部分連接有收容沉積物質的坩堝,并且具備用于加熱所述分配管的加熱器。由于所述分配管通過其中央部分與所述坩堝連接,因此整體形狀形成為“T”字形狀,所述加熱器為以包圍分配管的外周面的方式構成并對經過分配管的原料物質進行加熱的結構。由于這種現有技術為所述坩堝與分配管的中央部分結合并通過單個坩堝供給沉積物質的結構,因此為了供給大量的沉積物質而需要加大坩堝的大小。近年來,由于基板逐漸大面積化,因此對于平板顯示器件,為了TV畫面的大型化和生產率的提高而需要能夠制造大面積基板的沉積裝置,為了構成大面積基板制造用沉積裝置,可以說大面積基板制造用蒸發源的開發是最重要的問題。為了構成大面積基板制造用蒸發源,需要加大裝入沉積物質的坩堝的容量,但如果為了加大坩堝的容量而加長坩堝的長度則腔室的高度進一步增加,因此具有導致沉積裝置大型化且設備的制造費用增加的缺點。此外,由于所述加熱器纏繞到分配管的外周面而與分配管直接結合,因此具有部件故障時更換及修理非常難的缺點,例如,為了更換蒸發源而需要分解加熱器。
技術實現思路
技術問題本專利技術是為了解決上述問題而提出的,其目的在于提供一種薄膜沉積裝置,所述薄膜沉積裝置具備多個坩堝,即使在沉積相同量的沉積物質的情況下,也能縮減坩堝的長度,從而能降低腔室的高度并使沉積裝置小型化。此外,本專利技術的目的在于提供一種薄膜沉積裝置,其能夠通過分別獨立控制由各個坩堝供給的沉積物質而將沉積物質對稱或非對稱地沉積在基板上。此外,本專利技術的目的在于提供一種薄膜沉積裝置,其能夠通過分別獨立配置用于加熱坩堝和分配管的加熱器并從上方裝卸蒸發源而使分離簡便,并且能減少腔室下部的空間并能確保空間。此外,本專利技術的目的在于提供一種薄膜沉積裝置,其通過在分配管的兩側設置加熱器,在部件故障時容易進行加熱器的更換及拆裝。技術方案為了實現上述目的,本專利技術提供一種薄膜沉積裝置,其包括:沉積腔室,在內部支撐有基板;多個坩堝,用于收容待沉積到所述基板上的沉積材料;分配管,沿管軸配置有一列與所述多個坩堝分別連通的多個結合口,并且通過形成于上部的多個噴嘴噴射由所述多個坩堝汽化的沉積材料;分配管加熱器,被獨立設置為面向所述分配管的外表面以加熱所述分配管;坩堝加熱器,用于通過加熱所述坩堝而使所述沉積材料汽化;以及上部板,具有與所述噴嘴對應的排出口并被設置于所述分配管的上部。此外,為了實現上述目的,本專利技術提供一種薄膜沉積裝置,其包括:沉積腔室,在內部支撐有基板;多個坩堝,用于收容待沉積到所述基板上的沉積材料;多個分配管,與所述坩堝分別結合并被配置成一列以通過多個噴嘴噴射經汽化的沉積材料;分配管加熱器,被獨立設置為面向所述分配管的外表面以加熱所述分配管;坩堝加熱器,用于通過加熱所述坩堝而使所述沉積材料汽化;以及上部板,具有與所述噴嘴對應的排出口并被設置于所述分配管的上部。所述分配管加熱器可由具有字形的剖面形狀的護套加熱器(SheathHeater)構成,以便加熱所述分配管的側面及底面。在該情況下,所述分配管加熱器可被設置于所述分配管的兩側。另外,所述上部板能夠開閉,當開放所述上部板時,能夠從上方分離并更換所述分配管。在本專利技術中,可以以滑動方式開閉所述上部板。此外,在所述上部板的底面可設置有反射器,所述反射器被設置為面向所述分配管的上表面并能夠通過反射所述分配管的熱來進行加熱。所述反射器可被設置為多層結構,以有效地進行熱的反射。在本專利技術中,在所述沉積腔室的內部可平行地設置有多個所述分配管。在該情況下,優選地,在平行地設置的多個所述分配管中,位于邊緣的分配管的噴嘴沿著所述分配管的切線方向延伸形成以具有與所述沉積腔室的中央鄰接的位置。專利技術的效果根據如上所述的本專利技術,本專利技術的薄膜沉積裝置具有如下效果:即使在沉積相同量的物質的情況下也能大幅減小坩堝的長度,從而能減小腔室的高度并降低設備的制造費用。如果還考慮坩堝的裝卸高度,則與具有單個坩堝的現有技術相比,能夠將高度縮小兩倍左右。此外,能夠分別獨立控制對基板的左/右沉積而進行對稱或非對稱沉積。通常,為了調節噴射到基板上的沉積物質量而采取變更噴嘴帽的方式,但該方式具有需要在中斷工藝并變更噴嘴帽后重新設置真空等的工藝時間長的缺點,根據本專利技術,由于分別獨立控制基板的左/右薄膜厚度而無需變更噴嘴帽,因此具有能減少工藝時間的效果。此外,通過分別獨立配置用于加熱坩堝和分配管的加熱器并從上方裝卸蒸發源而使分離簡便,從而具有能減小下部空間以及能確保空間的效果。附圖說明圖1是表示本專利技術的薄膜沉積裝置的第一實施例所涉及的主要結構的剖視圖。圖2是圖1中的側剖視圖。圖3是表示本專利技術的第一實施例的俯視圖。圖4是圖3中的A-A線剖視圖。圖5是圖3中的B-B線剖視圖。圖6是放大表示圖5中的分配管的剖視圖。圖7是示意性地表示通過本專利技術的薄膜沉積裝置沉積到基板上的沉積膜的剖視圖。圖8是表示本專利技術的薄膜沉積裝置的第二實施例所涉及的主要結構的剖視圖。圖9是圖8中的側剖視圖。圖10是表示本專利技術的第二實施例的俯視圖。圖11是圖10中的A-A線剖視圖。圖12是圖10中的B-B線剖視圖。圖13是放大表示圖12中的分配管的剖視圖。圖14是示意性地表示通過本專利技術的薄膜沉積裝置沉積到基板上的沉積膜的剖視圖。圖15是表示本專利技術的蒸發源的其它實施例的剖視圖。具體實施方式下面,參照附圖對本專利技術的優選實施例進行詳細說明。如圖1及圖8所示,本專利技術的薄膜沉積裝置大體包括:沉積腔室(未圖示);坩堝10,用于收容沉積材料;分配管20,用于將由所述坩堝10汽化的沉積材料噴射到基板上;加熱器30、40,用于通過加熱所述分配管20及坩堝10而使所述沉積材料汽化;和上部板50,被設置于所述分配管20的上部。本專利技術的特征在于,配置有多個所述坩堝10。在此,在所述分配管20中設置有多個所述坩堝10,可以以在一個分配管20上設置有多個坩堝10的方式實施。此外,所述多個坩堝10也可以被設置為與各個分配管20結合并在沉積腔室內配置有一列多個分配管20。實施例下面,參照附圖對本專利技術的優選實施例進行詳細說明。首先,在對各圖的結構要素標注附圖標記時,應注意即使在其它圖中顯示相同的結構要素,也盡可能使其具本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種薄膜沉積裝置,包括:沉積腔室,在其內部支撐基板;多個坩堝,其用于收容待沉積到所述基板上的沉積材料;分配管,其中沿管軸配置有一列與所述多個坩堝分別連通的多個結合口,并且通過形成于上部的多個噴嘴噴射由所述多個坩堝汽化的沉積材料;分配管加熱器,其被獨立設置為面向所述分配管的外表面以加熱所述分配管;坩堝加熱器,其用于通過加熱所述坩堝而使所述沉積材料汽化;以及上部板,具有與所述噴嘴對應的排出口并被設置于所述分配管的上部。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.07.07 KR 10-2014-0084799;2014.07.07 KR 10-2011.一種薄膜沉積裝置,包括:沉積腔室,在其內部支撐基板;多個坩堝,其用于收容待沉積到所述基板上的沉積材料;分配管,其中沿管軸配置有一列與所述多個坩堝分別連通的多個結合口,并且通過形成于上部的多個噴嘴噴射由所述多個坩堝汽化的沉積材料;分配管加熱器,其被獨立設置為面向所述分配管的外表面以加熱所述分配管;坩堝加熱器,其用于通過加熱所述坩堝而使所述沉積材料汽化;以及上部板,具有與所述噴嘴對應的排出口并被設置于所述分配管的上部。2.一種薄膜沉積裝置,包括:沉積腔室,其在內部支撐有基板;多個坩堝,其用于收容待沉積到所述基板上的沉積材料;多個分配管,與所述坩堝分別結合并被配置成一列以通過多個噴嘴噴射經汽化的沉積材料;分配管加熱器,被獨立設置為面向所述分配管的外表面以加熱所述分配管;坩堝加熱器,用于通過加熱所述坩堝而使所述沉積材料汽化;以及上部板,具有與所...
【專利技術屬性】
技術研發人員:吳泳晚,崔在秀,李淳哲,金秀彬,金明洙,李榮鐘,宋基民,樸榮信,徐泰源,裵榮陳,金政澤,李程均,
申請(專利權)人:銑益系統有限責任公司,
類型:發明
國別省市:韓國;KR
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