微型測溫晶體的封裝方法技術

本發明專利技術屬于晶體測溫技術，具體涉及一種微型測溫晶體的封裝方法。本發明專利技術微型測溫晶體的封裝方法先在微小孔底部涂覆一層填裝膠，然后將微型測溫晶體放置于微小孔內，然后用填裝膠將微小孔填滿，在高溫爐中進行烘干固化，再在微小孔頂部位置安裝蓋片，實現微型測溫晶體的高可靠性封裝，進而使其發揮溫度測量功能。

【技術實現步驟摘要】
微型測溫晶體的封裝方法
本專利技術屬于晶體測溫技術，具體涉及一種微型測溫晶體的封裝方法。
技術介紹
晶體測溫技術是一項創新的溫度測量技術，晶體測溫技術是以輻照缺陷的熱穩定性為基礎建立起來的測溫方法。基于“溫度記憶效應”的微型輻照晶體測溫技術是以輻照缺陷的熱穩定性為基礎建立起來的測溫方法，基于輻射環境下誘使碳化硅晶格變化，當經歷高溫過程時擴張的晶格結構會釋放的“溫度記憶效應”。這種技術具有明顯的非侵入特征，屬于非干涉式測試技術，測溫晶體傳感器體積微小、無需測試引線、測溫精度高，可以高密度、陣列式的安排測點等優點。可以隨待測部件一起運行，依靠測溫晶體自身的“溫度記憶效應”實現試驗件最高溫溫度的準確測量。國外的晶體測溫技術研究比較成熟，不管是美國、俄羅斯還是烏克蘭，他們都有一批專業的技術人員從事測溫晶體的安裝與應用研究工作，發展至今已經形成了完善的研發及應用體系，他們采用完成的測溫晶體安裝方法來完成測溫晶體的封裝。國內開展晶體測溫的制造、試驗等技術研究較晚，投入的資源十分有限。國內從上世紀90年代末期開始接觸微型輻照晶體測溫技術，還未檢索到用于封裝微型測溫晶體的方法。
技術實現思路
本專利技術的目的是：為了解決微型測溫晶體的封裝問題，本專利技術提供了一種高可靠的測溫晶體封裝方法。本專利技術的技術方案是：一種微型測溫晶體的封裝方法，包括如下步驟:步驟1：微小孔底部涂覆填裝膠在試件中安裝微型測溫晶體的微小孔底部涂覆一層填裝膠，厚度在0.05mm到0.07mm。步驟2：放置微型測溫晶體將微型測溫晶體放置于試件微小孔底部中間位置，使其貼在微小孔底部。步驟3：灌裝填裝膠將填裝膠灌裝于微小孔內，直至將微小孔填與試件表面齊平。步驟4：烘干固化將裝配好的試件放置于高溫爐中進行烘干固化。步驟5：安裝蓋片將試件從高溫爐中取出，在微小孔頂部位置通過點焊的方式安裝蓋片。還包括配制填裝膠步驟:質量配比為19～21％的硅酸鈉，質量配比為34～36％的二氧化硅，質量配比為24～26％的氧化鋯，質量配比為14～16％的二氧化鈦，質量配比為4～6％的濃度50％的乙醇，各組份的含量之和為100％，混合均勻，所述材料的細度不大于10μm；微小孔的底部為平底，微小孔直徑為0.5mm到0.6mm，微小孔的深度為0.48mm到0.52mm。步驟4中，烘干固化的條件為：100℃，1小時，同時要求控制高溫爐升降溫速率不超過5℃/min，以保證固化的可靠性。所述型測溫晶體的封裝方法，其特征在于，步驟5中，蓋片的直徑為0.28mm到0.32mm，厚度為0.048mm到0.052mm，材料為高溫合金。本專利技術的有益效果是：本專利技術微型測溫晶體的封裝方法通過創造性的試驗，控制工藝條件，實現微型測溫晶體的可靠封裝。附著力好，具有較大的實際應用價值。本專利技術微型測溫晶體的封裝方法先在微小孔底部涂覆一層填裝膠，然后將微型測溫晶體放置于微小孔內，然后用填裝膠將微小孔填滿，在高溫爐中進行烘干固化，再在微小孔頂部位置安裝蓋片，實現微型測溫晶體的高可靠性封裝，進而使其發揮溫度測量功能。附圖說明圖1是微型測溫晶體封裝的示意圖；圖2是本專利技術微型測溫晶體封裝方法的流程圖。1-試件、2-微型測溫晶體、3-蓋片、4-封裝于微小孔內的填裝膠。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術進行詳細說明：本專利技術微型測溫晶體的封裝方法先將填裝膠涂覆于微小孔底部，再將微型測溫晶體放置于微小孔底部中間位置，再在微小孔頂部位置安裝蓋片，實現微型測溫晶體的高可靠性封裝。請參閱圖2，其給出了本專利技術微型測溫晶體的封裝方法的具體工藝，其流程步驟如下：步驟1：微小孔底部涂覆填裝膠在安裝微型測溫晶體的微小孔底部涂覆一層填裝膠，厚度在0.05mm到0.07mm。步驟2：放置微型測溫晶體將微型測溫晶體放置于微小孔底部中間位置，使其貼在微小孔底部。步驟3：灌裝填裝膠將填裝膠灌裝于微小孔內，直至將微小孔填與試件表面齊平。步驟4：烘干固化將裝配好的試件放置于高溫爐中進行烘干固化。步驟5：安裝蓋片將試件從高溫爐中取出，在微小孔頂部位置通過點焊的方式安裝蓋片。還包括配制填裝膠步驟:質量配比為19～21％的硅酸鈉，質量配比為34～36％的二氧化硅，質量配比為24～26％的氧化鋯，質量配比為14～16％的二氧化鈦，質量配比為4～6％的濃度50％的乙醇，各組份的含量之和為100％，混合均勻，所述組分材料的細度不大于10μm；所述的混合均勻步驟可以是先將各組分研磨至細度不大于10μm，再混合均勻；也可以是先將上述組分混合，經研磨后，研磨時間1小時以上，至細度不大于10μm，成封裝測溫晶體的填裝膠的均勻混合。微小孔的底部為平底，微小孔直徑為0.5mm到0.6mm，微小孔的深度為0.48mm到0.52mm。步驟4中，烘干固化的條件為：100℃，1小時，同時要求控制高溫爐升降溫速率不超過5℃/min，以保證固化的可靠性。蓋片的直徑為0.28mm到0.32mm，厚度為0.048mm到0.052mm，材料為高溫合金。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種微型測溫晶體的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟:步驟1：微小孔底部涂覆填裝膠：在試件中安裝微型測溫晶體的微小孔底部涂覆一層填裝膠，厚度在0.05mm到0.07mm，步驟2：放置微型測溫晶體：將微型測溫晶體放置于試件微小孔底部中間位置，使其貼在微小孔底部，步驟3：灌裝填裝膠：將填裝膠灌裝于微小孔內，直至將微小孔填與試件表面齊平，步驟4：烘干固化：將裝配好的試件放置于高溫爐中進行烘干固化，步驟5：安裝蓋片：將試件從高溫爐中取出，在微小孔頂部位置通過點焊的方式安裝蓋片。

【技術特征摘要】
1.一種微型測溫晶體的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟:步驟1：微小孔底部涂覆填裝膠：在試件中安裝微型測溫晶體的微小孔底部涂覆一層填裝膠，厚度在0.05mm到0.07mm，步驟2：放置微型測溫晶體：將微型測溫晶體放置于試件微小孔底部中間位置，使其貼在微小孔底部，步驟3：灌裝填裝膠：將填裝膠灌裝于微小孔內，直至將微小孔填與試件表面齊平，步驟4：烘干固化：將裝配好的試件放置于高溫爐中進行烘干固化，步驟5：安裝蓋片：將試件從高溫爐中取出，在微小孔頂部位置通過點焊的方式安裝蓋片。2.根據權利要求1所述微型測溫晶體的封裝方法，其特征在于，還包括配制填裝膠步驟:質量配比為19～21％的硅酸鈉，質量配比為34～36％的二氧化硅，質量配比為24～26％的氧化鋯，質量配比為14～16％的二氧化鈦，質量配比為4～6％的濃度50％的乙醇，混合均勻，各組份的含量之和為100％，所述材料的細度不大于10μm。3.根據權利要求2所述微型測溫晶...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李楊，石小江，殷光明，
申請(專利權)人：中國燃氣渦輪研究院，
類型：發明
國別省市：四川,51