曝光裝置、曝光方法以及器件制造方法制造方法及圖紙
Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
The invention provides an exposure device, an exposure method, and a device manufacturing method. An exposure device through the liquid to a predetermined pattern across the image projected onto the substrate to expose the substrate exposure device includes: the pattern is projected to the projection optical system on the substrate; for the projection area of the projection optical system contains a portion of the substrate to form a liquid immersion liquid supply mechanism from the region a position separated in different direction and the projection area on the substrate and to supply liquid.
【技術實現步驟摘要】
曝光裝置、曝光方法以及器件制造方法本申請是申請號為201510058647.4，申請日為2004年2月26日，專利技術名稱為“曝光方法以及器件制造方法”的分案申請。申請號為201510058647.4的申請是申請號為200480005148.9，申請日為2004年2月26日，專利技術名稱為“曝光裝置、曝光方法以及器件制造方法”的分案申請。
本專利技術涉及在投影光學系統和基板之間形成有液浸區域的狀態下在基板上曝光圖案的曝光裝置和器件制造方法。
技術介紹
半導體器件和液晶顯示器件用把形成在掩模上的圖案轉印到感光性的基板上的所謂的光刻法的方法制造。在該光刻法工序中使用的曝光裝置具有支撐掩模的掩模載臺和支撐基板的基板載臺，是一邊逐次移動掩模載臺以及基板載臺一邊經由投影光學系統把掩模的圖案轉印到基板上的裝置。近年，為了與器件圖案的進一步的高集成化對應，希望投影光學系統的進一步的高解像度化。所使用的曝光波長越短，或者投影光學系統的數值孔徑越大，投影光學系統的解像度越高。因此，在曝光裝置中使用的曝光波長一年年在短波長化，投影光學系統的數值孔徑也在增大。然而，現在主流曝光波長是KrF準分子激光的248nm，而更短波長的ArF準分子激光的193nm也已實用化。此外，在進行曝光時，焦深(DOF)也和解像度一樣重要。解像度R以及焦深δ分別用以下的式子表示。R＝k1·λ/NA(1)δ＝±k2·λ/NA2(2)在此，λ是曝光波長，NA是投影光學系統的數值孔徑，k1、k2是工藝系數。從(1)式、(2)式可知，為了提高解像度R，如果縮短曝光波長λ，增大數值孔徑NA，則焦深δ變窄。如果焦...
【技術保護點】
一種曝光裝置，通過隔著液體把規定圖案的像投影到基板上來曝光基板，該曝光裝置包括：把上述圖案的像投影到基板上的投影光學系統；為了在包含投影光學系統的投影區域的一部分基板上形成液浸區域，從在多個不同的方向上與投影區域隔開的多個位置上同時向基板上進行液體供給的液體供給機構。
【技術特征摘要】
2003.02.26 JP 2003-049365;2003.04.15 JP 2003-110741.一種曝光裝置，通過隔著液體把規定圖案的像投影到基板上來曝光基板，該曝光裝置包括：把上述圖案的像投影到基板上的投影光學系統；為了在包含投影光學系統的投影區域的一部分基板上形成液浸區域，從在多個不同的方向上與投影區域隔開的多個位置上同時向基板上進行液體供給的液體供給機構。2.權利要求1所述的曝光裝置，在順序曝光上述基板上的多個拍攝區域時，上述液體供給機構從上述多個位置連續提供液體。3.權利要求1所述的曝光裝置，上述液體供給機構同時進行從上述投影區域的兩側向上述基板上的液體供給。4.權利要求3所述的曝光裝置，上述液體供給機構從上述投影區域的兩側供給等量的液體。5.權利要求3所述的曝光裝置，上述基板上的各拍攝區域一邊向規定的掃描方向移動一邊被曝光，上述液體供給機構相對于上述掃描方向從上述投影區域的兩側進行上述液體的供給。6.權利要求5所述的曝光裝置，上述液體供給機構把相對于上述掃描方向從上述投影區域的跟前提供的液體量設置成比在其相反側提供的液體量還多。7.權利要求1所述的曝光裝置，進一步包括和上述液體的供給并行地進行上述基板上的液體的回收的液體回收機構。8.權利要求7所述的曝光裝置，上述液體回收機構從在多個不同的方向上與上述投影區域隔開的多個位置上同時進行上述基板上的液體的回收。9.一種曝光裝置，通過隔著液體把規定圖案的像投影到基板上來曝光基板，該曝光裝置包括：把上述圖案的像投影到基板上的投影光學系統；為了在包含投影光學系統的投影區域的一部分基板上形成液浸區域而向基板上提供液體的液體供給機構；從在多個不同的方向上與投影區域隔開的多個位置上同時進行基板上的液體回收的液體回收機構。10.權利要求8或者9所述的曝光裝置，上述液體回收機構在上述投影區域的兩側同時進行上述回收。11.權利要求8或者9所述的曝光裝置，上述液體回收機構具有連續形成為包圍上述投影區域的回收口。12.權利要求11所述的曝光裝置，在上述連續形成的回收口的內部設置有隔斷。13.權利要求8或者9所述的曝光裝置，上述液體回收機構根據液體的回收位置用不同的回收力來回收液體。14.一種曝光裝置，通過隔著液體把規定圖案的像投影到基板上來曝光基板，該曝光裝置包括：把上述圖案的像投影到基板上的投影光學系統；為了在包含投影光學系統的投影區域的一部分基板上形成液浸區域而向基板上提供液體的液體供給機構；在多個位置上同時進行基板上的液體回收的液體回收機構，上述液體回收機構根據液體回收位置以不同的回收力來回收液體。15.權利要求13或者14所述的曝光裝置，上述基板上的各拍攝區域一邊向規定的掃描方向移動一邊被曝光，上述液體回收機構使在上述掃描方向上與上述投影區域隔開的規定位置上的液體回收力，比和上述規定位置不同的位置上的液體回收力還大。16.權利要求7、9以及14的任一項所述的曝光裝置，進一步包括被配置在相對上述投影區域由上述液體回收機構進行的液體回收位置的外側且形成有捕捉用上述液體回收機構不能徹底回收的液體的規定長度的液體收集面的收集部件。17.一種曝光裝置，通過隔著液體把規定圖案的像投影到基板上來曝光基板，該曝光裝置包括：把上述圖案的像投影到基板上的投影光學系統；為了在包含投影光學系統的投影區域的一部分基板上形成液浸區域而向基板上提供液體的液體供給機構；在離開投影區域的回收位置上進行基板上的液體回收的液體回收機構；被配置在相對投影區域由液體回收機構進行的液體回收位置的外側且形成有捕捉液體的液體收集面的收集部件。18.權利要求16或者17所述的曝光裝置，上述收集面被實施了提高和上述液體的親和性的處理。19.權利要求18所述的曝光裝置，上述收集面的液體親和性比上述基板表面的液體親和性還高。20.權利要求16或者17所述的曝光裝置，上述收集面相對水平面傾斜。21.權利要求16或者17所述的曝光裝置，上述收集面被配置成包圍上述投影區域且根據上述收集面的位置其長度不同。22.權利要求16或者17所述的曝光裝置，在上述收集面上被捕捉到的液體被上述液體回收機構回收。23.權利要求7、9、14以及17的任一項所述的曝光裝置，上述液體供給機構在由上述液體回收機構進行的液體回收位置和上述投影區域之間進行液體的供給。24.一種曝光裝置，通過隔著液體把規定圖案的像投影到基板上來曝光基板，該曝光裝置包括：把上述圖案的像投影到基板上的投影光學系統；為了在包含投影光學系統的投影區域的一部分基板上形成液浸區域而向基板上提供液體的液體供給機構；在離開投影區域的回收位置上進行基板上的液體回收的液體回收機構，由液體供給機構進行的液體的供給在液體回收機構的液體回收位置和投影區域之間進行。25.權利要求23或者24所述的曝光裝置，上述液體供給機構根據執行的動作改變液體的供給量。26.權利要求25所述的曝光裝置，一邊移動上述基板一邊掃描曝光上述基板上的各拍攝區域，上述液體供給機構使液體的供給量在上述基板上的2個拍攝區域之間的步進移動期間和各拍攝區域的曝光期間彼此不同。27.權利要求1、9、14、17以及24的任一項所述的曝光裝置，上述液體供給機構提供和上述投影光學系統的前端的液體接觸面的親和性比和上述基板表面的親和性還高的液體。28.權利要求27所述的曝光裝置...
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