陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管及膜層圖形的制備方法制造方法及圖紙

一種膜層圖形的制備方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本發明專利技術實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。

Array substrate, display device, thin film transistor and method for preparing film pattern

A graphic film preparation method, thin film transistor array substrate, and display device, including: a photoresist layer is formed on the substrate; exposing the photoresist developer, a photoresist pattern is formed; the first film, the first film layer includes a first portion disposed in the photoresist pattern above and set up the second part of the gap between the photoresist graphics; in the first part of the first layer, an adhesion layer is formed; the first part of the first film to remove the photoresist pattern and the photoresist on the graph, to form a first film pattern. The embodiment of the invention reduces the adsorption and deposition of the film layer, and improves the yield of the film.

【技術實現步驟摘要】
陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管及膜層圖形的制備方法
本文涉及但不限于顯示技術，尤指一種陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管、膜層圖形的制備方法。
技術介紹
剝離(LiftOff)工藝是一種有別于傳統刻蝕工藝，可在納米至厘米尺度范圍形成微觀結構圖形的技術。LiftOff工藝主要用在所需沉積的兩層薄膜刻蝕選擇比較低、以及刻蝕過程會損傷下方膜層的情況。圖1(a)為相關技術中剝離工藝第一示意圖，如圖1(a)所示，首先利用曝光技術在基底1上形成用于刻蝕操作的光刻(PR)膠圖案2，將薄膜3沉積在PR膠上。圖1(b)為相關技術中剝離工藝的第二示意圖，如圖1(b)所示，當剝離PR膠時，PR膠被溶解，PR膠上的薄膜層隨之被除去。而沒有PR膠的地方，沉積的薄膜留了下來，圖案得以形成。PR膠被溶解后，PR膠上薄膜層在移動過程中被打散為細小的顆粒，這些顆粒就像雜質粒子(particle)一樣，易吸附在形成的圖案上，剝離過程不易除去，最終影響膜層的良率。另外，部分PR的側壁上也會沉積一定的薄膜，當需要除去的薄膜被處理完成時，側壁上的薄膜還可能殘留在側壁上，也將影響膜層的良率。
技術實現思路
以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。本專利技術實施例提供一種陣列基板、顯示裝置、薄膜晶體管及膜層圖形的制備方法，能夠避免薄膜的吸附和沉積，提升生成膜層的良率。本專利技術實施例提供了一種膜層圖形的制備方法，包括：在襯底上形成光刻膠層；對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，所述第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在所述第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除所述光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的所述第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。可選的，所述形成粘附層具體包括：在所述第一膜層上形成粘附層薄膜，進行曝光顯影，以形成所述粘附層。可選的，所述光刻膠層為負性光刻膠。可選的，所述光刻膠圖形在垂直于所述襯底方向的截面為兩個或兩個以上倒梯形結構。可選的，所述粘附層材料包括有機樹脂膠。另一方面，本專利技術實施例還提供一種薄膜晶體管，包括：采用上述制備方法制備。可選的，所述第一膜層為：柵極層或源漏極層。再一方面，本專利技術實施例還提供一種陣列基板，包括采用上述薄膜晶體管。還一方面，本專利技術實施例還提供一種顯示裝置，包括采用上述陣列基板。與相關技術相比，本申請技術方案包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本專利技術實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。本專利技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。附圖說明附圖用來提供對本專利技術技術方案的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本專利技術的技術方案，并不構成對本專利技術技術方案的限制。圖1(a)為相關技術中剝離工藝第一示意圖；圖1(b)為相關技術中剝離工藝的第二示意圖；圖2為本專利技術實施例膜層圖形的制備方法的流程圖；圖3(a)為本專利技術實施例形成粘附層時的膜層結構示意圖；圖3(b)為本專利技術實施例剝離過程示意圖；如圖4(a)為本專利技術實施例制備薄膜晶體管的第一示意圖；如圖4(b)為本專利技術實施例制備薄膜晶體管的第二示意圖；如圖4(c)為本專利技術實施例制備薄膜晶體管的第三示意圖；如圖4(d)為本專利技術實施例制備薄膜晶體管的第四示意圖；如圖4(e)為本專利技術實施例制備薄膜晶體管的第五示意圖；如圖4(f)為本專利技術實施例制備薄膜晶體管的第六示意圖。具體實施方式為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚明白，下文中將結合附圖對本專利技術的實施例進行詳細說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。圖2為本專利技術實施例膜層圖形的制備方法的流程圖，如圖2所示，包括：步驟200、在襯底上形成光刻膠層5；步驟201、對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；這里，光刻膠指光刻膠層中的光刻膠。步驟202、形成第一膜層3；這里，第一膜層3包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分3-1和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分3-2；步驟203、在第一膜層的第一部分3-1上面，形成粘附層4；可選的，本專利技術實施例形成粘附層具體包括：在第一膜層上形成粘附層薄膜，對形成的粘附層薄膜進行曝光顯影，以形成粘附層。需要說明的是，本專利技術實施例粘附層可以采用沉積、懸涂、刮涂等方式添加到本專利技術實施例的薄膜層上。可以由本領域技術人員根據工藝要求、成本、及材料進行分析確定。粘附層可以增大剝離過程中膜層碎片的尺寸，避免需要剝離的膜層被吸附。步驟204、去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層3的第一部分3-1，以形成第一膜層圖形。圖3(a)為本專利技術實施例形成粘附層時的膜層結構示意圖，如圖3(a)所示，光刻膠圖形為倒梯形結構，粘附層為本專利技術實施例新增的圖層；圖3(b)為本專利技術實施例剝離過程示意圖，如圖3(b)所示，粘附層粘附第一膜層的第一部分3-1，側壁部分在剝離過程中被剝離且體積較大。避免了沉積和吸附。可選的，本專利技術實施例光刻膠層為負性光刻膠。需要說明的是，本專利技術實施例負性光刻膠可以包括：AZ-CTP-100、KMT-T456；上述材料為本領域技術人員公知的材料代碼，在此不作贅述。可選的，本專利技術實施例光刻膠圖形在垂直于襯底方向的截面為兩個或兩個以上倒梯形結構。需要說明的是，倒梯形結構可以避免膜層在側壁的沉積，提升膜層生成的良率。本專利技術實施例還可以采用其他種類的光刻膠，用于實現本專利技術實施例的倒梯形結構。另外，倒梯形結構尺寸可以參照相關技術中矩形光刻膠的尺寸由本領域技術人員進行分析確定，一般設置倒梯形結構的上邊長與相關技術中矩形光刻膠的邊長相同。可選的，本專利技術實施例粘附層材料包括有機樹脂膠。可選的，本專利技術實施例粘附層由在剝離液中不溶解的有機樹脂膠構成。可選的，本專利技術實施例粘附層可以由以下材料之一構成：DL-1001-C、JM608-SS、JM549、JM548，上述材料為本領域技術人員公知的材料代碼，在此不作贅述。與相關技術相比，本申請技術方案包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。本專利技術實施例降低了膜層的吸附和和沉積，提升了膜層的生成良率。本專利技術實施例還提供一種薄膜晶體管，薄膜晶體管中膜層圖形的制備方法包括：在襯底上形成光刻膠層；對光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；這里，光刻膠指光刻膠層中的光刻膠。形成第一膜層；這里，第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在第一膜層的第一部分上面，形成粘附層本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種膜層圖形的制備方法，包括：在襯底上形成光刻膠層；對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，所述第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在所述第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除所述光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的所述第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。

【技術特征摘要】
1.一種膜層圖形的制備方法，包括：在襯底上形成光刻膠層；對所述光刻膠進行曝光顯影，形成光刻膠圖形；形成第一膜層，所述第一膜層包括設置在光刻膠圖形上面的第一部分和設置在光刻膠圖形之間的縫隙的第二部分；在所述第一膜層的第一部分上面，形成粘附層；去除所述光刻膠圖形和所述光刻膠圖形上的所述第一膜層的第一部分，以形成第一膜層圖形。2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成粘附層具體包括：在所述第一膜層上形成粘附層薄膜，進行曝光顯影，以形成所述粘附層。3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉清召，王珂，王久石，曹占鋒，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11