晶圓級扇出型封裝件及其制造方法技術

提供了一種晶圓級扇出型封裝件及其制造方法。制造晶圓級扇出型封裝件的方法包括：準備具有凸起的基體基底；將芯片設置在基體基底的凸起所處的表面上，并且使芯片與凸起分開布置；在基體基底上形成包封層，以包封芯片和凸起；去除基體基底，以暴露芯片的表面并且在包封層中形成與凸起對應的凹進；以及將被動元件設置在凹進中。在制造晶圓級扇出型封裝件的方法中，通過在形成包封層之后形成被動元件，使得能夠避免在形成包封層時由于包封層的材料的熱膨脹而引起的被動元件的相對位置發生偏移的問題。

Wafer level fan out type package and method of manufacturing the same

A wafer level fan out type package and a method of manufacturing the same are provided. Including the manufacturing method of wafer level package fanout: matrix substrate preparation has a convex surface; the chip bulges arranged on the base substrate, and the chip and raised separately; the formation of inclusion seal in the matrix substrate, with encapsulation chip and bulge; removing the base substrate, the surface exposed chip and in the encapsulation layer formed in corresponding concave and convex; and the passive element is arranged in the recess. In a manufacturing method of wafer level fanout package, through the formation of encapsulation layer after the formation of the passive components, which can avoid the relative position of passive components in the form of cover when package layer due to thermal expansion of materials of the excursion problem.

【技術實現步驟摘要】
晶圓級扇出型封裝件及其制造方法
本專利技術的示例性實施例涉及半導體封裝領域，具體地講，涉及一種集成有被動元件的晶圓級扇出型封裝件和制造該晶圓級扇出型封裝件的方法。
技術介紹
目前，在集成有被動元件的晶圓級扇出型封裝件中，由于晶圓級扇出型封裝件內的各元件的熱膨脹系數(CoefficientofThermalExpansion，CTE)不同，因此會導致被動元件在晶圓級扇出型封裝件中很容易發生位置偏移，繼而影響后續形成在被動元件上的電路層與被動元件之間發生電連接不良的缺陷。例如，當利用諸如環氧樹脂的包封材料對半導體芯片和被動元件進行包封時，會因包封材料的熱膨脹和收縮而導致被動元件發生位置偏移。圖1A至圖1D是示出了根據現有技術的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖。參照圖1A，在基體基底110上形成芯片120和與芯片120分開設置的被動元件130，并且在基體基底110上形成包封層140以包封芯片120和被動元件130。然后，參照圖1B，從芯片120和被動元件130去除基體基底110，以暴芯片120和被動元件130的表面。接下來，參照圖1C，在芯片120和被動元件130的暴露的表面上形成電路層150。最后，參照圖1D，在電路層150上形成焊球160。在形成包封層140以包封芯片120和被動元件130時，由于包封層140的材料的熱膨脹和收縮而導致被動元件130發生位置偏移，從而導致形成在被動元件上的電路層150與被動元件130之間發生電連接不良的缺陷。因此，需要一種新的集成有被動元件的晶圓級扇出型封裝件。
技術實現思路
為了解決現有技術中存在的上述問題，本專利技術的示例性實施例的目的在于提供一種晶圓級扇出型封裝件及其制造方法。根據本專利技術的實施例，提供了一種制造晶圓級扇出型封裝件的方法，所述方法包括：準備具有凸起的基體基底；將芯片設置在基體基底的凸起所處的表面上，并且使芯片與凸起分開布置；在基體基底上形成包封層，以包封芯片和凸起；去除基體基底，以暴露芯片的表面并且在包封層中形成與凸起對應的凹進；以及將被動元件設置在凹進中。所述方法還可以包括：在將被動元件設置在凹進中之前，在芯片的暴露的表面以及凹進上形成電路層。所述方法還可以包括：在將被動元件設置在凹進中之后，在電路層上設置焊球。被動元件可以通過回流焊設置在凹進中。凸起的上表面與基體基底的所述表面之間的距離可以為50μm-100μm。包封層可以包括環氧樹脂。根據本專利技術的另一實施例，提供了一種晶圓級扇出型封裝件，所述晶圓級扇出型封裝件包括：芯片，具有上表面、與上表面相對的下表面以及端部；包封層，覆蓋芯片的上表面和端部并暴露芯片的下表面，其中包封層在包封層的與芯片的下表面位于同一側的表面上具有開口；電路層，形成在芯片的下表面和開口上；以及被動元件，形成在開口中并與電路層接觸。所述晶圓級扇出型封裝件還可以包括設置在電路層上的焊球。被動元件可以通過回流焊與電路層連接。開口可以在包封層的厚度方向上具有50μm-100μm的厚度。如上所述，在晶圓級扇出型封裝件及其制造方法中，通過在形成包封層之后形成被動元件，使得能夠避免在形成包封層時由于包封層的材料的熱膨脹而引起的被動元件的相對位置發生偏移的問題，從而能夠改善被動元件與電路層之間的電路短路問題。另外，在晶圓級扇出型封裝件及其制造方法中，由于在形成電路層之后形成被動元件，從而極大地提高了制造精度；而且在形成被動元件期間可以對被動元件進行重制，從而提高良率。附圖說明通過以下結合附圖對實施例的描述，這些和/或其它方面將變得清楚且更容易理解，在附圖中：圖1A至圖1D是示出了根據現有技術的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖；圖2是示出了根據本專利技術的示例性實施例的晶圓級扇出型封裝件的示意圖；以及圖3至圖8是示出了根據本專利技術的示例性實施例的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖。具體實施方式現在將參照附圖更充分地描述本專利技術的實施例，在附圖中示出了本專利技術的示例性實施例。然而，本專利技術可以以許多不同的形式實施，而不應被解釋為局限于在此闡述的實施例；相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且這些實施例將向本領域的普通技術人員充分地傳達本專利技術的實施例的構思。在下面詳細的描述中，通過示例的方式闡述了多處具體的細節，以提供對相關教導的充分理解。然而，本領域技術人員應該清楚的是，可以實踐本教導而無需這樣的細節。在其它情況下，以相對高的層次而沒有細節地描述了公知的方法、步驟、組件和電路，以避免使本教導的多個方面不必要地變得模糊。附圖中的同樣的標號表示同樣的元件，因此將不重復對它們的描述。在附圖中，為了清晰起見，可能會夸大層和區域的尺寸和相對尺寸?，F在將在下文中參照附圖更充分地描述本專利技術。圖2是示出了根據本專利技術的示例性實施例的晶圓級扇出型封裝件的示意圖。參照圖2，根據本專利技術的實施例的晶圓級扇出型封裝件200包括：芯片220，具有上表面(未示出)、與上表面相對的下表面(未示出)以及端部(未示出)；包封層240，覆蓋芯片220的上表面以及端部并暴露芯片220的下表面，其中包封層240在包封層240的與芯片220的下表面位于同一側的表面上具有開口(或凹進)241；電路層250，形成在芯片220的下表面和開口241上；以及被動元件230，形成在開口241中并與電路層250接觸。芯片220可以具有上表面、與上表面相對的下表面以及端部。在本專利技術的示例性實施例中，芯片220可以是本領域中通常所熟知的芯片。包封層240覆蓋芯片220的上表面和端部并暴露芯片220的下表面。在本專利技術的示例性實施例中，包封層240在包封層240的與芯片220的下表面位于同一側的表面(例如，包封層240的下表面)上具有開口241。芯片220與開口241分開布置。在本專利技術的示例性實施例中，包封層240可以包括環氧樹脂，然而包封層不限于此。在本專利技術的示例性實施例中，開口241在包封層240的厚度方向(例如，豎直方向或與芯片的上表面垂直的方向)上可以具有50μm-100μm的厚度，然而，本專利技術不限于此，開口241可以具有能夠容納被動元件的任何適合的厚度。電路層250形成在芯片220的下表面和開口241上。在本專利技術的非限制性實施例中，可以使用本領域技術人員所熟知的任何適合的方法來在芯片220的下表面和開口241上形成電路層250。被動元件230形成在開口241中并與電路層250接觸(例如，電接觸)。在本專利技術的示例性實施例中，可以通過回流焊將被動元件230形成在電路層250上，然而本專利技術不限于此。在本專利技術的示例性實施例中，通過在形成包封層之后形成被動元件，使得能夠避免在形成包封層時由于包封層的材料的熱膨脹而引起的被動元件的相對位置發生偏移的問題，從而能夠改善被動元件與電路層之間的電路短路問題。下面將參照圖3至圖8詳細描述根據本專利技術的示例性實施例的制造晶圓級扇出型封裝件的方法。圖3至圖8是示出了根據本專利技術的示例性實施例的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖。參照圖3，首先，準備具有凸起211的基體基底210，然后在基體基底210的其上具有凸起211的表面上設置芯片220，并使芯片220與凸起211分開布置。在本專利技術的示例性實施例中，凸起的上表面與基體基底的所述表面之間的距離可以為50μm-100本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種制造晶圓級扇出型封裝件的方法，其特征在于，所述方法包括：準備具有凸起的基體基底；將芯片設置在基體基底的凸起所處的表面上，并且使芯片與凸起分開布置；在基體基底上形成包封層，以包封芯片和凸起；去除基體基底，以暴露芯片的表面并且在包封層中形成與凸起對應的凹進；以及將被動元件設置在凹進中。

【技術特征摘要】
1.一種制造晶圓級扇出型封裝件的方法，其特征在于，所述方法包括：準備具有凸起的基體基底；將芯片設置在基體基底的凸起所處的表面上，并且使芯片與凸起分開布置；在基體基底上形成包封層，以包封芯片和凸起；去除基體基底，以暴露芯片的表面并且在包封層中形成與凸起對應的凹進；以及將被動元件設置在凹進中。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在將被動元件設置在凹進中之前，在芯片的暴露的表面以及凹進上形成電路層。3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在將被動元件設置在凹進中之后，在電路層上設置焊球。4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，被動元件通過回流焊設置在凹進中。5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，凸起的上表面與基體基底的所述表面之間的距離為50μ...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張鵬，
申請(專利權)人：三星半導體中國研究開發有限公司，三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：江蘇,32