一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置，涉及濕法刻蝕技術領域，解決了現有濕法刻蝕設備的腔體的抽換氣系統調節能力有限，無法在保證濕法刻蝕工藝需求的情況下，保證腔體內的壓力平衡，從而導致揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體泄漏到腔體外部，對技術人員造成傷害，對環境造成污染的技術問題。該濕法刻蝕排氣系統包括：抽換氣管道和罩在濕法刻蝕設備的腔體的腔門上的真空罩體；其中，抽換氣管道與所述腔體相連，真空罩體與所述抽換氣管道相連；抽換氣管道通過第一閥控單元與腔體連通，抽換氣管道通過第二閥控單元與所述真空罩體連通。本發明專利技術應用于濕法刻蝕。

Wet etching exhaust system and wet etching device

The invention discloses a wet etching and wet etching device exhaust system, relates to the technical field of wet etching, solve the adjustment ability of pumping Ventilation System Co. existing wet etching equipment cavity, to ensure wet etching process requirements, to ensure the balance of pressure within the cavity, resulting in acidic gases and volatile by-products gas leakage to the outside of the chamber, causing damage to the technical staff, technical problems caused by the pollution of the environment. Including the wet etching exhaust system: smoke ventilation duct and cover in vacuum cavity wet etching equipment of the cavity on the door cover body; wherein, the ventilation duct and the pumping cavity is connected with the cover body, the vacuum pumping ventilation pipe connected to the pumping unit; the ventilation duct and cavity communicated through the first valve, air pump through the second pipeline valve control unit and the vacuum cover is connected. The invention is applied to wet etching.

【技術實現步驟摘要】
一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置
本專利技術涉及濕法刻蝕
，尤其涉及一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置。
技術介紹
目前，在薄膜晶體管液晶顯示器的生產過程中，常采用濕法刻蝕工藝在基板上形成特定圖案，具體地，將光刻膠覆蓋在基板上的部分金屬膜層上，然后使未被光刻膠覆蓋部分的金屬膜層與酸性溶液進行反應，以去除多余的金屬膜層。通常上述濕法刻蝕反應是在濕法刻蝕設備的腔體內進行的。如圖1所示，現有的濕法刻蝕設備包括腔體1，以及在腔體1的外側設置的抽氣裝置2，以利用抽氣裝置2將濕法刻蝕反應產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體抽離腔體1，以保證腔體1內的氣壓穩定。然而，專利技術人發現，在使用濕法刻蝕工藝刻蝕基板的過程中，局部過刻現象的嚴重程度和影響范圍均與濕法刻蝕設備的腔體1的抽換氣大小成正相關關系，而將抽氣裝置2的抽換氣閥門21完全關閉，可以有效改善局部過刻現象，但若將抽換氣閥門21完全關閉，則會使腔體1內的氣壓持續增大，導致揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體在氣壓作用下泄漏到腔體1外部，從而對技術人員造成傷害，對環境造成污染。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種濕法刻蝕排氣系統及濕法刻蝕裝置，用于在保證濕法刻蝕工藝需求的情況下，保證濕法刻蝕設備的腔體內壓力平衡，避免濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體泄漏到腔體外部。為達到上述目的，本專利技術提供一種濕法刻蝕排氣系統，采用如下技術方案：該濕法刻蝕排氣系統包括：抽換氣管道和罩在濕法刻蝕設備的腔體的腔門上的真空罩體；其中，所述抽換氣管道與所述腔體相連，所述真空罩體與所述抽換氣管道相連；所述抽換氣管道通過第一閥控單元與所述腔體連通，所述抽換氣管道通過第二閥控單元與所述真空罩體連通。與現有技術相比，本專利技術提供的濕法刻蝕排氣系統具有以下有益效果：在本專利技術提供的濕法刻蝕排氣系統中，不僅包括與濕法刻蝕設備的腔體相連的抽換氣管道，還包括罩在腔體的腔門上的真空罩體，該真空罩體與抽換氣管道相連，并且抽換氣管道不僅通過第一閥控單元與腔體連通、還通過第二閥控單元與真空罩體連通，從而使得在濕法刻蝕過程中，可完全關閉第一閥控單元，以改善濕法刻蝕過程中的局部過刻現象，同時可打開第二閥控單元，通過真空罩體收集從腔體的腔門泄漏出的濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體，并通過抽換氣管道及時將揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體排出，從而在保證濕法刻蝕設備的腔體內壓力平衡的情況下，避免了濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體泄漏到腔體外部，避免了對技術人員造成傷害，保護了環境。本專利技術還提供一種濕法刻蝕裝置包括上述濕法刻蝕排氣系統。與現有技術相比，本專利技術提供的濕法刻蝕裝置的有益效果與上述濕法刻蝕排氣系統的有益相同，故此處不再進行贅述。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現有技術中的濕法刻蝕設備的結構示意圖；圖2為本專利技術實施例提供的濕法刻蝕設備的結構示意圖。附圖標記說明：1—腔體，11—腔門，2—抽氣裝置，21—抽換氣閥門，3—抽換氣管道，4—真空罩體，5—第一閥控單元，51—第一過濾冷卻裝置，52—第一控制閥門，6—第二閥控單元，61—第二過濾冷卻裝置，62—第二控制閥門，7—可伸縮軟管，8—大氣壓鼓風裝置，9—升降架。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦＠夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。本專利技術實施例提供一種濕法刻蝕排氣系統，具體地，如圖2所示，該法刻蝕排氣系統包括：抽換氣管道3和罩在濕法刻蝕設備的腔體1的腔門11上的真空罩體4；其中，抽換氣管道3與腔體1相連，真空罩體4與抽換氣管道3相連；抽換氣管道3通過第一閥控單元5與腔體1連通，抽換氣管道3通過第二閥控單元6與真空罩體4連通。示例性地，在濕法刻蝕過程中，將需要刻蝕的產品放入腔體1中之后，可同時打開第一閥控單元5和第二閥控單元6，通過抽換氣管道3將濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體排出，也可將第一閥控單元5關閉，打開第二閥控單元6，通過真空罩體4收集濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體，并通過抽換氣管道3將上述氣體排出。在本實施例提供的濕法刻蝕排氣系統中，不僅包括與濕法刻蝕設備的腔體1相連的抽換氣管道3，還包括罩在腔體1的腔門11上的真空罩體4，該真空罩體與抽換氣管道3相連，并且抽換氣管道3不僅通過第一閥控單元5與腔體1連通、還通過第二閥控單元6與真空罩體4連通，從而使得在濕法刻蝕過程中，可完全關閉第一閥控單元5，以改善濕法刻蝕過程中的局部過刻現象，同時可打開第二閥控單元6，通過真空罩體4收集從腔體1的腔門11泄漏出的濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體，并通過抽換氣管道3及時將揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體排出，從而在保證濕法刻蝕設備的腔體1內壓力平衡的情況下，避免了濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體泄漏到腔體外部，避免了對技術人員造成傷害，保護了環境。示例性地，如圖2所示，真空罩體4可通過可伸縮軟管7與抽換氣管道3相連，從而可通過可伸縮軟管7調整真空罩體4的位置，使真空罩體4完全罩住腔門11。示例性地，如圖2所示，上述第一閥控單元5和第二閥控單元6沿氣體排出方向依次安裝在抽換氣管道3上，其中，第一閥控單元5包括沿氣體排出方向依次安裝在抽換氣管道3上的第一過濾冷卻裝置51和第一控制閥門52，第二閥控單元6包括沿氣體排出方向依次安裝在抽換氣管道3上的第二過濾冷卻裝置61和第二控制閥門62，以使得需要排出的氣體均可先通過過濾冷卻之后，再通過抽換氣管道3排出。示例性地，如圖1所示，該濕法刻蝕排氣系統還包括設置在真空罩體4外，且與真空罩體4相連的大氣壓鼓風裝置8，從而可以通過大氣壓鼓風裝置8，平衡真空罩體4內的氣壓大小，避免因真空罩體4處于持續抽真空狀態而形成局部負壓，進而對腔體1與外部的氣壓平衡造成影響的情況發生。具體地，該大氣壓鼓風裝置8可以是對真空罩體2充大氣的管路或鼓風機等，本領域技術人員可根據實際情況進行選擇，本專利技術實施例對此不進行限定。示例性地，還可在真空罩體與腔體的接觸位置設置密封圈，以進一步加強該濕法刻蝕排氣系統的密封性，從而有效避免濕法刻蝕過程中產生的揮發性酸性氣體以及反應副產物氣體泄漏到環境中。此外，如圖1所示，上述濕法刻蝕排氣系統還可包括用于控制真空罩體4升降的升降架9，升降架9與真空罩體4相連，通過升降架9可便于升降真空罩體4，以使得在濕法刻蝕設備需要調試以及維護時，便于工作人員操作。需要補充的是，由于濕法刻蝕過程中產生的氣體中含有揮發性酸性氣體，因此優選使用耐酸性材質的真空罩體，例如PVC等耐酸性材質，從而可以使得該真空罩體不易被腐蝕，使用壽命更長。類似地，上述連接真空罩體與抽換氣管道的可伸縮軟管本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，包括：抽換氣管道和罩在濕法刻蝕設備的腔體的腔門上的真空罩體；其中，所述抽換氣管道與所述腔體相連，所述真空罩體與所述抽換氣管道相連；所述抽換氣管道通過第一閥控單元與所述腔體連通，所述抽換氣管道通過第二閥控單元與所述真空罩體連通。

【技術特征摘要】
1.一種濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，包括：抽換氣管道和罩在濕法刻蝕設備的腔體的腔門上的真空罩體；其中，所述抽換氣管道與所述腔體相連，所述真空罩體與所述抽換氣管道相連；所述抽換氣管道通過第一閥控單元與所述腔體連通，所述抽換氣管道通過第二閥控單元與所述真空罩體連通。2.根據權利要求1所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述濕法刻蝕排氣系統還包括設置在所述真空罩體外，且與所述真空罩體相連的大氣壓鼓風裝置。3.根據權利要求1所述濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述真空罩體與所述腔體的接觸位置還設置有密封圈。4.根據權利要求1所述的濕法刻蝕排氣系統，其特征在于，所述濕法刻蝕排氣系統還包括用于控制所述真空罩體升降的升降架，所述升降架與所述真空罩體相連。5.根據權利要求1所述的濕...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李明暉，楊曉峰，呂耀軍，張超，王彬，李桂，
申請(專利權)人：成都京東方光電科技有限公司，京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：四川,51