散熱結(jié)構(gòu)及電子裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種散熱結(jié)構(gòu)及電子裝置，所述散熱結(jié)構(gòu)包括主板、連接于主板上的若干主芯片、覆蓋主芯片的結(jié)構(gòu)散熱件、及填充于主芯片與結(jié)構(gòu)散熱件之間的導熱硅膠體，所述導熱硅膠體的基材為硅橡膠，所述導熱硅膠體面向所述結(jié)構(gòu)散熱件的表面為平面，所述導熱硅膠體面向所述主芯片的表面設(shè)有若干凹槽與若干凸起，一主芯片與一凹槽或一凸起相對應。本發(fā)明專利技術(shù)的散熱結(jié)構(gòu)可在一定程度上解決裝配效率低且散熱性能差的問題。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
散熱結(jié)構(gòu)及電子裝置
本專利技術(shù)涉及電子裝置
，尤其涉及一種散熱結(jié)構(gòu)及應用該散熱結(jié)構(gòu)的電子裝置。
技術(shù)介紹
電子裝置中發(fā)熱組件與金屬結(jié)構(gòu)散熱體之間通常會有空氣填充間隙，導致散熱慢，一般會使用導熱材料，如導熱硅膠來填充間隙，使熱量從發(fā)熱組件迅速傳至金屬結(jié)構(gòu)散熱體，從而達到有效散熱。如圖1所示，現(xiàn)有的導熱硅膠1一般為單獨的片材，對應不同高度的發(fā)熱組件2，需要使用厚度不同的導熱硅膠1，物料種類多且繁瑣，裝配成本高。同時，發(fā)熱組件2之間的間隙沒有被填充，導致接觸面積小，散熱效果差。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的主要目的在于提供一種散熱結(jié)構(gòu)，旨在一定程度上解決散熱結(jié)構(gòu)裝配效率低、散熱效果差等問題。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供一種散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)包括主板、連接于主板上的若干主芯片、覆蓋主芯片的結(jié)構(gòu)散熱件、及填充于主芯片與結(jié)構(gòu)散熱件之間的導熱硅膠體，所述導熱硅膠體的基材為硅橡膠，所述導熱硅膠體面向所述結(jié)構(gòu)散熱件的表面為平面，所述導熱硅膠體面向所述主芯片的表面設(shè)有若干凹槽與若干凸起，一主芯片與一凹槽或一凸起相對應。優(yōu)選地，所述導熱硅膠體的厚度范圍為0.2mm-1mm。優(yōu)選地，當導熱硅膠體填充于所述結(jié)構(gòu)散熱件與主芯片之間時，所述導熱硅膠體任意一處的厚度壓縮量均相同。優(yōu)選地，所述導熱硅膠體的厚度壓縮量范圍為10％-50％。優(yōu)選地，所述主芯片設(shè)有四個，所述導熱硅膠體形成有三個凹槽及一凸起，其中三個主芯片對應三個凹槽，另一主芯片對應一凸起。優(yōu)選地，所述主板還連接有若干元器件，所述導熱硅膠體還填充所述結(jié)構(gòu)散熱件與若干元器件的間隙。優(yōu)選地，所述導熱硅膠體的成分包括高分子硅油、導熱填充劑、阻燃填充劑、交聯(lián)劑及色膠。優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)散熱件為屏蔽蓋，所述導熱硅膠體填充于所述屏蔽蓋與主芯片之間。優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)散熱件為中框或底殼，所述導熱硅膠體填充于所述主芯片與中框或底殼之間。本專利技術(shù)還提出一種電子裝置，所述電子裝置包括外殼與散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)為上述的散熱結(jié)構(gòu)，所述外殼形成有容納腔，所述散熱結(jié)構(gòu)容納于所述容納腔內(nèi)。本專利技術(shù)提出的散熱結(jié)構(gòu)中，位于若干主芯片與結(jié)構(gòu)散熱件之間的導熱硅膠體為一整體結(jié)構(gòu)，相比于分散的單獨體，一方面減少料號，減少管理成本，另一方面可以通過模具一體成型，便于加工，節(jié)約成本，在進行裝配時，也可以節(jié)約人力，提高裝配效率。此外，該導熱硅膠體面對結(jié)構(gòu)散熱件的表面為一平面，可與結(jié)構(gòu)散熱件進行良好的接觸，因若干主芯片的高度不一，故導熱硅膠體面向主芯片的表面設(shè)置凹槽與凸起，可以分別與不同高度的主芯片相對貼合，接觸性好，并同時能夠?qū)⒍鄠€主芯片之間的間隙連接起來，進一步增加散熱面積，從而可以提高散熱效果。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有的散熱結(jié)構(gòu)的局部剖視圖；圖2為本專利技術(shù)散熱結(jié)構(gòu)一實施例的爆炸圖；圖3為本專利技術(shù)散熱機構(gòu)的局部剖視圖；圖4為圖2所示散熱結(jié)構(gòu)的導熱硅膠體的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標號說明：標號名稱標號名稱100散熱結(jié)構(gòu)53凸起10主板70結(jié)構(gòu)散熱件30主芯片90元器件50導熱硅膠體1導熱硅膠51凹槽2發(fā)熱組件本專利技術(shù)目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。具體實施方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例中的附圖，對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術(shù)的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。需要說明，本專利技術(shù)實施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運動情況等，如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時，則該方向性指示也相應地隨之改變。另外，在本專利技術(shù)中涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。另外，各個實施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合，但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ)，當技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實現(xiàn)時應當認為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在，也不在本專利技術(shù)要求的保護范圍之內(nèi)。本專利技術(shù)提供一種散熱結(jié)構(gòu)100，應用于電子裝置(未圖示)。請參照圖2至圖4，散熱結(jié)構(gòu)100包括主板10、連接于主板10上的若干主芯片30、覆蓋主芯片30的結(jié)構(gòu)散熱件70、及填充于主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70之間的導熱硅膠體50，導熱硅膠體50的基材為硅橡膠，導熱硅膠體50面向結(jié)構(gòu)散熱件70的表面為平面，導熱硅膠體50面向主芯片30的表面設(shè)有若干凹槽51與若干凸起53，一主芯片30與一凹槽51或一凸起53相對應。本專利技術(shù)技術(shù)方案中，主板10上的主芯片30是電子芯片的重要組成部分，其工作過程中會產(chǎn)生大量熱量，應及時將熱量排出結(jié)構(gòu)散熱件70外，才能保證該電子裝置100的穩(wěn)定工作性能。主板10上的主芯片30一般包括內(nèi)存芯片、CPU、電源芯片及充電管理芯片等。由于各個主芯片30的形狀與高度不同，故在使用導熱硅膠體50時，需要對應每一主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70的距離來進行分析，預留一定的壓縮量，從而相對于導熱硅膠體50的基準面上設(shè)置不同深度和形狀的凹槽51或凸起53，以與主芯片30相匹配，從而達到穩(wěn)定的接觸性能，加快傳熱速度，提高該散熱結(jié)構(gòu)100的散熱性能。本專利技術(shù)提出的散熱結(jié)構(gòu)100中，位于若干主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70之間的導熱硅膠體50為一整體結(jié)構(gòu)，相比于分散的單獨體，一方面減少料號，減少管理成本，另一方面可以通過模具一體成型，便于加工，節(jié)約成本，在進行裝配時，也可以節(jié)約人力，提高裝配效率。此外，該導熱硅膠體50面對結(jié)構(gòu)散熱件70的表面為一平面，可與結(jié)構(gòu)散熱件70進行良好的接觸，因若干主芯片30的高度不一，故導熱硅膠體50面向主芯片30的表面設(shè)置凹槽51與凸起53，可以分別與不同高度的主芯片30相對貼合，接觸性好，并同時能夠?qū)⒍鄠€主芯片30之間的間隙連接起來，進一步增加散熱面積，從而可以提高散熱效果。此外，該導熱硅膠體50為一整體結(jié)構(gòu)，凹槽51與凸起53的設(shè)置使得導熱硅膠體50的厚度不一，以此可以使得厚度較薄的部位不易被撕裂，增強整體的強度，減少不良損耗。根據(jù)實際測試得出，導熱硅膠體50的厚度范圍為0.2mm-1mm。本實施例中，導熱硅膠體50因所對應的主芯片30不同，故其厚度也不一，具體地，根據(jù)通常的情況下，在考慮導熱硅膠體50在使用時會有厚度上的壓縮量，故將導熱硅膠體50的厚度范圍設(shè)為0.2mm-1mm之間，可以使得導熱硅膠體50與結(jié)構(gòu)散熱件70及主芯片30之間的接觸性良好，從而能夠提供該電子裝置100的導熱性能，延長其使用壽命。優(yōu)選的實施例中，當導熱硅膠體50填充于結(jié)構(gòu)散熱件70與主芯片30之間時，導熱硅膠體50任意一處的厚度壓縮量均相同。本實施例中，在制作導熱硅膠體50時，首先考慮多個主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70之間的間距，然后將多個主芯片30本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種散熱結(jié)構(gòu)，應用于電子裝置，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)包括主板、連接于主板上的若干主芯片、覆蓋主芯片的結(jié)構(gòu)散熱件、及填充于主芯片與結(jié)構(gòu)散熱件之間的導熱硅膠體，所述導熱硅膠體的基材為硅橡膠，所述導熱硅膠體面向所述結(jié)構(gòu)散熱件的表面為平面，所述導熱硅膠體面向所述主芯片的表面設(shè)有若干凹槽與若干凸起，一主芯片與一凹槽或一凸起相對應。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種散熱結(jié)構(gòu)，應用于電子裝置，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)包括主板、連接于主板上的若干主芯片、覆蓋主芯片的結(jié)構(gòu)散熱件、及填充于主芯片與結(jié)構(gòu)散熱件之間的導熱硅膠體，所述導熱硅膠體的基材為硅橡膠，所述導熱硅膠體面向所述結(jié)構(gòu)散熱件的表面為平面，所述導熱硅膠體面向所述主芯片的表面設(shè)有若干凹槽與若干凸起，一主芯片與一凹槽或一凸起相對應。2.如權(quán)利要求1所述的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導熱硅膠體的厚度范圍為0.2mm-1mm。3.如權(quán)利要求1所述的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，當導熱硅膠體填充于所述結(jié)構(gòu)散熱件與主芯片之間時，所述導熱硅膠體任意一處的厚度壓縮量均相同。4.如權(quán)利要求2或3所述的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導熱硅膠體的厚度壓縮量范圍為10％-50％。5.如權(quán)利要求1所述的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主芯片設(shè)有四個，所述導熱...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙志輝，
申請(專利權(quán))人：深圳天瓏無線科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東,44