The invention discloses a P type double sided PERC solar cell, including the main gate, silver aluminum gate line, on the back of the silicon nitride film, alumina film, back type P and N type silicon emitter, positive silicon nitride film and a positive silver electrode; the backside silicon nitride film, alumina film, P type silicon back N type emitter, positive silicon nitride film and a positive silver electrode are stacked sequentially connected from the first; the back of silicon nitride film and back alumina film after laser slot is formed with a plurality of laser slotted area, Laser Grooving area including aluminum gate slot region along the aluminum gate line printed circuit slot, each aluminum gate slot region set in at least 1 sets of laser slotting unit, connected to the gate line through the slot region of aluminum aluminum gate and P type silicon; the aluminum gate line and the back silver main gate is vertically connected; the spacing between the aluminum gate line is not equal. The invention also discloses a P type PERC double sided solar energy component and system. The invention can absorb sunlight both sides, enlarge the application range of the solar cell and improve the photoelectric conversion efficiency.
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
P型PERC雙面太陽能電池、組件和系統(tǒng)
本專利技術(shù)涉及太陽能電池領(lǐng)域,尤其涉及一種P型PERC雙面太陽能電池;本專利技術(shù)還涉及一種P型PERC雙面太陽能電池、組件和系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能,利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件,當(dāng)太陽光照在半導(dǎo)體P-N結(jié)上,形成新的空穴-電子對(duì),在P-N結(jié)電場(chǎng)的作用下,空穴由N區(qū)流向P區(qū),電子由P區(qū)流向N區(qū),接通電路后就形成電流。傳統(tǒng)晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術(shù),在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅膜,降低少子在前表面的復(fù)合速率,可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流,從而提升晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。隨著對(duì)晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率的要求越來越高,人們開始研究PERC背鈍化太陽電池技術(shù)。目前業(yè)界主流廠家的焦點(diǎn)集中在單面PERC太陽能電池的量產(chǎn),而P型PERC雙面太陽能電池,由于光電轉(zhuǎn)換效率高,同時(shí)雙面吸收太陽光,發(fā)電量更高,在實(shí)際應(yīng)用中具有更大的使用價(jià)值。但是,目前P型PERC雙面太陽能電池也僅僅是一些研究機(jī)構(gòu)在實(shí)驗(yàn)室做的研究,如何將P型PERC雙面太陽能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化從而適應(yīng)大批量生產(chǎn),有待本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)一步探討和研究。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種P型PERC雙面太陽能電池,可雙面吸收太陽光,擴(kuò)大太陽能電池的應(yīng)用范圍和提高光電轉(zhuǎn)換效率。本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種P型PERC雙面太陽能電池、組件和系統(tǒng),可雙面吸收太陽光,擴(kuò)大太陽能電池的應(yīng)用范圍和提高光電轉(zhuǎn)換效率。為了解決上述技術(shù)問題,本專利技術(shù)提供了一種P型PERC雙面太 ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,包括背銀主柵、鋁柵線、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極;所述背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極從下至上依次層疊連接;所述背面氮化硅膜和背面氧化鋁膜經(jīng)過激光開槽后形成若干個(gè)激光開槽區(qū),激光開槽區(qū)包括沿鋁柵線印刷線路開槽的鋁柵開槽區(qū),每個(gè)鋁柵開槽區(qū)內(nèi)設(shè)置至少1組激光開槽單元,所述鋁柵線通過鋁柵開槽區(qū)與P型硅相連;所述鋁柵線與背銀主柵垂直連接;所述鋁柵線之間的間距不相等。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,包括背銀主柵、鋁柵線、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極;所述背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極從下至上依次層疊連接;所述背面氮化硅膜和背面氧化鋁膜經(jīng)過激光開槽后形成若干個(gè)激光開槽區(qū),激光開槽區(qū)包括沿鋁柵線印刷線路開槽的鋁柵開槽區(qū),每個(gè)鋁柵開槽區(qū)內(nèi)設(shè)置至少1組激光開槽單元,所述鋁柵線通過鋁柵開槽區(qū)與P型硅相連;所述鋁柵線與背銀主柵垂直連接;所述鋁柵線之間的間距不相等。2.如權(quán)利要求1所述P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,還包括柵線脊骨,柵線脊骨設(shè)置在鋁柵線上,所述柵線脊骨與背鋁柵線連接;所述柵線脊骨的圖案為一條連續(xù)的直線或多個(gè)線段組成的虛線;所述柵線脊骨的根數(shù)為1-20條;所述柵線脊骨由銀漿制成,其寬度為30-60微米;或,所述柵線脊骨由鋁漿制成,其寬度為50-500微米。3.如權(quán)利要求2所述P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,所述激光開槽區(qū)還包括沿柵線脊骨印刷線路開槽的脊骨開槽區(qū),每個(gè)脊骨開槽區(qū)內(nèi)設(shè)置至少1組激光開槽單元,所述柵線脊骨通過脊骨開槽區(qū)與P型硅相連。4.如權(quán)利要求1所述P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于,還包括鋁柵外框,所述鋁柵外框?yàn)樗姆竭吙颍X柵外框分別與鋁柵線和背銀主柵的端點(diǎn)連接;所述鋁柵外框的每條邊框的寬度為30-1000μm。5.如權(quán)利要求4所述P型PERC雙面太陽能電池,其特征在于...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:方結(jié)彬,何達(dá)能,陳剛,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:廣東愛康太陽能科技有限公司,
類型:發(fā)明
國(guó)別省市:廣東,44
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