電路板和使用該電路板的半導體發光器件封裝件制造技術

本發明專利技術提供了一種半導體發光器件封裝件和一種用于安裝半導體發光器件的電路板。所述半導體發光器件封裝件包括：包括多個電極的半導體發光器件；包括安裝區的電路板，半導體發光器件位于電路板的安裝區上；以及電路板上的多個電極焊盤，所述多個電極焊盤電連接至所述多個電極，其中，所述多個電極焊盤中的每一個包括第一區和第二區，第一區與安裝區重疊，并且第二區是除第一區以外的區，并且其中所述多個電極焊盤按照圍繞安裝區的樞軸點旋轉對稱的形狀排列。

Circuit board and semiconductor light emitting device package using the circuit board

The present invention provides a semiconductor light emitting device package and a circuit board for mounting a semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device package includes a semiconductor light emitting device includes a plurality of electrodes; including circuit board mounting area, the installation area of semiconductor light emitting devices located on the circuit board; the circuit board and a plurality of electrode pads, a plurality of electrode pads electrically connected to the plurality of electrodes, wherein and the plurality of electrode pads each include a first region and a second region, the first region and overlapping installation area and the second area is in addition to the first area outside the region, and wherein a plurality of electrode pads are arranged according to the pivot point around the installation area of rotationally symmetric shape.

【技術實現步驟摘要】
電路板和使用該電路板的半導體發光器件封裝件相關申請的交叉引用以引用方式將2015年12月16日在韓國知識產權局提交的標題為“用于安裝半導體發光器件的電路板和使用該電路板的半導體發光器件封裝件”的韓國專利申請No.10-2015-0179906的全文并入本文中。
本公開涉及用于在其上安裝半導體發光器件的電路板并且涉及使用該電路板的半導體發光器件封裝件。
技術介紹
用于在其上安裝發光裝置的電路板的作用是根據預定設計容易地連接各種電子產品的器件，并且其廣泛地用于從例如數字電視(TV)的家用電器至高級電信設備的各種電子產品中。然而，安裝在電路板上的例如半導體發光器件的電子裝置會由于當鍵合至電路板時所需的高鍵合溫度而具有鍵合限制。
技術實現思路
本公開的一方面可提供一種安裝在電路板上的半導體發光器件并且提供一種利用所述半導體發光器件的半導體發光器件封裝件，該半導體發光器件由于減少的缺陷而具有提高的產品可靠性，例如，所述缺陷由施加至半導體發光器件的熱應力和由在鍵合過程中鍵合材料的量不平衡所導致。根據本公開的一方面的半導體發光器件封裝件可包括：包括多個電極的半導體發光器件；以及電路板，其具有在其上布置分別電連接至所述多個電極的多個電極焊盤的表面。所述多個電極焊盤中的每一個可包括第一區和除第一區以外的第二區，第一區與其中安裝有半導體發光器件的區重疊，并且所述多個電極焊盤可按照圍繞其中安裝有半導體發光器件的區的樞軸點旋轉對稱的形狀布置。根據本公開的另一方面的半導體發光器件封裝件可包括：電路板，其具有一表面，該表面上布置分別由具有不同組成的材料形成的第一區和第二區的多個電極焊盤；以及安裝在所述多個電極焊盤的第一區中的半導體發光器件。所述多個電極焊盤可按照圍繞其中安裝有半導體發光器件的區的樞軸點旋轉對稱的形狀布置。根據本公開的另一方面的用于安裝半導體發光器件的電路板可包括：底部襯底，其具有彼此相對的第一表面和第二表面；以及多個電極焊盤，其布置在底部襯底的第一表面上。當從底部襯底上方觀看時，所述多個電極焊盤可按照圍繞底部襯底的中心區旋轉對稱的形狀布置。根據本公開的另一方面的半導體發光器件封裝件可包括：包括多個電極的半導體發光器件；電路板，半導體發光器件位于該電路板上；以及電路板上的多個電極焊盤，所述多個電極焊盤分別電連接至半導體發光器件的所述多個電極，其中，所述多個電極焊盤中的每一個包括第一區和第二區，第一區和第二區包括不同的材料層，并且半導體發光器件僅與電極焊盤中的每一個的第一區和第二區當中的第一區重疊。附圖說明通過參照附圖詳細描述示例性實施例，特征將對于本領域普通技術人員變得清楚，其中：圖1示出了根據本公開的示例實施例的半導體發光器件封裝件的透視圖；圖2示出了沿著圖1所示的半導體發光器件的線I-I'截取的剖視圖；圖3示出了圖1所示的半導體發光器件封裝件的分解透視圖；圖4示出了從上方觀看的圖3所示的電路板的示圖；圖5示出了在圖1所示的半導體發光器件封裝件中采用的半導體發光器件的剖視圖；圖6示出了圖3中的電路板的另一示例實施例；圖7示出了圖3中的電路板的另一示例實施例；圖8至圖12示出了制造圖1所示的半導體發光器件封裝件的過程中的操作的示圖；圖13示出了根據本公開的示例實施例的包括通信模塊的燈(照明裝置)的示意性分解透視圖；以及圖14示出了根據本公開的示例實施例的照明裝置中的桿式燈的示意性分解透視圖。具體實施方式下文中，將參照附圖如下描述本公開的實施例。在本公開的示例實施例的描述中，使用由三組整數表示的米勒指數作為描述晶體平面或晶體方向的符號。相對于晶體軸線具有相同的相對對稱性的多個平面和方向在晶體術語上是等效的。另外，具有給定米勒指數的平面和方向可僅通過選擇晶胞的位置和取向的方法在晶格內運動。可將等效平面和方向標記為單個族群。此外，只要不存在不同的描述，族群(例如，屬于晶面{100}的單個平面)的描述都可以等同地應用于三個等效平面(100)、(010)和(001)。圖1是根據本公開的示例實施例的半導體發光器件封裝件的透視圖，并且圖2是沿著圖1所示的半導體發光器件封裝件的線I-I'截取的剖視圖。圖3是圖1所示的半導體發光器件封裝件的分解透視圖，并且圖4是從頂視圖觀看的圖3所示的電路板的示圖。圖5是在圖1所示的半導體發光器件封裝件中采用的半導體發光器件的剖視圖。參照圖1和圖2，根據本公開的示例實施例的半導體發光器件封裝件10可包括：半導體發光器件200，其上設有多個電極271和281；以及電路板100，其上安裝有半導體發光器件200。另外，半導體發光器件封裝件10還可包括將半導體發光器件200鍵合在電路板100上的鍵合材料S。參照圖5，半導體發光器件200可包括：透光襯底210，其具有第一表面B和與第一表面B相對的第二表面C；發光結構230，其布置在透光襯底210的第一表面B上；以及第一電極270和第二電極280，其分別連接至發光結構230。透光襯底210可為用于半導體生長的襯底，包括諸如藍寶石、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等材料。在這種情況下，藍寶石是具有六方-菱形(Hexa-Rhombo)R3c對稱性的晶體，在c軸和a軸的方向上分別具有和的晶格常數，并且包括C面(0001)、A面(11-20)、R面(1-102)等。在這種情況下，由于氮化物薄膜可相對容易地在C面上生長，并且C面在相對高溫下穩定，因此C面通常用作氮化物生長襯底。透光襯底210可包括彼此相對的表面，并且可在所述相對的表面中的至少一個上形成不平結構。可通過蝕刻透光襯底210的一部分或者通過形成與透光襯底210不同的異性材料層來提供不平結構。如圖5所示，在這樣一種情況下，其中在透光襯底210的設為發光結構230的生長表面的第一表面B上(例如，直接)形成不平結構，由透光襯底210與第一導電半導體層230a之間的界面的晶體常數的差異所導致的應力可減小。也就是說，不平結構在透射襯底210與發光結構230之間。例如，在這樣一種情況下，其中在藍寶石襯底上(例如，直接)生長基于氮化物的III族半導體層，藍寶石襯底與基于氮化物的III族化合物半導體層之間的晶格常數的差異會導致位錯缺陷。位錯缺陷會從襯底朝著半導體層蔓延，從而導致半導體層晶體的質量劣化。因此，在示例實施例中，由于在透光襯底210上(例如，直接)設置包括凸出部分的不平結構，因此第一導電半導體層230a(例如，直接)生長在凸出部分的側部上，從而防止位錯缺陷從透光襯底210蔓延至第一導電半導體層230a。因此，可提供高質量發光二極管封裝件，從而增大內量子效率。另外，由于不平結構可導致通過有源層230b發射的光的路徑改變，因此可減少在半導體層內吸收的光的比率，并且可增大光散射率從而可提高光提取效率。透光襯底210的厚度tc可為約100μm或更小，例如，約1μm至約20μm，但不限于此。可通過將用于半導體生長的生長襯底拋光來獲得厚度范圍。詳細地說，可通過磨削第二表面C或者通過研磨的方法來拋光生長襯底，在研磨的方法中，通過磨耗的功能并利用研磨機和研磨粉等的磨削來拋光生長襯底。可在透光襯底210與發光結構230之間布置緩沖層220。舉例而言，如果在透光襯底210上(例如，直接)生長本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體發光器件封裝件，包括：包括多個電極的半導體發光器件；電路板，其包括安裝區，半導體發光器件位于電路板的安裝區上；以及電路板上的多個電極焊盤，所述多個電極焊盤分別電連接至所述多個電極，其中，所述多個電極焊盤中的每一個包括第一區和第二區，第一區與安裝區重疊，并且第二區是除第一區以外的區，并且其中，所述多個電極焊盤按照圍繞安裝區的樞軸點旋轉對稱的形狀排列。

【技術特征摘要】
2015.12.16 KR 10-2015-01799061.一種半導體發光器件封裝件，包括：包括多個電極的半導體發光器件；電路板，其包括安裝區，半導體發光器件位于電路板的安裝區上；以及電路板上的多個電極焊盤，所述多個電極焊盤分別電連接至所述多個電極，其中，所述多個電極焊盤中的每一個包括第一區和第二區，第一區與安裝區重疊，并且第二區是除第一區以外的區，并且其中，所述多個電極焊盤按照圍繞安裝區的樞軸點旋轉對稱的形狀排列。2.根據權利要求1所述的半導體發光器件封裝件，其中，所述多個電極焊盤中的每一個的第一區在電路板的其上安裝有半導體發光器件的區中，并且所述多個電極焊盤中的每一個的第二區在電路板的邊緣區中。3.根據權利要求1所述的半導體發光器件封裝件，其中，所述多個電極焊盤中的每一個具有相同形狀。4.根據權利要求1所述的半導體發光器件封裝件，其中，所述多個電極焊盤中的每一個的第一區中的材料的組成與所述多個電極焊盤中的每一個的第二區中的材料的組成不同。5.根據權利要求1所述的半導體發光器件封裝件，其中，所述多個電極焊盤中的每一個的第二區的反射率等級大于所述多個電極焊盤中的每一個的第一區的反射率等級。6.根據權利要求1所述的半導體發光器件封裝件，還包括半導體發光器件與所述多個電極焊盤中的每一個的第一區之間的鍵合材料和倒裝芯片結構。7.根據權利要求6所述的半導體發光器件封裝件，其中，鍵合材料包括與所述多個電極焊盤中的每一個的第一區中的材料具有相同組成的材料。8.根據權利要求1所述的半導體發光器件封裝件，其中，所述多個電極焊盤在物理上彼此分離以電絕緣。9.根據權利要求8所述的半導體發光器件封裝件，其中，所述多個電極焊盤通過絕緣反射層電絕緣。10.根據權利要求9所述的半導體發光器件封裝件，其中，絕緣反射層包括TiO2、SiO2、SiN、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、T...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宋鐘燮，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國,KR