【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
具有天線結(jié)構(gòu)的印刷電路板產(chǎn)品及其生產(chǎn)方法
本專利技術(shù)涉及用于生產(chǎn)具有天線結(jié)構(gòu)用于高頻應(yīng)用的中間印刷電路板產(chǎn)品的方法。本專利技術(shù)還涉及中間印刷電路板產(chǎn)品以及具有天線結(jié)構(gòu)的印刷電路板。
技術(shù)介紹
一旦工作頻率增加到500MHz及以上,通常對(duì)設(shè)計(jì)者可用的用于制造印刷電路板(PCB)的層壓板的選擇就顯著減少。不利的是,經(jīng)常用于低成本制造印刷電路板的標(biāo)準(zhǔn)層壓板材料如基于FR-4層壓板具有比較高的相對(duì)電容率,具有近似在4.3與5.4之間的范圍內(nèi)的介電常數(shù)DC。FR-4(或者FR4)是對(duì)玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧層壓片、管、棒和印刷電路板(PCB)指定的等級(jí)表示。FR-4命名了由帶環(huán)氧樹脂粘合劑作為阻燃的編織玻璃纖維布構(gòu)成的復(fù)合材料。由于各自的高相對(duì)電容率和介電常數(shù),這些基本層壓板不能用于如高速天線的高頻應(yīng)用和/或者工作于500MHz及以上頻率的數(shù)字應(yīng)用,特別是不能用于在30GHz及以上高頻的高頻應(yīng)用。對(duì)于這些高頻應(yīng)用,要求所謂RF層壓板(RF是射頻的縮寫)在保持標(biāo)準(zhǔn)層壓板的所有其他可取的屬性的同時(shí),對(duì)于改善的插入損耗和信號(hào)完整性,具有低的介質(zhì)損耗以及低的導(dǎo)體損耗。為了提供優(yōu)越的高頻性能,設(shè)計(jì)如基于PTFE(裝四氟乙烯,)的材料的這種RF層壓板或者碳?xì)浠衔锾沾蓪訅喊澹瞧浞浅0嘿F。此外,當(dāng)應(yīng)用這些RF層壓板時(shí),在PCB加工中的處理工作量和處理成本非常高。在電信領(lǐng)域,存在幾種類型的微帶天線,其還被稱為印刷天線。其最常見形式分別是微帶貼片天線或者貼片天線。也被稱為矩形微帶天線的貼片天線是一種具有低剖面的無(wú)線電天線,其能夠安裝于平整表面上。通常,其由安裝于被稱為地平面的較大金屬片上 ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于生產(chǎn)具有天線結(jié)構(gòu)(5)的中間印刷電路板產(chǎn)品(80)的方法,所述方法包括下面的步驟:?提供地層(10);?任選地,將具有釋放層形狀(25)的釋放層(20)裝接于所述地層(10)的一個(gè)外側(cè)(11)上,其中所述釋放層(20)可移除地安置于所述地層(10)的所述外側(cè)(11)的天線子區(qū)(12)上;?將介質(zhì)絕緣層(30)裝接于由(如適用的)所述釋放層(20)部分地覆蓋的所述地層(10)的一個(gè)外側(cè)(11)上,其中所述釋放層(20)布置于所述地層(10)與所述介質(zhì)絕緣層(30)之間;?將導(dǎo)電層(40)與所述地層(10)對(duì)置地裝接于所述介質(zhì)絕緣層(30)的第一外側(cè)(31)上,其中所述介質(zhì)絕緣層(30)布置于所述導(dǎo)電層(40)與所述地層(10)之間;?層壓所述地層(10)、所述至少一個(gè)介質(zhì)絕緣層(30,30’)、所述至少一個(gè)導(dǎo)電層(40,40’)和(如適用的)所述釋放層(20);以及?任選地,將層布置裝接于所述導(dǎo)電層(40)的第一外側(cè)(41)上,所述層布置包括至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’,30”)和至少一個(gè)附加導(dǎo)電層(40’,40”),從而將至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’)裝接于所述導(dǎo)電層(40 ...
【技術(shù)特征摘要】
2016.02.29 EP 16157837.21.一種用于生產(chǎn)具有天線結(jié)構(gòu)(5)的中間印刷電路板產(chǎn)品(80)的方法,所述方法包括下面的步驟:-提供地層(10);-任選地,將具有釋放層形狀(25)的釋放層(20)裝接于所述地層(10)的一個(gè)外側(cè)(11)上,其中所述釋放層(20)可移除地安置于所述地層(10)的所述外側(cè)(11)的天線子區(qū)(12)上;-將介質(zhì)絕緣層(30)裝接于由(如適用的)所述釋放層(20)部分地覆蓋的所述地層(10)的一個(gè)外側(cè)(11)上,其中所述釋放層(20)布置于所述地層(10)與所述介質(zhì)絕緣層(30)之間;-將導(dǎo)電層(40)與所述地層(10)對(duì)置地裝接于所述介質(zhì)絕緣層(30)的第一外側(cè)(31)上,其中所述介質(zhì)絕緣層(30)布置于所述導(dǎo)電層(40)與所述地層(10)之間;-層壓所述地層(10)、所述至少一個(gè)介質(zhì)絕緣層(30,30’)、所述至少一個(gè)導(dǎo)電層(40,40’)和(如適用的)所述釋放層(20);以及-任選地,將層布置裝接于所述導(dǎo)電層(40)的第一外側(cè)(41)上,所述層布置包括至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’,30”)和至少一個(gè)附加導(dǎo)電層(40’,40”),從而將至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’)裝接于所述導(dǎo)電層(40)的所述第一外側(cè)(41)上,并且將至少一個(gè)附加導(dǎo)電層(40’)裝接于至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’,30”)的第一外側(cè)(31)上,以獲得第一半成品(50);-在所述第一半成品(50)內(nèi)制作至少一個(gè)天線腔體(60),所述至少一個(gè)天線腔體(60)在所述第一半成品(50)的由所述至少一個(gè)導(dǎo)電層(40,40’)構(gòu)成的外側(cè)(51)上開始,并且貫穿至少一個(gè)導(dǎo)電層(40)和至少一個(gè)介質(zhì)絕緣層(30)延伸,所述至少一個(gè)天線腔體(60)具有等于至少一個(gè)導(dǎo)電層高度(45)和至少一個(gè)介質(zhì)絕緣層高度(35)之和的腔體高度(65),其中腔體投影區(qū)(61)對(duì)應(yīng)于(如適用的)所述釋放層形狀(25),并且將所述腔體投影區(qū)(61)安置于由所述釋放層(20)覆蓋的所述天線子區(qū)(12)上,并且其中所述腔體(60)的地平面區(qū)(62)由所述釋放層(20)構(gòu)成;-任選地,所述天線腔體(60)內(nèi)的所述側(cè)壁(67,68)的涂層(66);-將復(fù)合信號(hào)層(70)裝接于由所述第一半成品(50)的所述導(dǎo)電層(40)構(gòu)成的所述外側(cè)(51)上,其中所述復(fù)合信號(hào)層(70)覆蓋所述天線腔體(60);-層壓所述第一半成品(50)和所述復(fù)合信號(hào)層(70),以獲得中間印刷電路板產(chǎn)品(80)。2.一種用于生產(chǎn)具有天線結(jié)構(gòu)(5)的中間印刷電路板產(chǎn)品(80)的方法,包括下面的步驟:-提供地層(10);-將介質(zhì)絕緣層(30)裝接于所述地層(10)的一個(gè)外側(cè)(11)上,其中所述介質(zhì)絕緣層(30)具有貫穿所述介質(zhì)絕緣層(30)的所述介質(zhì)絕緣層高度(35)延伸的至少一個(gè)凹槽(39),并且其中將所述至少一個(gè)凹槽(39)安置于所述地層(10)的所述外側(cè)(11)的天線子區(qū)(12)上;-將導(dǎo)電層(40)與所述地層(10)對(duì)置地裝接于所述介質(zhì)絕緣層(30)的第一外側(cè)(31)上,其中所述介質(zhì)絕緣層(30)布置于所述導(dǎo)電層(40)與所述地層(10)之間,并且其中所述導(dǎo)電層(40)優(yōu)選地具有貫穿所述導(dǎo)電層(40)的所述導(dǎo)電層高度(45)延伸的至少一個(gè)凹槽(49),其中至少一個(gè)凹槽(49)與所述介質(zhì)絕緣層(30)的所述至少一個(gè)凹槽(39)共同延伸地安置;-層壓所述地層(10)、所述至少一個(gè)介質(zhì)絕緣層(30)以及所述至少一個(gè)導(dǎo)電層(40);以及-任選地,將層布置裝接于所述導(dǎo)電層(40)的第一外側(cè)(41)上,所述層布置包括至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30,30’)和至少一個(gè)附加導(dǎo)電層(40’,40”),從而將至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’,30’‘)裝接于所述導(dǎo)電層(40)的所述第一外側(cè)(41)上,并且將至少一個(gè)附加導(dǎo)電層(40’)裝接于至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’)的第一外側(cè)(31)上,并且其中優(yōu)選地至少一個(gè)附加介質(zhì)絕緣層(30’,30”)和至少一個(gè)附加導(dǎo)電層(40’,40”)具有至少一個(gè)凹槽(39,49),所述至少一個(gè)凹槽(39,49)與至少一個(gè)所述在前凹槽(39,49)配準(zhǔn)地并且與天線子區(qū)(12)配準(zhǔn)地安置于所述地層(10)的所述外側(cè)(11)上,以獲得第一半成品(50);-在所述第一半成品(50)內(nèi)接受至少一個(gè)天線腔體(60),所述至少一個(gè)天線腔體(60)在所述第一半成品(50)的外側(cè)(51)開始,由至少一個(gè)導(dǎo)電層(40)的所述凹槽(49)和至少一個(gè)介質(zhì)絕緣層(30)的共同延伸凹槽(39)構(gòu)成,所述至少一個(gè)天線腔體(60)包括等于至少一個(gè)導(dǎo)電層高度(45)和至少一個(gè)介質(zhì)絕緣層高度(35)之和的腔體高度(65),其中所述天線腔體(60)的腔體投影區(qū)(65)安置于所述天線子區(qū)(12)上;-任選地,在所述天線腔體(60)內(nèi)的所述側(cè)壁(67,68)的涂層(66);-將復(fù)合信號(hào)層(70)裝接于由所述第一半成品(50)的所述導(dǎo)電層(40)構(gòu)成的所述外側(cè)(51)上,其中所述復(fù)合信號(hào)層(70)覆蓋所述至少一個(gè)天線腔體(60);-層壓所述第一半成品(50)和所述復(fù)合信號(hào)層(70)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:E·施拉費(fèi)爾,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:ATS奧地利科技與系統(tǒng)技術(shù)股份公司,
類型:發(fā)明
國(guó)別省市:奧地利,AT
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