半導(dǎo)體封裝以及半導(dǎo)體封裝的制造方法技術(shù)

提供半導(dǎo)體封裝以及半導(dǎo)體封裝的制造方法，在抑制成本增加的同時(shí)使布線層的接地布線與封裝側(cè)面的屏蔽層可靠地接觸。一種半導(dǎo)體封裝(10)，該半導(dǎo)體封裝(10)是使半導(dǎo)體芯片(21)與從側(cè)面露出有接地布線(17)的再布線層(11)連接并利用樹脂層(12)對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行密封而構(gòu)成的，其中，該半導(dǎo)體封裝(10)具有：接觸金屬(28)，其形成在再布線層的側(cè)面，將接地布線覆蓋；以及屏蔽層(25)，其以覆蓋接觸金屬的方式形成在封裝上表面(22)上和封裝側(cè)面(23)上，屏蔽層借助接觸金屬在再布線層的側(cè)面與接地布線連接。

Manufacturing Method of Semiconductor Packaging and Semiconductor Packaging

Provides manufacturing methods for semiconductor packaging and semiconductor packaging, while restraining cost increases, makes the grounding wiring of the wiring layer reliably contact the shielding layer on the side of the package. A semiconductor package (10) is composed of a semiconductor chip (21) connected to a rewiring layer (11) with a grounding wiring (17) exposed from the side and sealed by a resin layer (12). The semiconductor package (10) has a contact metal (28) formed on the side of the rewiring layer to cover the grounding wiring; and a shielding layer (25). The shielding layer is formed on the upper surface (22) of the package and on the side (23) of the package by covering the contact metal. The shielding layer is connected with the grounding wiring on the side of the re-wiring layer by means of the contact metal.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
半導(dǎo)體封裝以及半導(dǎo)體封裝的制造方法
本專利技術(shù)涉及具有屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝以及半導(dǎo)體封裝的制造方法。
技術(shù)介紹
通常，在用于移動(dòng)電話等移動(dòng)通信設(shè)備的半導(dǎo)體封裝中，為了防止對(duì)通信特性造成不良影響而希望抑制來自半導(dǎo)體封裝的電磁噪聲的泄漏。作為半導(dǎo)體封裝，公知有如下的半導(dǎo)體封裝：利用樹脂(密封劑)將搭載在布線層上的半導(dǎo)體芯片密封，沿著樹脂層的外表面形成屏蔽層(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。屏蔽層有時(shí)由金屬板屏蔽構(gòu)造形成，但因板厚變大而成為阻礙設(shè)備小型化和薄型化的主要原因。因此，提出了通過濺射法、噴涂法、CVD(chemicalVaporDeposition：化學(xué)氣相沉積)法、噴墨法、絲網(wǎng)印刷法等來較薄地形成屏蔽層的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-039104號(hào)公報(bào)近年來，作為半導(dǎo)體封裝，開發(fā)出如下的半導(dǎo)體封裝：將布線從半導(dǎo)體芯片引出至封裝下表面而使再布線層形成得較薄。為了釋放電磁噪聲而使封裝側(cè)面的屏蔽層與再布線層的接地布線連接，但由于布線層較薄，所以有可能在屏蔽層與接地布線之間產(chǎn)生接觸不良。也可以在封裝內(nèi)形成厚度較厚的柱形電極，將厚度較厚的布線從柱形電極引出至封裝側(cè)面，使接地布線借助柱形電極與封裝側(cè)面的屏蔽層可靠地接觸，但存在制造成本較高的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
因此，本專利技術(shù)的目的在于，提供能夠在抑制成本增加的同時(shí)使布線層的接地布線與封裝側(cè)面的屏蔽層可靠地接觸的半導(dǎo)體封裝以及半導(dǎo)體封裝的形成方法。根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面，提供半導(dǎo)體封裝，其是使芯片與在側(cè)面露出有接地布線的再布線層連接并利用密封劑進(jìn)行密封而構(gòu)成的，其中，該半導(dǎo)體封裝具有：接觸金屬，其形成在該再布線層的側(cè)面，至少覆蓋該接地布線；以及屏蔽層，其形成在該接觸金屬的表面上和該密封劑的表面上，該屏蔽層借助該接觸金屬而與該再布線層的側(cè)面的該接地布線連接。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使再布線層形成得較薄，但由于在再布線層的側(cè)面以至少覆蓋接地布線的方式形成接觸金屬，所以接觸金屬與屏蔽層的接觸面積增加，能夠?qū)⒔拥夭季€與封裝側(cè)面的屏蔽層可靠地連接。并且，通過在再布線層的側(cè)面形成接觸金屬這樣的簡單的結(jié)構(gòu)，與在封裝內(nèi)形成柱形電極的相比能夠抑制成本的增加。根據(jù)本專利技術(shù)的另一方面，提供半導(dǎo)體封裝的制造方法，制造出權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，該制造方法具有如下的步驟：保持步驟，將在由形成于再布線層的交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域內(nèi)連接有芯片并利用密封劑進(jìn)行了統(tǒng)一密封的封裝基板的該密封劑側(cè)保持在保持部件上；槽形成步驟，在實(shí)施了該保持步驟之后，利用槽形成單元從該再布線層側(cè)沿著該分割預(yù)定線切入到對(duì)該再布線層的至少該接地布線進(jìn)行分割的深度，形成第1寬度的槽；接觸金屬填充步驟，在實(shí)施了該槽形成步驟之后，向該槽中填充對(duì)于該接地布線和該屏蔽層雙方具有導(dǎo)電性的接觸金屬；單片化步驟，在實(shí)施了該接觸金屬填充步驟之后，使用比該第1寬度窄的第2寬度的分割單元沿著該槽從該再布線層側(cè)切入到該保持部件的中途，對(duì)該接觸金屬進(jìn)行分割并且單片化成各封裝；以及屏蔽層形成步驟，在實(shí)施了該單片化步驟之后，從該密封劑側(cè)上方對(duì)導(dǎo)電性材料進(jìn)行成膜處理，在該半導(dǎo)體封裝的側(cè)面上和該密封劑的上表面上形成屏蔽層。根據(jù)本專利技術(shù)，通過在再布線層的側(cè)面以覆蓋接地布線的方式形成接觸金屬，能夠在抑制成本增加的同時(shí)借助接觸金屬將接地布線與封裝側(cè)面的屏蔽層可靠地連接。附圖說明圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的剖視示意圖。圖2的(A)和(B)是比較例的半導(dǎo)體封裝的剖視示意圖。圖3的(A)、(B)和(C)是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的制造方法的剖視示意圖。圖4的(A)、(B)和(C)是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的制造方法的剖視示意圖。圖5是示出半導(dǎo)體封裝的制造方法的變形例的剖視示意圖。圖6是示出半導(dǎo)體封裝的變形例的剖視示意圖。標(biāo)號(hào)說明10：半導(dǎo)體封裝；11：再布線層；12：樹脂層(密封劑)；15：封裝基板；17：接地布線；21：半導(dǎo)體芯片；22：封裝上表面；23：封裝側(cè)面；25：屏蔽層；27：再布線層的槽；28：接觸金屬；31：基質(zhì)(保持單元)；33：切削刀具(槽形成單元)；35：切削刀具(分割單元)；t1：第1寬度；t2：第2寬度。具體實(shí)施方式以下，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的制造方法進(jìn)行說明。圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的剖視示意圖。圖2是比較例的半導(dǎo)體封裝的說明圖。另外，以下的實(shí)施方式只不過是示出了一例，在各步驟之間可以具有其他步驟，也可以適當(dāng)?shù)馗鼡Q步驟的順序。如圖1所示，半導(dǎo)體封裝10是所謂的扇出晶片級(jí)封裝等的半導(dǎo)體裝置，與芯片尺寸相比將再布線區(qū)域加寬而形成。半導(dǎo)體封裝10是通過在再布線層11上連接半導(dǎo)體芯片21并利用樹脂層(密封劑)12對(duì)半導(dǎo)體芯片21進(jìn)行密封而構(gòu)成的。在該半導(dǎo)體封裝10中未設(shè)置布線基板，再布線層11按照幾μm到幾十μm的厚度形成，因此布線長度較短，傳送速度較高，并且封裝整體的厚度得以薄化。并且，由于不需要接合用的引線，所以抑制了制造成本。半導(dǎo)體芯片21是按照每個(gè)器件對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單片化而形成的。并且，內(nèi)部包含了半導(dǎo)體芯片21的半導(dǎo)體封裝10的封裝上表面22以及封裝側(cè)面23被屏蔽層25覆蓋。關(guān)于屏蔽層25，通過濺射法等對(duì)半導(dǎo)體封裝10從上方進(jìn)行成膜。另外，雖然封裝側(cè)面23是垂直的，但通過充分地空出半導(dǎo)體封裝10的間隔而形成屏蔽層25，從而能夠形成希望厚度的屏蔽層25。通過該屏蔽層25來抑制來自半導(dǎo)體封裝10的電磁噪聲的泄漏。另外，通常如圖2的(A)的比較例的半導(dǎo)體封裝60所示，為了釋放電磁噪聲而使封裝側(cè)面62的屏蔽層64在再布線層61的側(cè)面與接地布線63連接。但是，由于再布線層61的厚度較薄，所以容易引起再布線層61內(nèi)的接地布線63與屏蔽層64的接觸不良。特別是在拾取半導(dǎo)體封裝60時(shí)，當(dāng)以屏蔽層64的飛邊部分為起點(diǎn)在封裝側(cè)面62產(chǎn)生膜剝離時(shí)，在再布線層61的側(cè)面屏蔽層64從接地布線63分離而產(chǎn)生接觸不良。并且，也考慮了如圖2的(B)的其他比較例的半導(dǎo)體封裝70所示，將厚度較厚的布線73從再布線層71引出至封裝側(cè)面72的結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體芯片75的側(cè)方，在再布線層71上設(shè)置柱形電極76，將布線73從柱形電極76的上部引出至側(cè)方，在比再布線層71靠上側(cè)的位置設(shè)置接觸點(diǎn)。能夠通過厚度較厚的布線73來提高屏蔽層77與接地布線73的接觸性。但是，為了形成柱形電極76而必須實(shí)施光致抗蝕工序或蝕刻工序等，加工量增加而使制造成本變高。因此，如圖1所示，在本實(shí)施方式中，在再布線層11的側(cè)面設(shè)置接觸金屬28，借助接觸金屬28將從再布線層11的側(cè)面露出的接地布線17與封裝側(cè)面23的屏蔽層25連接。通過增加接觸金屬28與屏蔽層25的接觸面積，能夠提高接觸性并且提高屏蔽層25的耐剝離性。并且，不需要如上述的比較例那樣形成柱形電極76(參照?qǐng)D2的(B))，因此不需要實(shí)施光致抗蝕工序或抗蝕工序等，能夠?qū)⒓庸ち康脑黾右种茷樽钚∠薅榷种浦圃斐杀镜脑黾印Ｒ韵拢瑓⒄請(qǐng)D3和圖4對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的形成方法進(jìn)行說明。其中，圖3的(A)是示出保持步驟的一例的圖，圖3的(B)是示出槽形成步驟的一例的圖，圖3的(C)是示出接觸金屬填充步驟的一例的圖。并且，圖4的(A)是示出單片化步驟的一例的圖，圖4的(B)和圖4的(C)是示出屏蔽層形成步驟的一例的圖。如圖3的(A)所示，首本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體封裝，其是使芯片與在側(cè)面露出有接地布線的再布線層連接并利用密封劑進(jìn)行密封而構(gòu)成的，其中，該半導(dǎo)體封裝具有：接觸金屬，其形成在該再布線層的側(cè)面，至少覆蓋該接地布線；以及屏蔽層，其形成在該接觸金屬的表面上和該密封劑的表面上，該屏蔽層借助該接觸金屬而與該再布線層的側(cè)面的該接地布線連接。

【技術(shù)特征摘要】
2017.06.28 JP 2017-1260491.一種半導(dǎo)體封裝，其是使芯片與在側(cè)面露出有接地布線的再布線層連接并利用密封劑進(jìn)行密封而構(gòu)成的，其中，該半導(dǎo)體封裝具有：接觸金屬，其形成在該再布線層的側(cè)面，至少覆蓋該接地布線；以及屏蔽層，其形成在該接觸金屬的表面上和該密封劑的表面上，該屏蔽層借助該接觸金屬而與該再布線層的側(cè)面的該接地布線連接。2.一種半導(dǎo)體封裝的制造方法，制造出權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，該制造方法具有如下的步驟：保持步驟，將在由形成于再布線層的交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域內(nèi)連接有芯片并利用密封劑進(jìn)行了統(tǒng)一密封的封裝基...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張秉得，金永淑，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社迪思科，
類型：發(fā)明
國別省市：日本,JP