支撐單元、包括其的襯底處理裝置以及襯底處理方法制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種用于支撐襯底的支撐單元。支撐單元可包括：具有內部空間的支撐板；加熱構件，其布置在內部空間中并發射用于加熱由支撐單元支撐的襯底的光；以及反射構件，其設置在支撐板的邊緣區域處并且將光所具有的熱能反射到由支撐單元支撐的襯底的邊緣區域。

【技術實現步驟摘要】
支撐單元、包括其的襯底處理裝置以及襯底處理方法
本專利技術涉及一種襯底處理裝置，尤其涉及在襯底處理工藝中加熱襯底的同時執行工藝的襯底處理裝置。
技術介紹
通常，在平板顯示器件制造或半導體制造工藝中處理玻璃襯底或晶圓的工藝中，執行光致抗蝕劑涂覆工藝(photoresistcoatingprocess)、顯影工藝(developingprocess)、蝕刻工藝(etchingprocess)、灰化工藝(ashingprocess)等多種工藝。在每個工藝中，執行使用藥液(chemical)或純水(deionizedwater)的清洗工藝(wetcleaningprocess)以及用于干燥殘留在襯底表面上的藥液或純水的干燥工藝(dryingprocess)，以去除附著在襯底上的各種污染物。其中，關于蝕刻工藝，近來，使用高溫下使用的化學品(例如硫酸或磷酸)來選擇性地去除氮化硅膜和氧化硅膜。另外，已使用在供應化學品時加熱襯底以提高蝕刻效率的襯底處理裝置。圖1是示出在常規的襯底處理裝置中加熱襯底的狀態的圖。常規的襯底處理裝置5000包括支撐板5100、燈5200、支撐銷5300和卡盤銷5400。襯底W可以是晶圓。襯底W的底面和側面由支撐銷5300和卡盤銷5400支撐。支撐板5100可以包括上板5110和下板5120。可以在支撐板5100中設置多個燈5200。多個燈5200可以分別發射光。光所具有的熱能可以被傳遞到襯底W以加熱襯底W。此時，襯底W的邊緣區域與其他區域相比可能具有更低的熱能傳遞率。例如，當從上方觀看時，由至少兩個燈5200發射的光傳遞到襯底W的中間區域，因此襯底W的溫度平穩地上升。然而，至于襯底W的邊緣區域，與中間區域相比，涉及邊緣區域的溫度上升的燈5200的數量更少。因此，如圖2所示，會發生這樣的問題：越靠近襯底W的邊緣區域，蝕刻速率(E/R)越小。為了解決該問題，可以考慮在與襯底W的邊緣區域相對應的位置額外地安裝熱源的方案，但是由于來自卡盤銷5400等的干擾而難以進行額外的安裝。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種能夠有效地處理襯底的支撐單元、包括該支撐單元的襯底處理裝置以及襯底處理方法。另外，本專利技術的目的在于提供一種能夠均勻地加熱襯底的支撐單元、包括該支撐單元的襯底處理裝置以及襯底處理方法。另外，本專利技術的目的在于提供一種能夠改善對襯底的蝕刻速率的支撐單元、包括該支撐單元的襯底處理裝置以及襯底處理方法。另外，本專利技術的目的在于提供一種能夠使旋轉襯底的旋轉驅動部異常驅動或發生故障的頻率最小化的支撐單元、包括該支撐單元的襯底處理裝置以及襯底處理方法。本專利技術的目的不限于此，并且本領域技術人員從以下描述中將清楚地理解未提及的其他目的。本專利技術提供一種用于處理襯底的裝置。用于處理襯底的裝置可包括：支撐單元，其用于支撐襯底；以及液體供應單元，其用于將處理液供應到由所述支撐單元支撐的襯底，其中所述支撐單元包括：支撐板，其具有內部空間；加熱構件，其布置在所述內部空間中，并且發射用于加熱由所述支撐單元支撐的襯底的光；以及反射構件，其設置在所述支撐板的邊緣區域處，并且將所述光所具有的熱能反射以傳遞到由所述支撐單元支撐的襯底的邊緣區域。根據實施例，所述反射構件可包括傾斜部，其中當從正截面觀看時，所述傾斜部以沿著所述支撐板的徑向遠離所述支撐板的中心的方向向上傾斜。根據實施例，所述支撐單元可包括用于夾持襯底的側面的多個夾持銷，并且所述反射構件可設置成多個，其中當從上方觀看時，所述反射構件分別布置在相鄰的所述夾持銷之間。根據實施例，當從上方觀看時，所述反射構件可以布置成彼此組合以形成一部分被切除的環。根據實施例，所述夾持銷可以包括使所述光所具有的熱能透射的材料。根據實施例，所述加熱構件可設置成多個加熱構件，并且設置為具有彼此不同的半徑的同心環形狀，并且所述反射構件可設置在所述多個加熱構件中布置在最外側的加熱構件的更外側。根據實施例，所述加熱構件可包括傾斜部，其中當從正截面觀看時，所述傾斜部以沿著所述支撐板的徑向遠離中心的方向向上傾斜，并且所述支撐單元可包括反射環，其布置在所述多個加熱構件中布置在最外側的加熱構件和與其相鄰的加熱構件之間，其中當從正截面觀看時，所述反射環具有以與所述傾斜部相反的方向向上傾斜的形狀。根據實施例，所述支撐板可包括上支撐板和下支撐板，所述下支撐板設置在所述上支撐板的下方，且與所述上支撐板彼此組合以形成所述內部空間，其中所述上支撐板的透明度大于所述下支撐板的透明度。根據實施例，所述反射構件可以布置在所述上支撐板的下方。根據實施例，所述下支撐板的邊緣區域的內側區域可以呈階狀，并且所述反射構件可以設置在所述內側區域的呈階狀的上表面上。根據實施例，所述下支撐板的邊緣區域中的內側區域可以以沿著所述支撐板的徑向遠離中心的方向向上傾斜，并且所述反射構件可以涂覆在所述內側區域的傾斜的上表面上。根據實施例，所述反射構件可以進一步包括聯接部，其中當從正截面觀看時，所述聯接部的上表面支撐所述上支撐板的下表面。根據實施例，當從正截面觀看時，所述聯接部可以具有平坦的上表面，并且形成有供用于緊固至所述上支撐板的聯接裝置插入的至少一個孔。根據實施例，所述加熱構件可以是發射紅外光的紅外燈。根據實施例，所述加熱構件可以由包含金屬的材料制成。根據實施例，所述加熱構件可以由包含鋁的材料制成。根據實施例，所述支撐單元可進一步包括：隔熱板，其布置在所述內部空間中且布置在所述加熱構件的下方；以及散熱板，其布置在所述內部空間中且布置在所述隔熱板的下方。根據實施例，所述散熱板可以由與所述隔熱板相比具有更高的導熱率的材料制成。根據實施例，在所述散熱板內可形成有供冷卻流體流過的流路。根據實施例，所述支撐板可以設置成可旋轉，并且所述加熱構件、所述隔熱板和所述散熱板可以設置成獨立于所述支撐板的旋轉。另外，本專利技術提供一種處理襯底的方法。處理襯底的方法可以通過以加熱狀態將所述處理液供應到所述襯底來處理襯底，其中在將所述處理液供應到所述襯底的期間加熱所述襯底。根據實施例，可包括：使由所述支撐板支撐的襯底的溫度上升到預設的目標溫度的加熱步驟；將所述襯底的溫度保持在所述目標溫度持續預設時長的保持步驟；以及在經過預設時長后冷卻所述襯底的冷卻步驟。根據實施例，所述處理液可以包含硫酸或磷酸。此外，本專利技術提供一種用于支撐襯底的支撐單元。支撐單元包括：支撐板，其具有內部空間；加熱構件，其布置在所述內部空間中，并且發射用于加熱由所述支撐單元支撐的襯底的光；以及反射構件，其設置在所述支撐板的邊緣區域處，并且將所述光所具有的熱能反射到由所述支撐單元支撐的襯底的邊緣區域。根據實施例，所述支撐板可包括上支撐板和下支撐板，所述下支撐板設置在所述上支撐板的下方，且與所述上支撐板彼此組合以形成所述內部空間，其中所述上支撐板的透明度大于所述下支撐板的透明度。根據實施例本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種襯底處理裝置，其用于處理襯底，所述襯底處理裝置包括：/n支撐單元，其用于支撐襯底；以及/n液體供應單元，其用于將處理液供應到由所述支撐單元支撐的襯底，/n其中所述支撐單元包括：/n支撐板，其具有內部空間；/n加熱構件，其布置在所述內部空間中，并且發射用于加熱由所述支撐單元支撐的襯底的光；以及/n反射構件，其設置在所述支撐板的邊緣區域處，并且將所述光所具有的熱能反射以傳遞到由所述支撐單元支撐的襯底的邊緣區域。/n

【技術特征摘要】
20191002 KR 10-2019-01219401.一種襯底處理裝置，其用于處理襯底，所述襯底處理裝置包括：
支撐單元，其用于支撐襯底；以及
液體供應單元，其用于將處理液供應到由所述支撐單元支撐的襯底，
其中所述支撐單元包括：
支撐板，其具有內部空間；
加熱構件，其布置在所述內部空間中，并且發射用于加熱由所述支撐單元支撐的襯底的光；以及
反射構件，其設置在所述支撐板的邊緣區域處，并且將所述光所具有的熱能反射以傳遞到由所述支撐單元支撐的襯底的邊緣區域。


2.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中所述反射構件包括：
傾斜部，其中當從正截面觀看時，所述傾斜部以沿著所述支撐板的徑向遠離所述支撐板的中心的方向向上傾斜。


3.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中所述支撐單元包括用于夾持襯底的側面的多個夾持銷，并且
所述反射構件設置成多個，其中當從上方觀看時，所述反射構件分別布置在相鄰的所述夾持銷之間。


4.根據權利要求3所述的襯底處理裝置，其中所述反射構件布置成彼此組合以形成一部分被切除的環。


5.根據權利要求3所述的襯底處理裝置，其中所述夾持銷包括使所述光所具有的熱能透射的材料。


6.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中所述加熱構件設置成多個，并且設置成具有彼此不同的半徑的同心環形狀，并且所述反射構件設置在多個所述加熱構件當中布置在最外側的加熱構件的更外側。


7.根據權利要求6所述的襯底處理裝置，其中所述加熱構件包括：
傾斜部，其中當從正截面觀看時，所述傾斜部以沿著所述支撐板的徑向遠離中心的方向向上傾斜，并且
所述支撐單元包括：
反射環，其布置在多個所述加熱構件當中布置在最外側的加熱構件和與其相鄰的加熱構件之間，其中當從正截面觀看時，所述反射環具有以與所述傾斜部相反的方向向上傾斜的形狀。


8.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中所述支撐板包括：
上支撐板；和
下支撐板，所述下支撐板布置在所述上...

【專利技術屬性】
技術研發人員：崔叡珍，金大勛，尹嫝燮，
申請(專利權)人：細美事有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR