本發(fā)明專利技術(shù)公開了用于操作工件的一腔室或一系列腔室，其被形成為一系列嵌套殼層的多層形式。所述殼層具有外部結(jié)構(gòu)殼體和圍繞超導(dǎo)殼層的電磁屏蔽。超導(dǎo)殼層或處于室溫下或浸入容納于貯槽中的低溫冷卻劑中。所述工件也可用動能操縱，使它運動通過電磁場放大器，并可利用所述工件有助于用于動力產(chǎn)生或運動推進的能量釋放。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及超導(dǎo)材料，尤其涉及帶有電磁屏蔽的超導(dǎo)殼層，該殼層將工 件包圍在熵隔離(entropically isolated )的環(huán)境中。本申請要求享有分別于2005年4月18日和2005年7月29日遞交的美 國專利申請No. 11/108， 424和No. 11/192,610的優(yōu)先權(quán)。
技術(shù)介紹
通常，量子物理預(yù)測所有的空間都充滿零點起伏(zero-point fluctuations )，也叫估文零點場(zero-point field ),產(chǎn)生凈爭另寸巨大的(universal sea ) 零點振動能(zero-point energy )。這種能量的密度取決于頻率中零點起伏停 在何處。由于空間本身被認為是會在所謂普朗克尺度(Planck scale )( l(T33cm) 的微小距離刻度下崩裂為一種量子泡沫(quantum foam),所以零點起伏必 需停止在相應(yīng)的普朗克頻率(1043Hz)處。根據(jù)這一理論，零點振動能密度 可達110次方的量級，大于太陽中心的輻射能量。有許多專利主張采用電磁輻射以有助于零點振動能向可使用的電能的 轉(zhuǎn)換，如美國專利No. 5， 590, 031。還有人建議，利用超導(dǎo)球體與外部地磁 場相互作用以驅(qū)動該場內(nèi)的車輛，如美國專利No. 6, 318,666,以及利用電》茲 性使等離子體定相為干涉波，如美國專利No. 5， 966, 452。然而，現(xiàn)有的這 些裝置沒有披露本專利技術(shù)的超導(dǎo)殼層或給出有關(guān)的啟示，本專利技術(shù)的超導(dǎo)殼層不 與外部地磁場或任何其他周圍磁場或電場相互作用，而是使殼層內(nèi)部與這些 場屏蔽，以便使用聲音作為能量驅(qū)動。因此，現(xiàn)有的這些裝置不能為這些裝 置中的工件提供熵隔離環(huán)境。
技術(shù)實現(xiàn)思路
一般而言，本專利技術(shù)為腔室中的工件提供熵隔離環(huán)境。具體地說，本專利技術(shù) 為由一系列嵌套的殼層(shell)形成的腔室，所述殼層將腔室中的工件與來 自腔室四周的周圍環(huán)境的電磁場屏蔽起來，且至少一個殼層是超導(dǎo)的。超導(dǎo)殼層或可由疊置的獨立超導(dǎo)體制成或由固態(tài)超導(dǎo)壁構(gòu)成?？衫迷谝粋€殼層 或一 系列連接殼層中的電磁能和動能來操作工件。本專利技術(shù)通過創(chuàng)建熵隔離環(huán)境實現(xiàn)零點振動能對原子強/弱作用力和分子 結(jié)構(gòu)的影響，在這種隔絕環(huán)境中在零點振動能的能量轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵初始階段中 使周圍電磁場最小。更具體地說，本專利技術(shù)的腔室維持了高熵之后的低熵混合 狀態(tài)，且影響放置在腔室中的工件的原子和分子結(jié)構(gòu)。據(jù)此，這種腔室可用 于生物/生命科學(xué)、電子、計算機科學(xué)、能量產(chǎn)生、推進器、粒子物理、電磁 學(xué)、化學(xué)、制藥和材料科學(xué)。本專利技術(shù)其他應(yīng)用領(lǐng)域可從下文提供的詳細描述中更明顯可見。應(yīng)理解的 是，詳細描述和示出了本專利技術(shù)的優(yōu)選實施例的一些具體實例都僅用于解釋本 專利技術(shù)，而不是對本專利技術(shù)范圍的限制。附圖說明從詳細描述和所附附圖可更加全面地理解本專利技術(shù)。附圖中圖1示出了本專利技術(shù)的等軸剖視圖2A、 2B和2C為圖1所示腔室的截面圖3A和3B為圖1所示腔室的分解視圖4示意性地示出了本專利技術(shù)；圖5示出了本專利技術(shù)一可供選擇的實施例；圖6A和6B示出了本專利技術(shù)一可供選擇的實施例；圖7示出了本專利技術(shù)一可供選擇的實施例；圖8A和8B的截面圖示出了腔室的內(nèi)部；圖9示意地示出了一回轉(zhuǎn)的(gyrosc叩ic)實施例；圖lO和ll示出了本專利技術(shù)的一些可供選擇的實施例；圖12示出了帶有橋式連接部的單一腔室；圖13為圖14和15的單一腔室的截面圖14示出了所謂ESD ( Entropic Step Down,降熵)的本專利技術(shù)的一可供 選擇的實施例；圖15示出了所謂EPS (Entropic Perturbation System,熵護u動系統(tǒng))的 本專利技術(shù)的一可供選擇的實施例；圖16示出了用于本專利技術(shù)的波消除裝置。具體實施例方式參考所附附圖，其中相同的附圖標記代表相同的元件，圖l為一示例性 實施例中的球形校準機構(gòu)腔室10的部分剖視圖。腔室IO以多層形式、即以將處于腔室10內(nèi)部的工件14包圍起來的一系列嵌套殼層12的形式構(gòu)成。 外結(jié)構(gòu)殼體(casing) 16形成腔室10的外表面。在該結(jié)構(gòu)殼體16中，存在 包圍超導(dǎo)殼層20的電磁屏蔽層18。超導(dǎo)殼層20優(yōu)選浸入容納于貯槽24中 的低溫冷卻劑22中。貯槽24優(yōu)選由位于超導(dǎo)殼層20的相對側(cè)的一對杜瓦 瓶26、 28形成，即超導(dǎo)殼層被密封在外杜瓦瓶26和內(nèi)杜瓦瓶28之間。內(nèi) 杜瓦瓶28優(yōu)選被內(nèi)殼體30保護起來，內(nèi)殼體30圍繞腔室10的內(nèi)部。如圖2A所示，腔室10可由位于支承結(jié)構(gòu)36中的兩個互相連接的半球 體32、 34形成。具體地說，極38對準半球體32、 34,同時允許上半球體 32相對于下半球體34滑動并將下半球體34保持在適當位置。半球體32、 34優(yōu)選包括重疊部分40，該重疊部分40與可以提供壓力密封42，的突緣42 密封在一起。圖2B詳細示出了重疊部分40中的腔室層12。每一個半球體 32、 34優(yōu)選具有進口閥44， ^氐溫冷卻劑可以通過該進口閥44循環(huán)流動。腔 室IO打開時，可將工件14設(shè)置在平臺46上或直接放置在內(nèi)表面上。如圖2C所示， 一旦腔室IO關(guān)閉，工件14和腔室IO的內(nèi)部與外界電磁 輻射48屏蔽開來，外部電磁輻射48包括電場、磁場和噪聲。在封閉的腔室 IO內(nèi)側(cè)，工件14處于熵隔離環(huán)境中。具體地說，當腔室10打開時，腔室中 的工件14所處的熵水平(entropic level)近似等于圍繞腔室IO外部的周圍 環(huán)境。然而， 一旦腔室IO封閉，包括工件14在內(nèi)的腔室10內(nèi)部具有較高 的熵靜態(tài)水平(entropic stasis level )。電磁場屏蔽18可由許多材料制造,這 些材料包括鉛、鈮和如MUMETAL (鎳鐵高導(dǎo)磁率合金)和/或METGLAS (金屬玻璃非晶態(tài)金屬)之類的金屬合金以及這些屏蔽材料的結(jié)合。例如， 可將鉛箔和/或鈮背襯與杜瓦瓶26或28制造在一起或加到杜瓦瓶26或28 上。可在腔室10內(nèi)、通過真空或加壓系統(tǒng)、相對于標準大氣條件形成內(nèi)部 真空或加壓狀態(tài)，并分別通過加壓突緣42密封。工件臺46可包括用于這些 系統(tǒng)46'、 46"的才幾構(gòu)。圖3A和3B為腔室層12的分解視圖。超導(dǎo)殼層可形成為固態(tài)、連續(xù)的 殼層20'，如重疊殼層部分20，，或其任何等效形式。應(yīng)理解的是，嵌套超導(dǎo)殼層還可用在本專利技術(shù)的其他實施例中。如上所述，優(yōu)選的是，由超導(dǎo)殼層20 完全包圍腔室10的內(nèi)部區(qū)域。屏蔽18可由多層制成，如可以是與鉛箔和/ 或鈮背襯18"結(jié)合的MUMETAL和/或METGLAS 18，的一層。應(yīng)理解的是，可將腔室的內(nèi)部IO維持在與周圍相同的壓力和溫度條件， 且不需要低溫冷卻或抽真空以使腔室10中的熵靜態(tài)水平超過腔室IO外界周 圍環(huán)境的熵靜態(tài)水平。當使用低溫冷卻劑時，雙杜瓦瓶使冷卻劑與腔室10 的內(nèi)部及外部之間的傳熱最少。低溫冷卻劑的例子包括液氮、液氳、液氦和 鋁泡沫劑中的固態(tài)氮。還應(yīng)理解的是，本專利技術(shù)中可使用任何超導(dǎo)元件，包括 目前已知的第一類和第二類超導(dǎo)體以及它們的等同物，這些等同物包括任何 可以由在海平面標準條件下、即室溫下具有超導(dǎo)電性的材料制成的超導(dǎo)體。 對于某些應(yīng)用來說，可以使用單個杜瓦瓶。圖4示出了腔室的大致的示意性布置形式。按庫倫定律(coulombically ) 呈現(xiàn)為具有球體半徑R、正位于超導(dǎo)殼層表本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種用于減弱工件中強作用力鍵的腔室，該腔室包括： 一位于所述工件周圍的電磁屏蔽，其中，所述電磁屏蔽基本上不受電磁輻射、電場和磁場的影響；和 一超導(dǎo)殼層，其位于所述電磁屏蔽中且圍繞所述工件。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：斯蒂芬B凱斯勒，
申請(專利權(quán))人：斯蒂芬B凱斯勒，
類型：發(fā)明
國別省市：US[美國]
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