本實用新型專利技術(shù)涉及一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置及斷路器
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置及斷路器
[0001]本技術(shù)涉及高壓開關(guān)
，尤其是指一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置及斷路器
。
技術(shù)介紹
[0002]一二次深度融合電壓傳感器是一種測量電力系統(tǒng)中電壓的傳感器
。
它通常由一對一二次繞組和鐵芯組成，其中一次繞組與電力系統(tǒng)的高壓側(cè)相連，另一次繞組則與測量設(shè)備的低壓側(cè)相連
。
在一二次深度融合電壓傳感器中，一次繞組通常是嵌入在鐵芯中的，而二次繞組則環(huán)繞著一次繞組
。
[0003]隨著配電開關(guān)一二次融合進(jìn)程不斷加快，融合產(chǎn)品的電磁兼容性問題日益突出，尤其是深度融合開關(guān)中的電子式電流
、
電壓傳感器，由于其輸出的模擬信號比較弱，更加容易受干擾；比如雷電產(chǎn)生的高頻震蕩波
、
融合開關(guān)在開合母線電流時，包括線路中的雜散電容等，都會對其進(jìn)行干擾，目前解決電磁干擾的方案雖然比較多，但是存在以下缺陷：實施方式比較復(fù)雜和成本較高
。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0004]為此，本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中對解決一二次深度融合電壓傳感器電磁干擾采用的方式復(fù)雜和成本較高的問題，提供了一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置及斷路器，其結(jié)構(gòu)簡單
、
成本低且抗電磁干擾的穩(wěn)定性強
。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置，包括：
[0006]本體，所述具有包圍所述一二次深度融合電壓傳感器的變壓器的腔體，所述腔體具有開口；
[0007]蓋體，所述蓋體與所述開口配合，所述蓋體具有用以將所述變壓器的引線引出的穿孔；
[0008]密封圈，所述密封圈適配于所述穿孔且將所述引線與所述穿孔之間的間隙進(jìn)行密封；
[0009]其中，所述本體和
/
或所述蓋體的材質(zhì)采用硅鐵軟磁合金
。
[0010]在本技術(shù)的一種實施方式中，所述本體包括柱體和底板，所述柱體包括軸向相對設(shè)置的第一端開口和第二端開口，所述底板連接于所述柱體的第一端開口，所述蓋體與所述柱體的第而端開口
。
[0011]在本技術(shù)的一種實施方式中，所述柱體為圓柱體結(jié)構(gòu)
。
[0012]在本技術(shù)的一種實施方式中，所述底板通過焊接與所述柱體的第一端開口相連
。
[0013]在本技術(shù)的一種實施方式中，所述蓋體通過嵌入方式與所述柱體的第二端開口相連
。
[0014]在本技術(shù)的一種實施方式中，所述本體的壁厚范圍在2±
0.5mm。
[0015]在本技術(shù)的一種實施方式中，所述蓋體的厚度在2±
0.5mm。
[0016]本技術(shù)還提供一種斷路器，包括所述的一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置
。
[0017]本技術(shù)的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點：
[0018]本技術(shù)所述的一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置及斷路器，通過設(shè)置硅鐵軟磁合金材質(zhì)的本體和蓋體，減小了外界電磁波對電壓傳感器的變壓器的影響，通過設(shè)置密封圈，方便將變壓器的引線與穿孔之間的間隙進(jìn)行密封，且對引線具有固定支持的作用；本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單
、
成本低且抗電磁干擾的穩(wěn)定性強
。
附圖說明
[0019]為了使本技術(shù)的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本技術(shù)的具體實施例并結(jié)合附圖，對本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明
。
[0020]圖1是本技術(shù)的一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置整體結(jié)構(gòu)示意圖
。
[0021]圖2是本技術(shù)的本體結(jié)構(gòu)示意圖
。
[0022]圖3是本技術(shù)的柱體結(jié)構(gòu)示意圖
。
[0023]圖4是本技術(shù)的蓋體結(jié)構(gòu)示意圖
。
[0024]圖5是本技術(shù)的底板結(jié)構(gòu)示意圖
。
[0025]圖6是本技術(shù)的一二次深度融合電壓傳感器結(jié)構(gòu)示意圖
。
[0026]說明書附圖標(biāo)記說明：
[0027]1、
本體；
11、
腔體；
12、
柱體；
13、
底板；
[0028]2、
蓋體；
21、
穿孔；
[0029]3、
引線；
[0030]4、
密封圈；
[0031]5、
電傳感器本體；
[0032]6、
變壓器
。
具體實施方式
[0033]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本技術(shù)作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本技術(shù)并能予以實施，但所舉實施例不作為對本技術(shù)的限定
。
[0034]本技術(shù)中，如果有描述到方向
(
上
、
下
、
左
、
右
、
前及后
)
時，其僅是為了便于描述本技術(shù)的技術(shù)方案，而不是指示或暗示所指的技術(shù)特征必須具有特定的方位
、
以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本技術(shù)的限制
。
[0035]本技術(shù)中，“若干”的含義是一個或者多個，“多個”的含義是兩個以上，“大于”“小于”“超過”等理解為不包括本數(shù)；“以上”“以下”“以內(nèi)”等理解為包括本數(shù)
。
在本技術(shù)的描述中，如果有描述到“第一”“第二”僅用于區(qū)分技術(shù)特征為目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的先后關(guān)系
。
[0036]本技術(shù)中，除非另有明確的限定，“設(shè)置”“安裝”“連接”等詞語應(yīng)做廣義理解，
例如，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連；可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，還可以是一體成型；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接或能夠互相通訊；可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系
。
所屬
技術(shù)人員可以結(jié)合技術(shù)方案的具體內(nèi)容合理確定上述詞語在本技術(shù)中的具體含義
。
[0037]參照圖1至圖5所示，本技術(shù)的本技術(shù)提供一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置，包括：
[0038]本體1，所述具有包圍所述一二次深度融合電壓傳感器的變壓器6的腔體
11
，所述腔體
11
具有開口；
[0039]蓋體2，所述蓋體2與所述開口配合，所述蓋體2具有用以將所述變壓器6的引線3引出的穿孔
21
；
[0040]密封圈4，所述密封圈4適配于所述穿孔
21
且將所述引線3與所述穿孔
21
之間的間隙進(jìn)行密封；
[0041]其中，所述本體1和<本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
1.
一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置，其特征在于，包括：本體（1），具有包圍所述一二次深度融合電壓傳感器的變壓器（6）的腔體（
11
），所述腔體（
11
）具有開口；蓋體（2），所述蓋體（2）與所述開口配合，所述蓋體（2）具有用以將所述變壓器（6）的引線（3）引出的穿孔（
21
）；密封圈（4），所述密封圈（4）適配于所述穿孔（
21
）且將所述引線（3）與所述穿孔（
21
）之間的間隙進(jìn)行密封；其中，所述本體（1）和
/
或所述蓋體（2）的材質(zhì)采用硅鐵軟磁合金
。2.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種一二次深度融合電壓傳感器磁場隔離裝置，其特征在于，所述本體（1）包括柱體（
12
）和底板（
13
），所述柱體（
12
）包括軸向相對設(shè)置的第一端開口和第二端開口，所述底板（
13
）連接于所述柱體（
12
）的第一端開口，所述蓋體（2）與所述柱體（
12
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：白振宇，
申請(專利權(quán))人：無錫市錫山湖光電器有限公司，
類型：新型
國別省市：
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