本申請實施例提供一種橫向電場激勵諧振器及其制造方法。該橫向電場激勵諧振器包括：襯底(105)；介質層(104)，其通過金屬鍵合層(104M，105M)被設置于襯底的表面，介質層的表面具有凹陷部；單晶壓電薄膜(101)，其被支承于凹陷部的外周，并覆蓋凹陷部的至少一部分，壓電薄膜(101)與凹陷部之間形成空腔(106)；以及電極層(102)，其設置于壓電薄膜(101)的至少一個表面，電極層(102)包括至少兩組指電極(102a)，在第一方向上，至少兩組指電極(102a)交叉設置，各組指電極(102a)分別與對應的總線(102b)連接。本申請的橫向電場激勵諧振器的能量損失較低，Q值被提升；此外，本申請的制造方法利用金屬鍵合和犧牲層釋放技術，工藝簡單且可靠性高。
【技術實現步驟摘要】
本申請涉及微機電(mems)，尤其涉及一種橫向電場激勵諧振器及其制造方法。
技術介紹
1、電場對壓電材料的激勵分為橫向電場激勵(lateral?field?excitation，lfe)和厚度電場激勵(thickness?field?excitation，tfe)。
2、橫向電場激勵是指，電極之間產生的電場方向與壓電材料表面的方向平行，即，電場的激勵方向相對于壓電材料的表面而言是橫向。厚度電場激勵是指，電極之間產生的電場方向與壓電材料表面的方向垂直，即，電場的激勵方向沿著壓電材料的厚度方向。
3、應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的
技術介紹
部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
技術實現思路
1、橫向電場激勵諧振器是基于橫向電場激勵的諧振器，如何降低橫向電場激勵諧振器的能量損失，是一個亟待解決的課題。
2、為了解決至少上述技術問題或類似的技術問題，本申請實施例提供一種橫向電場激勵諧振器及其制造方法。該橫向電場激勵諧振器中具有空腔，該空腔的邊界可以形成一個聲學阻抗失配的邊界，由此，壓電薄膜中產生的橫向傳播的聲波會由于該邊界的阻抗失配而被反射，從而降低該橫向電場激勵諧振器的能量損失，提高品質因子(即，q值)；此外，在本申請的制造方法中，利用金屬鍵合技術進行鍵合并利用犧牲層釋放技術來實現空腔，工藝簡單且可靠性高。
>3、本申請實施例提供一種橫向電場激勵諧振器，所述橫向電場激勵諧振器包括：4、襯底105；
5、介質層104，其通過金屬鍵合層被設置于所述襯底105的表面，所述介質層的表面具有凹陷部；
6、單晶壓電薄膜101，其被支承于所述凹陷部的外周，并覆蓋所述凹陷部的至少一部分，所述單晶壓電薄膜101與所述凹陷部之間形成空腔106；以及
7、電極層102，其設置于所述單晶壓電薄膜101的至少一個表面，
8、所述電極層102包括至少兩組指電極102a，
9、在第一方向上，所述至少兩組指電極102a交叉設置，
10、各組指電極102a分別與對應的總線102b連接。
11、本申請實施例還提供一種橫向電場激勵諧振器的制造方法，該制造方法包括：
12、在單晶壓電薄膜101的第一表面上的預定位置形成犧牲層103，所述單晶壓電薄膜101設置在支撐襯底100上；
13、在所述第一表面以及所述犧牲層103的表面形成介質層104；
14、通過金屬鍵合層將所述介質層104的表面與襯底105鍵合；
15、去除所述支撐襯底100；以及
16、去除所述犧牲層103，在所述單晶壓電薄膜101和所述介質層104之間形成空腔106；
17、所述制造方法還包括：
18、在形成所述犧牲層103之前，在所述單晶壓電薄膜101的所述第一表面上形成電極層102，并圖形化所述電極層102，以形成指電極；和/或
19、在去除所述支撐襯底100之后，在所述單晶壓電薄膜101的所述第二表面上形成電極層102，并圖形化所述電極層102，以形成指電極。
20、本申請實施例的有益效果在于：橫向電場激勵諧振器的能量損失較低，q值得到提升；此外，利用金屬鍵合技術進行鍵合并利用犧牲層釋放技術來實現空腔，工藝簡單且可靠性高。
21、參照后文的說明和附圖，詳細公開了本申請的特定實施方式，指明了本申請的原理可以被采用的方式。應該理解，本申請的實施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權利要求的條款的范圍內，本申請的實施方式包括許多改變、修改和等同。
22、針對一種實施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特征相組合，或替代其它實施方式中的特征。
23、應該強調，術語“包括/包含”在本文使用時指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個或更多個其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。
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【技術保護點】
1.一種橫向電場激勵諧振器的制造方法，其特征在于，該制造方法包括：
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，
5.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，
6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，
8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
10.如權利要求9所述的制造方法，其特征在于，
11.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
12.一種橫向電場激勵諧振器，其特征在于，所述橫向電場激勵諧振器包括：
13.如權利要求12所述的橫向電場激勵諧振器，其特征在于，
14.如權利要求12所述的橫向電場激勵諧振器，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種橫向電場激勵諧振器的制造方法，其特征在于，該制造方法包括：
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，
5.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，
6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，
8.如權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：龐慰，張孟倫，
申請(專利權)人：天津大學，
類型：發明
國別省市：
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