【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及顯示，具體涉及一種顯示裝置及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、micro?led結(jié)合量子點的技術(shù)在顯示領(lǐng)域具有較大的潛力，相關(guān)技術(shù)中，量子點在形成微小化圖形的時候，量子點圖形容易發(fā)生膜厚不均、邊緣形貌不整齊等現(xiàn)象，導致顯示裝置出光效果不同，影響產(chǎn)品的顯示品味。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的在于提供一種顯示裝置及其制備方法，以解決相關(guān)技術(shù)中量子點在形成的時候容易發(fā)生膜厚不均、邊緣形貌不整齊等現(xiàn)象的技術(shù)問題。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N顯示裝置及其制備方法，包括：
3、提供承載基板；
4、提供發(fā)光層并形成像素定義層，其中，所述發(fā)光層包括多個依次間隔設置的第一發(fā)光部、第二發(fā)光部及第三發(fā)光部，所述像素定義層包括擋墻部及多個依次間隔設置的第一像素開口、第二像素開口和第三像素開口，所述像素定義層圍設所述發(fā)光層，所述第一發(fā)光部設于所述第一像素開口內(nèi)，所述第二發(fā)光部設于所述第二像素開口內(nèi)，所述第三發(fā)光部設于所述第三像素開口內(nèi)；
5、涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成多個第一量子點部；
6、涂布、加熱并研磨第二量子點層，在所述第二像素開口形成多個第二量子點部；
7、涂布、加熱并研磨散色層，在所述第三像素開口形成多個散色部。
8、本申請?zhí)峁┑囊环N顯示裝置制備方法中，在承載基板提供發(fā)光層并形成像素定義層，其中，發(fā)光層包括多個依次間隔設置的第一發(fā)光部、第二發(fā)光部及第三發(fā)光部，像素定義層包括擋墻部
9、其中，所述提供發(fā)光層并形成像素定義層后，包括：
10、形成犧牲層，其中，所述犧牲層覆蓋所述擋墻部、所述第二像素開口和所述第三像素開口。
11、其中，所述涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成第一量子點部中，包括：
12、在所述擋墻部、所述第一像素開口、所述第二像素開口及所述第三像素開口上涂布所述第一量子點層；
13、研磨所述第一量子點層，并在所述第一像素開口、所述第二像素開口及所述第三像素開口內(nèi)皆形成所述第一量子點部。
14、其中，所述涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成第一量子點部后，包括：
15、使用預設激光照射所述第二像素開口，將所述第二像素開口內(nèi)的所述犧牲層、所述第一量子點部剝離；
16、涂布、加熱并研磨第二量子點層，在所述第二像素開口形成第二量子點部中，包括：
17、在所述擋墻部、所述第一像素開口、第二像素開口及第三像素開口上涂布所述第二量子點層；
18、研磨所述第二量子點層，并在所述第二像素開口內(nèi)形成所述第二量子點部。
19、其中，所述涂布、加熱并研磨第二量子點層，在所述第二像素開口形成第二量子點部后，包括：
20、使用預設激光照射所述第三像素開口，將所述第三像素開口內(nèi)的所述犧牲層、所述第一量子點部剝離；
21、所述涂布、加熱并研磨散色層，在所述第三像素開口形成多個散色部中，包括：
22、在所述擋墻部、所述第一像素開口、第二像素開口及第三像素開口上涂布所述散色層；
23、研磨所述散色層，并在所述第三像素開口內(nèi)形成所述散色部。
24、其中，所述擋墻部背離所述承載基板的一端與所述承載基板之間的距離為第一尺寸，所述發(fā)光層背離所述承載基板的一端與所述承載基板之間的距離為第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，且所述第一尺寸和所述第二尺寸的差值范圍為2μm-15μm；所述犧牲層的材質(zhì)包括聚二甲基硅氧烷，所述預設激光的波長包括254nm和316nm。
25、其中，所述涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成第一量子點部，包括：
26、于80℃～150℃下，對所述第一量子點層進行加熱，并加熱10分鐘～30分鐘；
27、所述涂布、加熱并研磨第二量子點層，在所述第二像素開口形成第二量子點部；
28、于80℃～150℃下，對所述第二量子層部進行加熱，并加熱10分鐘～30分鐘；
29、所述涂布、加熱并研磨散色層，在所述第三像素開口形成散色部；
30、于80℃～150℃下，對所述散色層進行加熱，并加熱10分鐘～30分鐘。
31、其中，所述涂布、加熱并研磨散色層，在所述第三像素開口形成散色部后，包括：
32、形成封裝層并貼附玻璃蓋板，以形成顯示裝置。
33、第二方面，本申請?zhí)峁┝艘环N顯示裝置，通過所述的顯示裝置制備方法所制備，所述顯示裝置包括：
34、承載基板；
35、發(fā)光層和像素定義層，設于所述承載基板上，其中，所述發(fā)光層包括多個依次間隔設置的第一發(fā)光部、第二發(fā)光部及第三發(fā)光部，所述像素定義層包括擋墻部及多個依次間隔設置的第一像素開口、第二像素開口和第三像素開口，所述像素定義層圍設所述發(fā)光層，所述第一發(fā)光部設于所述第一像素開口內(nèi)，所述第二發(fā)光部設于所述第二像素開口內(nèi)，所述第三發(fā)光部設于所述第三像素開口內(nèi)；
36、多個第一量子點部，設于所述第一像素開口，且設于第一發(fā)光部背離所述承載基板的一側(cè)；
37、多個第二量子點部，設于所述第二像素開口，且設于第二發(fā)光部背離所述承載基板的一側(cè)；
38、多個散色部，設于所述第三像素開口，且設于第三發(fā)光部背離所述承載基板的一側(cè)。
39、其中，所述顯示裝置還包括：
40、封裝層，所述封裝層覆蓋多個所述第一量子點部、所述多個第二量子點部、所述散色部及所述像素定義層；
41、玻璃蓋板，所述玻璃蓋板設于所述封裝層背離所述承載基板的一側(cè)。
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1.一種顯示裝置制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述提供發(fā)光層并形成像素定義層后，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成第一量子點部中，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成第一量子點部后，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述涂布、加熱并研磨第二量子點層，在所述第二像素開口形成第二量子點部后，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述擋墻部背離所述承載基板的一端與所述承載基板之間的距離為第一尺寸，所述發(fā)光層背離所述承載基板的一端與所述承載基板之間的距離為第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，且所述第一尺寸和所述第二尺寸的差值范圍為2μm-15μm；所述犧牲層的材質(zhì)包括聚二甲基硅氧烷，所述預設激光的波長包括254nm和316nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述涂布、加熱并研磨散色層，在所述第三像素開口形成散色部后，包括：
9.一種顯示裝置，其特征在于，通過權(quán)利要求1-8任意一項所述的顯示裝置制備方法所制備，所述顯示裝置包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種顯示裝置制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述提供發(fā)光層并形成像素定義層后，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成第一量子點部中，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述涂布、加熱并研磨第一量子點層，在所述第一像素開口形成第一量子點部后，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述涂布、加熱并研磨第二量子點層，在所述第二像素開口形成第二量子點部后，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述擋墻部背離所述承載基板的一端與所述承載基板之間的距離為第一尺...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王然龍，葉利丹，
申請(專利權(quán))人：惠科股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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