【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及異質結電池鈍化鍍膜，具體涉及一種用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法、裝置及系統。
技術介紹
1、傳統的hjt電池結構首先在n型單晶硅片(c-si)的正面沉積很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)和n型非晶硅薄膜(n-a-si:h)，然后在硅片的背面沉積很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)和p型非晶硅薄膜(p-a-si:h)形成背表面場；再在電池的兩面沉積透明氧化物導電薄膜(tco)，最后在tco上制作金屬電極。
2、想要獲得高效的異質結電池，i層都鈍化相當重要，這是異質結高voc的主要原因之一，i層用來鈍化電池表面的復合和缺陷；目前市面上i層都是使用靜態低溫鍍膜(200°左右)，低溫鍍膜的原因為：如果i層用高溫做鈍化效果非常差，高溫特別容易引起外延生長，外延是影響i層鈍化的重要因素，所以嚴格控制i層的溫度，其次跟硅片接觸的i1層需要快速沉積，防止外延生長，所以i1需要高功率鍍膜。
3、因此，如何避免i1層在高溫環境下發生外延生長是本領域亟需解決的技術問題。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法、裝置及系統，以克服現有靜態低溫鍍膜工藝在高溫下會發生外延生長的技術問題。
2、為了解決上述技術問題，本專利技術提供了一種用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法，包括如下步驟：步驟s1，將pecvd腔體的溫度預設至220-260℃，將n型單晶硅片送入pecvd腔體；步驟s2，啟動第一電源，通入1-5s
3、進一步的，還包括：步驟s6，進行wct120測試少子壽命，篩出低于3000us的i層鈍化的n型單晶硅片。
4、進一步的，還包括：步驟s7，進行iv測試，篩出voc低于0.700v的i層鈍化的n型單晶硅片。
5、進一步的，所述i1層的厚度為0.5-2nm。
6、進一步的，所述i2層的厚度為0.5-2nm。
7、進一步的，所述i3層的厚度為2-4nm。
8、又一方面，本專利技術還提供了一種連續鍍膜裝置，應用于采用如前所述的連續鍍膜方法的pecvd鍍膜設備對異質結電池片的鍍膜中，所述鍍膜裝置包括：鍍膜模塊，設于pecvd腔體的內部上方，依次按照至少三種電源進行pecvd沉積的同時進行電磁場引導；所述鍍膜模塊的末端設置有至少一臺工藝泵；傳輸模塊，設于pecvd腔體的內部下方，用于通過滾輪將負載有n型單晶硅片的載板傳輸通過pecvd腔體。
9、進一步的，所述至少三種電源包括第一電源、第二電源以及第三電源；所述第一電源，通入1-5sccm的o2和100-300sccm的sih4，電磁場的功率設定為100-600w；所述第二電源，通入50-200sccm的sih4，電磁場的功率設定為100-400w；所述第三電源，通入50-100sccm的sih4和300-3000sccm的h2，電磁場的功率設定為100-400w。
10、第三方面，本專利技術還提供了一種連續鍍膜系統，包括如前所述的連續鍍膜裝置，以及異質結電池片，所述連續鍍膜裝置用于對所述異質結電池片沉積i層鈍化膜。
11、本專利技術的有益效果是，本專利技術的用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法、裝置及系統具有如下優點：
12、1、在沉積i1層的同時通入o2以抑制高溫帶來的外延生長，配合電磁場，將電離后帶有電荷的氣體在磁力的作用下在磁場內加速，粒子再次碰撞氣體獲取更大的速度和能量，更容易分解氣體，從而在高溫環境下大幅提高了鍍膜的速度；
13、2、磁場的設置還可控制鍍膜區域，使鍍膜只在磁場范圍內鍍膜，實現了單腔內進行i層分層的效果，在大幅縮減設備體積的同時也提高了鍍膜速率；
14、3、因單腔設計，僅需在鍍膜模塊的末端設置一臺工藝泵即可實現氣流方向與壓強的控制，大大減少了氣體的使用流量；
15、4、改進后的工藝大幅提升了少子壽命至3000-4500us，且電池片的voc也上升至0.750v。
16、本專利技術的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點在說明書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
17、為使本專利技術的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。
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1.一種用于異質結電池I層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的用于異質結電池I層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，還包括：
3.如權利要求1所述的用于異質結電池I層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，還包括：
4.如權利要求1所述的用于異質結電池I層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S1還包括：
5.如權利要求1所述的用于異質結電池I層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，
6.如權利要求1所述的用于異質結電池I層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，
7.如權利要求1所述的用于異質結電池I層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，
8.一種連續鍍膜裝置，其特征在于，應用于采用如權利要求1-6任一項所述的連續鍍膜方法的PECVD鍍膜設備對異質結電池片的鍍膜中，所述鍍膜裝置包括：
9.如權利要求7所述的連續鍍膜裝置，其特征在于，
10.一種連續鍍膜系統，其特征在于，包括如權利要求7-9所述的連續鍍膜裝置，以及異質結電池片，所述連續鍍膜裝置用于對所述異質結電池片沉
...【技術特征摘要】
1.一種用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，還包括：
3.如權利要求1所述的用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，還包括：
4.如權利要求1所述的用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，所述步驟s1還包括：
5.如權利要求1所述的用于異質結電池i層鈍化的連續鍍膜方法，其特征在于，
6.如權利要求1所述的用于異質結電池i...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王迅，夏建峰，
申請(專利權)人：常州比太科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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