【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)，尤其是涉及一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置。
技術(shù)介紹
1、直拉法生產(chǎn)單晶硅棒的過程中，需要持續(xù)監(jiān)控單晶硅棒的直徑，以調(diào)控拉晶速度，保證晶棒質(zhì)量及晶棒尺寸符合生產(chǎn)需求。隨著單晶生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升，為提高晶棒外側(cè)軸向溫度梯度，提高拉晶速度，業(yè)內(nèi)引入多種降溫措施，例如水冷屏、水冷套等降溫結(jié)構(gòu)，但這些降溫結(jié)構(gòu)的引入，也為監(jiān)控單晶直徑帶來較大挑戰(zhàn)。
2、水冷屏、水冷套等結(jié)構(gòu)圍設(shè)在晶棒外側(cè)，其下沿會(huì)遮擋監(jiān)控設(shè)備的監(jiān)控視野，當(dāng)引晶階段、放肩前期，晶棒直徑較小時(shí)，監(jiān)控設(shè)備無法捕捉到晶棒信號(hào)，無法通過晶棒直徑調(diào)控適宜的拉晶速度，常會(huì)導(dǎo)致細(xì)晶位錯(cuò)這樣的質(zhì)量問題，無法判斷晶棒的形狀走勢(shì)是否符合生產(chǎn)需求，無法保證晶棒的生產(chǎn)質(zhì)量。而為了解決這一問題，傳統(tǒng)的做法是在水冷屏、水冷套的下沿開設(shè)豁口，使監(jiān)控設(shè)備的監(jiān)控視野無遮擋，但是這樣一來，就不能形成有效的封閉型水冷降溫結(jié)構(gòu)，其降溫效果就會(huì)大打折扣。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的目的在于提供一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，以解決上述背景中的問題。
2、本技術(shù)采用的技術(shù)方案是：一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其包括：監(jiān)控設(shè)備一、監(jiān)控設(shè)備二和控制器，所述控制器用于切換所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的工作狀態(tài)；所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的監(jiān)控視野分別位于水冷套的內(nèi)、外兩側(cè)，以監(jiān)控不同時(shí)期的硅液溫度或單晶直徑。
3、優(yōu)選的，所述水冷套貫穿單晶爐蓋的脖腔，其底端伸入導(dǎo)流筒內(nèi)側(cè)。
4、優(yōu)選的，所述監(jiān)
5、優(yōu)選的，所述水冷套位于所述監(jiān)控設(shè)備一的下方，所述監(jiān)控設(shè)備一至少設(shè)有兩組，各所述監(jiān)控設(shè)備一關(guān)于所述水冷套的軸線對(duì)稱。
6、優(yōu)選的，所述監(jiān)控設(shè)備二安裝于單晶爐蓋的脖腔處，其監(jiān)控視野位于所述水冷套的外側(cè)，用于監(jiān)控放肩后期的單晶直徑。
7、優(yōu)選的，所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二均為ccd工業(yè)相機(jī)。
8、優(yōu)選的，所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的監(jiān)控窗口處均設(shè)有鍍金玻璃，用以隔離熱源。
9、本技術(shù)具有的有益效果是：通過設(shè)置的監(jiān)控視野落于水冷結(jié)構(gòu)內(nèi)外兩側(cè)的監(jiān)控設(shè)備一和監(jiān)控設(shè)備二，實(shí)現(xiàn)單晶穩(wěn)溫、引晶、放肩全程監(jiān)控，實(shí)現(xiàn)原遮擋區(qū)域至可測(cè)量區(qū)域直徑平滑過渡的同時(shí)，還能避免在水冷結(jié)構(gòu)下沿開設(shè)豁口，影響水冷結(jié)構(gòu)完整性及降溫效果的問題，對(duì)提高直拉單晶的生產(chǎn)質(zhì)量具有重要意義。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，包括：監(jiān)控設(shè)備一、監(jiān)控設(shè)備二和控制器，所述控制器用于切換所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的工作狀態(tài)；所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的監(jiān)控視野分別位于水冷套的內(nèi)、外兩側(cè)，以監(jiān)控不同時(shí)期的硅液溫度或單晶直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述水冷套貫穿單晶爐蓋的脖腔，其底端伸入導(dǎo)流筒內(nèi)側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述監(jiān)控設(shè)備一安裝于單晶爐蓋的脖腔上方200mm～300mm處，其監(jiān)控視野位于所述水冷套的內(nèi)側(cè)，用于監(jiān)控穩(wěn)溫階段的硅液溫度、引晶及放肩前期的單晶直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述水冷套位于所述監(jiān)控設(shè)備一的下方，所述監(jiān)控設(shè)備一至少設(shè)有兩組，各所述監(jiān)控設(shè)備一關(guān)于所述水冷套的軸線對(duì)稱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述監(jiān)控設(shè)備二安裝于單晶爐蓋的脖腔處，其監(jiān)控視野位于所述水冷套的外側(cè)，用于監(jiān)控放肩后期的單晶直徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二均為CCD工業(yè)相機(jī)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的監(jiān)控窗口處均設(shè)有鍍金玻璃，用以隔離熱源。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，包括：監(jiān)控設(shè)備一、監(jiān)控設(shè)備二和控制器，所述控制器用于切換所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的工作狀態(tài)；所述監(jiān)控設(shè)備一和所述監(jiān)控設(shè)備二的監(jiān)控視野分別位于水冷套的內(nèi)、外兩側(cè)，以監(jiān)控不同時(shí)期的硅液溫度或單晶直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述水冷套貫穿單晶爐蓋的脖腔，其底端伸入導(dǎo)流筒內(nèi)側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種異形熱場(chǎng)中單晶直徑的測(cè)量裝置，其特征在于，所述監(jiān)控設(shè)備一安裝于單晶爐蓋的脖腔上方200mm～300mm處，其監(jiān)控視野位于所述水冷套的內(nèi)側(cè)，用于監(jiān)控穩(wěn)溫階段的硅液溫度、引晶及放肩前期的單晶直徑。
4.根據(jù)權(quán)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：閆鵬飛，婁中士，袁長(zhǎng)宏，李國(guó)東，沙志強(qiáng)，李春波，賈海洋，周宏邦，王淼，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：內(nèi)蒙古中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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