【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別涉及一種標準片及其制作方法、測試檢驗機臺抓取缺陷能力的方法。
技術介紹
1、光掩模也稱為相位移光掩模(psm)的缺陷檢驗針對圖形區周圍一圈的純黑區(mbbarea)有針孔(pinhole)類型缺陷抓取要求，針孔缺陷最小尺寸≤500nm。但現有的標準片內針孔缺陷的設計有以下兩個問題，這兩個問題會影響檢驗機臺針孔缺陷抓取能力的驗證。問題一：標準片里針對針孔缺陷只有圓形形狀的設計，實際在生產過程中會有各種形狀的針孔缺陷形成，單一圓形針孔的缺陷設計無法完全滿足實際產品的針孔缺陷抓取驗證。問題二：標準片里針對針孔缺陷只有全透光的設計，實際生產過程中會有部分蝕刻缺陷形成，全透光針孔缺陷設計無法完全滿足實際產品的針孔缺陷抓取驗證的要求
2、上述兩個存在的問題在高端檢驗設備(比如：激光類型光源的檢驗設備)上影響不大，因為高端設備的檢測精度高≤200nm，對于針孔缺陷最小尺寸≤500nm的規格完全符合要求。而對于一些低端檢驗設備，比如汞燈(lamp)類型光源檢驗設備，由于檢驗精度相對較低(最小size～500nm)，在規格≤500nm附近，對于不同形狀，不同穿透類型的針孔缺陷的抓取率有比較大的挑戰。
3、需要說明的是，公開于該專利技術
技術介紹
部分的信息僅僅旨在加深對本專利技術一般
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的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種標準片及其制作方法、測試檢驗機
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供一種標準片，用于測試檢驗機臺抓取缺陷能力，包括：
3、基板，所述基板包括全透光區域和半透光區域，所述全透光區域和半透光區域均設置有若干缺陷，所述缺陷包括多種形狀的針孔缺陷。
4、優選地，所述基板包括玻璃基底，沉積在玻璃基底表面的硅化鉬材料層，以及沉積在硅化鉬材料層表面的金屬鉻，其中，所述玻璃基底為全透光材料，所述硅化鉬材料層為半透光材料，所述全透光區域的缺陷貫穿硅化鉬材料層，并暴露所述玻璃基底，所述半透光區域的缺陷貫穿所述金屬鉻，并暴露所述硅化鉬材料層。
5、優選地，若干所述缺陷在第一方向按照缺陷的尺寸呈階梯排布，若干缺陷在第二方向按照缺陷的形狀分布。
6、優選地，所述缺陷為不規則形狀，若干所述不規則形狀以尺寸從大到小依次排列。
7、優選地，所述缺陷的形狀包括圓形、方形、環形、三角形、六邊形、八邊形中的一種或他們任意的組合。
8、基于相同的專利技術思想，本專利技術還提供了一種如上述所述的標準片的制作方法，包括：
9、提供一基板，并在基板中分別選取全透光區域和半透光區域；
10、在所述全透光區域和半透光區域制作若干缺陷，所述缺陷包括多種形狀的針孔缺陷，包括上述標準片。
11、優選地，所述基板包括玻璃基底，沉積在玻璃基底表面的硅化鉬材料層，以及沉積在硅化鉬材料層表面的金屬鉻，其中，所述玻璃基底為全透光材料，所述硅化鉬材料層為半透光材料，所述全透光區域的缺陷貫穿硅化鉬材料層，并暴露所述玻璃基底，所述半透光區域的缺陷貫穿所述金屬鉻，并暴露所述硅化鉬材料層。
12、優選地，若干所述缺陷在第一方向按照缺陷的尺寸呈階梯排布，若干缺陷在第二方向按照缺陷的形狀分布。
13、基于相同的專利技術思想，本專利技術還提供了一種如上述所述的標準片的制作方法，包括：
14、提供一如上述所述的標準片；
15、采用檢測機臺對所述標準片進行檢驗，按照尺寸從大到小進行缺陷抓取能力測試。
16、與現有技術相比，本專利技術的標準片具有如下優點：
17、本專利技術通過設置全透光區域和半透光區域，所述全透光區域和半透光區域均設置有若干缺陷，所述缺陷包括多種形狀的針孔缺陷，從而能夠對不同形狀的針孔類缺陷，以及具有不同穿透率材料表面的針孔類缺陷的抓取進行驗證，以驗證檢驗機臺缺陷抓取能力。設計此不同形狀全透光及半透光的針孔類缺陷的標準片，用來驗證低端檢驗設備對針孔類缺陷抓取能力，從而可以節省出更多高端檢驗設備來進行圖形區域的檢驗。
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1.一種標準片，用于測試檢驗機臺抓取缺陷能力，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的標準片，其特征在于，所述基板包括玻璃基底，沉積在玻璃基底表面的硅化鉬材料層，以及沉積在硅化鉬材料層表面的金屬鉻，其中，所述玻璃基底為全透光材料，所述硅化鉬材料層為半透光材料，所述全透光區域的缺陷貫穿硅化鉬材料層，并暴露所述玻璃基底，所述半透光區域的缺陷貫穿所述金屬鉻，并暴露所述硅化鉬材料層。
3.根據權利要求1所述的標準片，其特征在于，若干所述缺陷在第一方向按照缺陷的尺寸呈階梯排布，若干缺陷在第二方向按照缺陷的形狀分布。
4.根據權利要求3所述的標準片，其特征在于，所述缺陷為不規則形狀，若干所述不規則形狀以尺寸從大到小依次排列。
5.根據權利要求3所述的標準片，其特征在于，所述缺陷的形狀包括圓形、方形、環形、三角形、六邊形、八邊形中的一種或他們任意的組合。
6.根據權利要求1所述的標準片，其特征在于，所述缺陷的尺寸為0.1μm～2μm。
7.一種如權利要求1-6中任一項所述的標準片的制作方法，其特征在于，包括：
<...【技術特征摘要】
1.一種標準片，用于測試檢驗機臺抓取缺陷能力，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的標準片，其特征在于，所述基板包括玻璃基底，沉積在玻璃基底表面的硅化鉬材料層，以及沉積在硅化鉬材料層表面的金屬鉻，其中，所述玻璃基底為全透光材料，所述硅化鉬材料層為半透光材料，所述全透光區域的缺陷貫穿硅化鉬材料層，并暴露所述玻璃基底，所述半透光區域的缺陷貫穿所述金屬鉻，并暴露所述硅化鉬材料層。
3.根據權利要求1所述的標準片，其特征在于，若干所述缺陷在第一方向按照缺陷的尺寸呈階梯排布，若干缺陷在第二方向按照缺陷的形狀分布。
4.根據權利要求3所述的標準片，其特征在于，所述缺陷為不規則形狀，若干所述不規則形狀以尺寸從大到小依次排列。
5.根據權利要求3所述的標準片，其特征在于，所述缺陷的形狀包括圓形、方形、環形、三角形、六邊形、八邊形...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李曉培，張健澄，
申請(專利權)人：合光光掩模科技安徽有限公司，
類型：發明
國別省市：
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